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트랜지스터(6028)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 최대 공급업체 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
ZTX788BSTOB Diodes Incorporated ZTX788BSTOB -
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 ECAD 8838 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 E-Line-3, 구성부품 ZTX788B 1W E-라인(TO-92 호환) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 4,000 15V 3A 100nA(ICBO) PNP 450mV @ 10mA, 2A 500 @ 10mA, 2V 100MHz
DN0150ALP4-7B Diodes Incorporated DN0150ALP4-7B -
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 ECAD 7220 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN DN0150 450mW X2-DFN1006-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 250mV @ 10mA, 100mA 120 @ 2mA, 6V 60MHz
ZXTC2061E6TA Diodes Incorporated ZXTC2061E6TA 0.7500
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 ECAD 6286 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 ZXTC2061 1.1W SOT-26 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 3,000 12V 5A, 3.5A 50nA(ICBO) NPN, PNP 180mV @ 100mA, 5A / 200mV @ 350mA, 3.5A 480 @ 1A, 2V / 290 @ 1A, 2V 260MHz
DMN2310UW-13 Diodes Incorporated DMN2310UW-13 0.0347
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 ECAD 1479 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 DMN2310 MOSFET(금속) SOT-323 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMN2310UW-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 20V 1.3A(타) 1.8V, 4.5V 200m옴 @ 300mA, 4.5V 250μA에서 950mV 0.7nC @ 4.5V ±8V 10V에서 38pF - 450mW(타)
ZVN2120GTA Diodes Incorporated ZVN2120GTA 0.8700
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 ECAD 4000 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA ZVN2120 MOSFET(금속) SOT-223-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 200V 320mA(타) 10V 10옴 @ 250mA, 10V 3V @ 1mA ±20V 25V에서 85pF - 2W(타)
DMN3010LSS-13 Diodes Incorporated DMN3010LSS-13 0.2741
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 ECAD 7226 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) DMN3010 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 16A(타) 4.5V, 10V 9m옴 @ 16A, 10V 2V @ 250μA 43.7nC @ 10V ±20V 2096pF @ 15V - 2.5W(타)
BSS8402DW-7-G Diodes Incorporated BSS8402DW-7-G -
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 ECAD 3359 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS8402 MOSFET(금속) 200mW(타) SOT-363 다운로드 31-BSS8402DW-7-GTR EAR99 8541.29.0095 3,000 N 및 P 채널 보완 60V, 50V 115mA(타), 130mA(타) 13.5옴 @ 500mA, 10V, 10옴 @ 100mA, 5V 2.5V @ 250μA, 2V @ 1mA - 50pF @ 25V, 45pF @ 25V -
DMN2055UW-13 Diodes Incorporated DMN2055UW-13 0.0602
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 ECAD 5407 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 DMN2055 MOSFET(금속) SOT-323 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMN2055UW-13TR EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 20V 3.1A(타) 2.5V, 4.5V 46m옴 @ 3.6A, 4.5V 1V @ 250μA 4.3nC @ 4.5V ±8V 10V에서 400pF - 520mW(타)
MMBT2222AT-7 Diodes Incorporated MMBT2222AT-7 -
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 ECAD 9129 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-523 MMBT2222 150mW SOT-523 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 600mA 10nA(ICBO) NPN 1V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 300MHz
DMN3031LSS-13 Diodes Incorporated DMN3031LSS-13 -
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 ECAD 3041 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) DMN3031 MOSFET(금속) 8-SOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 9A(타) 4.5V, 10V 18.5m옴 @ 9A, 10V 2.1V @ 250μA 25nC @ 10V ±20V 15V에서 741pF - 2.5W(타)
DDTC123EE-7-F Diodes Incorporated DDTC123EE-7-F 0.0605
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 ECAD 2737 0.00000000 다이 통합 DDTC(R1 = R2 시리즈) EE 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-523 DDTC123 150mW SOT-523 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. DDTC123EE-FDITR EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 20 @ 20mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 2.2kΩ
DMP2305UQ-7 Diodes Incorporated DMP2305UQ-7 0.1079
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 ECAD 3 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2305 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMP2305UQ-7TR EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 4.2A(타) 1.8V, 4.5V 60m옴 @ 4.2A, 4.5V 250μA에서 900mV 7.6nC @ 4.5V ±8V 20V에서 727pF - 1.4W
DMN2016LFG-7 Diodes Incorporated DMN2016LFG-7 0.6500
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 ECAD 24 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerUDFN DMN2016 MOSFET(금속) 770mW U-DFN3030-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(이중) 시작 20V 5.2A 18m옴 @ 6A, 4.5V 250μA에서 1.1V 16nC @ 4.5V 1472pF @ 10V 게임 레벨 레벨
MMDTA06-7 Diodes Incorporated MMDTA06-7 0.5100
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 ECAD 5 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 MMDTA06 900mW SOT-26 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 80V 500mA 100nA 2 NPN(이중) 250mV @ 10mA, 100mA 100 @ 10mA, 1V 163MHz
DDTC123TCA-7-F Diodes Incorporated DDTC123TCA-7-F 0.2200
