SIC
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트랜지스터 (6028)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
ZUMT918TA Diodes Incorporated Zumt918ta 0.4500
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 3,000
FZT757TA Diodes Incorporated FZT757TA 0.8300
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT757 2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 300 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 10ma, 100ma 50 @ 100MA, 5V 30MHz
BC847BT-7-F Diodes Incorporated BC847BT-7-F 0.2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 BC847 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
DMN5L06T-7 Diodes Incorporated DMN5L06T-7 -
RFQ
 ECAD 1303 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 DMN5L06 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 280MA (TA) 1.8V, 2.7V 3ohm @ 200ma, 2.7v 1.2V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 150MW (TA)
DMNH4026SSDQ-13 Diodes Incorporated DMNH4026SSDQ-13 0.3286
RFQ
 ECAD 6974 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMNH4026 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 7.5A (TA) 24mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 8.8nc @ 4.5v 1060pf @ 20V -
ZXT13N50DE6TA Diodes Incorporated zxt13n50de6ta 0.6800
RFQ
 ECAD 196 년 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 ZXT13N50 1.1 w SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 50 v 4 a 100NA NPN 180mv @ 400ma, 4a 300 @ 1a, 2v 115MHz
ADTA113ZCAQ-13 Diodes Incorporated ADTA113ZCAQ-13 -
RFQ
 ECAD 3234 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 adta113 310 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-ADTA113ZCAQ-13TR 쓸모없는 10,000 50 v 100 MA - pnp- 사전- - 33 @ 10ma, 5V 250MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
DNLS320E-13 Diodes Incorporated DNLS320E-13 0.5500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA DNLS320 1 W. SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 20 v 3 a 100NA (ICBO) NPN 450MV @ 20MA, 3A 400 @ 2A, 2V 150MHz
DMG1012UWQ-7 Diodes Incorporated DMG1012UWQ-7 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMG1012 MOSFET (금속 (() SOT-363 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 950MA (TA) 1.8V, 4.5V 450mohm @ 600ma, 4.5v 1V @ 250µA 1 NC @ 4.5 v ± 6V 43 pf @ 16 v - 460MW
MMDT4413-7 Diodes Incorporated MMDT4413-7 0.4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 MMDT4413 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-MMDT4413-7DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000
ZTX953STOA Diodes Incorporated ZTX953STOA -
RFQ
 ECAD 6083 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX953 1.2 w e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 100 v 3.5 a 50NA (ICBO) PNP 330mv @ 400ma, 4a 100 @ 1a, 1v 125MHz
ADA114EUQ-7 Diodes Incorporated ADA114EUQ-7 0.0654
RFQ
 ECAD 1099 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 ADA114 270MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma - 2 pnp--바이어스 (듀얼) - - 250MHz 10kohms 10kohms
ZXMP3F36N8TA Diodes Incorporated zxmp3f36n8ta -
RFQ
 ECAD 5464 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 zxmp3f36n8tadi 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 7.2A (TA) 4.5V, 10V 20mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 43.9 nc @ 15 v ± 20V 2265 pf @ 15 v - 1.56W (TA)
FZT653TA Diodes Incorporated FZT653TA 0.6800
RFQ
 ECAD 238 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT653 2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 100 v 2 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 200ma, 2a 100 @ 500ma, 2v 175MHz
DMN3016LFDF-7 Diodes Incorporated DMN3016LFDF-7 0.4600
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMN3016 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 12A (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 11a, 10V 2V @ 250µA 25.1 NC @ 10 v ± 20V 1415 pf @ 15 v - 2.02W (TA)
DMP2170U-7 Diodes Incorporated DMP2170U-7 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2170 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 3.1A (TA) 2.5V, 4.5V 90mohm @ 3.5a, 4.5v 1.25V @ 250µA 7.8 NC @ 10 v ± 12V 303 pf @ 10 v - 780MW (TA)
BC817-25-7 Diodes Incorporated BC817-25-7 -
RFQ
 ECAD 3355 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 310 MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
BC847C-13-F Diodes Incorporated BC847C-13-F 0.2000
RFQ
 ECAD 364 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC847 310 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
DMT4001LPS-13 Diodes Incorporated DMT4001LPS-13 -
RFQ
 ECAD 1181 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT4001 MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (k) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 DMT4001LPS-13DI 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1MOHM @ 30A, 10V 3V @ 250µA 160.5 nc @ 10 v ± 20V 12121 pf @ 20 v - 2.6W
DCX114YU-7-F Diodes Incorporated DCX114YU-7-F 0.3000
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DCX114 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 10ma, 5V 250MHz 10kohms 47kohms
DMP22D5UFO-7B Diodes Incorporated DMP22D5UFO-7B 0.0367
RFQ
 ECAD 3198 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMP22 MOSFET (금속 (() X2-DFN0604-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-dmp22d5ufo-7btr 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 530MA (TA) 1.5V, 4.5V 1.9ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.3 nc @ 4.5 v ± 8V 17 pf @ 16 v - 340MW (TA)
ZXMN2AM832TA Diodes Incorporated ZXMN2AM832TA 0.5200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000
DMPH4029LFGQ-13 Diodes Incorporated DMPH4029LFGQ-13 0.2701
RFQ
 ECAD 9535 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMPH4029 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 DMPH4029LFGQ-13DI 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 8A (TA), 22A (TC) 4.5V, 10V 29mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1626 pf @ 20 v - 1.2W (TA)
DMN6069SFG-7 Diodes Incorporated DMN6069SFG-7 0.6400
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN6069 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 60 v 5.6A (TA), 18A (TC) 4.5V, 10V 50mohm @ 4.5a, 10V 3V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1480 pf @ 30 v - 930MW (TA)
FMMTA13TA Diodes Incorporated fmmta13ta -
RFQ
 ECAD 3667 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMTA13 330 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 40 v 300 MA 100NA npn-달링턴 900mv @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V -
DMN3030LFG-13 Diodes Incorporated DMN3030LFG-13 -
RFQ
 ECAD 6766 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN3030 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 31-DMN3030LFG-13 쓸모없는 1 n 채널 30 v 5.3A (TA) 4.5V, 10V 18mohm @ 10a, 10V 2.1V @ 250µA 17.4 NC @ 10 v ± 25V 751 pf @ 10 v - 900MW (TA)
ADA123JUQ-13 Diodes Incorporated ADA123JUQ-13 -
RFQ
 ECAD 5967 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 ADA123 270MW SOT-363 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ADA123JUQ-13DI 귀 99 8541.21.0075 10,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2kohms 47kohms
ZXMN6A11DN8TC Diodes Incorporated zxmn6a11dn8tc -
RFQ
 ECAD 7082 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ZXMN6 MOSFET (금속 (() 1.8W 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 2.5A 120mohm @ 2.5a, 10V 1V @ 250µA (Min) 5.7nc @ 10V 330pf @ 40v 논리 논리 게이트
2DD1766Q-13 Diodes Incorporated 2DD1766Q-13 -
RFQ
 ECAD 4863 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2DD1766 1 W. SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 32 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 800mv @ 200ma, 2a 120 @ 500ma, 3v 220MHz
2N5551 Diodes Incorporated 2N5551 -
RFQ
 ECAD 9847 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N5551 625 MW To-92 - rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 160 v 200 MA - NPN 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V 300MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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