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트랜지스터 (6028)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ZTX1056A | - |  | 7586 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e-line-3 | ZTX1056A | 1 W. | e- 라인 (TO-92 호환) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | ZTX1056A-NDR | 귀 99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 160 v | 3 a | 10NA | NPN | 300mv @ 200ma, 3a | 300 @ 500ma, 10V | 120MHz | ||||||||||||||||
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| ZTX849STOB | - | | 7600 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e-line-3,-된 리드 | ZTX849 | 1.2 w | e- 라인 (TO-92 호환) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 30 v | 5 a | 50NA (ICBO) | NPN | 220mv @ 200ma, 5a | 100 @ 1a, 1v | 100MHz | |||||||||||||||||
| DDTC114ECA-7-F-50 | 0.0281 | | 5556 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101, DDTC (R1 = R2 시리즈) CA | 대부분 | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DDTC114 | 200 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | 31-DDTC114ECA-7-F-50 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA | npn-사전- | 300MV @ 500µA, 10MA | 30 @ 5MA, 5V | 250MHz | 10 KOHMS | 10 KOHMS | |||||||||||||||||
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| DDTA1444444TCA-7-F | 0.0483 | | 9406 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DDTA144 | 200 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 50 v | 100 MA | 500NA (ICBO) | pnp- 사전- | 300mv @ 250µa, 2.5ma | 100 @ 1ma, 5V | 250MHz | 47 Kohms | ||||||||||||||||
| zvn2106astob | - | | 9187 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e-line-3 | MOSFET (금속 (() | e- 라인 (TO-92 호환) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 450MA (TA) | 10V | 2ohm @ 1a, 10V | 2.4V @ 1mA | ± 20V | 75 pf @ 18 v | - | 700MW (TA) | |||||||||||||||
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| DMG3414U-7 | 0.4600 | | 240 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMG3414 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 4.2A (TA) | 1.8V, 4.5V | 25mohm @ 8.2a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 9.6 NC @ 4.5 v | ± 8V | 829.9 pf @ 10 v | - | 780MW (TA) | ||||||||||||
 | DMN2028USS-13 | 0.6000 | | 6451 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DMN2028 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 20 v | 7.3A (TA) | 1.5V, 4.5V | 20mohm @ 9.4a, 4.5v | 1.3V @ 250µA | 11.6 NC @ 4.5 v | ± 8V | 1000 pf @ 10 v | - | 1.56W (TA) | ||||||||||||
 | BCM857BV-7 | 0.4400 | | 18 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | BCM857 | 357MW | SOT-563 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 45V | 100ma | 15NA (ICBO) | 2 PNP (() | 400mv @ 5ma, 100ma | 200 @ 2mA, 5V | 175MHz | ||||||||||||||||
| ZTX948 | 0.4970 | | 1214 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e-line-3 | ZTX948 | 1.2 w | e- 라인 (TO-92 호환) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 20 v | 4.5 a | 50NA (ICBO) | PNP | 310mv @ 300ma, 5a | 100 @ 1a, 1v | 80MHz | ||||||||||||||||
 | DMTH6004LPSQ-13 | 1.7100 | | 5422 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | DMTH6004 | MOSFET (금속 (() | PowerDI5060-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 100A (TA) | 4.5V, 10V | 3.1mohm @ 25a, 10V | 3V @ 250µA | 47.4 NC @ 4.5 v | ± 20V | 4515 pf @ 30 v | - | 2.6W (TA), 138W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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