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 ECAD 14 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC123 200mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 2.2kΩ
DMN32D4SDW-13 Diodes Incorporated DMN32D4SDW-13 0.0672
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 ECAD 4096 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN32 MOSFET(금속) 290mW SOT-363 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. DMN32D4SDW-13DI EAR99 8541.21.0095 10,000 2 N채널(듀얼) 30V 650mA 400m옴 @ 250mA, 10V 250μA에서 1.6V 1.3nC @ 10V 50pF @ 15V -
ZXTN2005GTA Diodes Incorporated ZXTN2005GTA 0.8200
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 ECAD 82 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA ZXTN2005 3W SOT-223-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 25V 7A 50nA(ICBO) NPN 230mV @ 150mA, 6.5A 300 @ 1A, 1V 150MHz
DDTC114ECAQ-13-F Diodes Incorporated DDTC114ECAQ-13-F 0.0277
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 ECAD 9391 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC114 200mW SOT-23-3 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DDTC114ECAQ-13-FTR EAR99 8541.21.0075 10,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 35 @ 5mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
ZXMN3A03E6TC Diodes Incorporated ZXMN3A03E6TC -
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 ECAD 8327 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 ZXMN3 MOSFET(금속) SOT-23-6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10,000 N채널 30V 3.7A(타) 4.5V, 10V 50m옴 @ 7.8A, 10V 1V @ 250μA 12.6nC @ 10V ±20V 25V에서 600pF - 1.1W(타)
DMN3020LK3-13 Diodes Incorporated DMN3020LK3-13 -
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 ECAD 8997 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 DMN3020 MOSFET(금속) TO-252-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 11.3A(타) 4.5V, 10V 20m옴 @ 7A, 10V 3V @ 250μA 6.3nC @ 4.5V ±20V 15V에서 608pF - 2.17W(타)
FZT491AQTA Diodes Incorporated FZT491AQTA 0.3400
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 ECAD 9511 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA FZT491 3W SOT-223 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 40V 1A 100nA NPN 500mV @ 100mA, 1A 300 @ 500mA, 5V 150MHz
DMN2009UFDF-7 Diodes Incorporated DMN2009UFDF-7 0.1462
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 ECAD 9524 0.00000000 다이 통합 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UDFN 옆패드 DMN2009 MOSFET(금속) U-DFN2020-6(F형) - 31-DMN2009UFDF-7 EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 20V 12.8A(타) 2.5V, 4.5V 9m옴 @ 8.5A, 4.5V 250μA에서 1.4V 27.9nC @ 10V ±12V 1083pF @ 10V - 1.3W(타)
ZDT6702TC Diodes Incorporated ZDT6702TC -
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 ECAD 7642 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-223-8 ZDT6702 2.75W SM8 다운로드 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 4,000 60V 1.75A 500nA NPN, PNP 달링턴(듀얼) 1.28V @ 2mA, 1.75A 5000 @ 500mA, 5V / 2000 @ 500mA, 5V 140MHz
DMP2120U-13 Diodes Incorporated DMP2120U-13 0.0560
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 ECAD 1228 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2120 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 P채널 20V 3.8A(타) 1.8V, 4.5V 62m옴 @ 4.2A, 4.5V 1V @ 250μA 6.3nC @ 4.5V ±8V 20V에서 487pF - 800mW
ZVN4310ASTOB Diodes Incorporated ZVN4310ASTOB -
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 ECAD 3966 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 E-라인-3 MOSFET(금속) E-라인(TO-92 호환) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 2,000 N채널 100V 900mA(타) 5V, 10V 500m옴 @ 3A, 10V 3V @ 1mA ±20V 25V에서 350pF - 850mW(타)
MMDT3904Q-7-F Diodes Incorporated MMDT3904Q-7-F 0.3800
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 ECAD 2 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT3904 200mW SOT-363 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 200mA 50nA 2 NPN(이중) 300mV @ 5mA, 50mA 100 @ 10mA, 1V 300MHz
MMDT2907A-7 Diodes Incorporated MMDT2907A-7 -
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 ECAD 1064 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT2907 200mW SOT-363 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 60V 600mA 10nA(ICBO) 2 PNP(이중) 1.6V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
DDTA113ZUA-7-F Diodes Incorporated DDTA113ZUA-7-F -
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 ECAD 9940 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 DDTA113 200mW SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 33 @ 10mA, 5V 250MHz 1kΩ 10kΩ
DRDPB26W-7 Diodes Incorporated DRDPB26W-7 -
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 ECAD 7056 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DRDPB26 200mW SOT-363 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 600mA 500nA PNP - 사전 바이어스 + 의무 300mV @ 2.5mA, 50mA 47 @ 50mA, 5V 200MHz 220옴 4.7kΩ
DMN3032LFDB-13 Diodes Incorporated DMN3032LFDB-13 0.1234
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 ECAD 5234 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UDFN 옆패드 DMN3032 MOSFET(금속) 1W U-DFN2020-6(B형) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10,000 2 N채널(듀얼) 30V 6.2A 30m옴 @ 5.8A, 10V 2V @ 250μA 10.6nC @ 10V 500pF @ 15V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

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