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트랜지스터(6028)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 상태 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 이터레이터(R2)
ZVN4206NTA Diodes Incorporated ZVN4206NTA -
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 ECAD 6601 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 SOT-223-8 ZVN4206 MOSFET(금속) - SM8 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 2 N채널(듀얼) 60V - - - - - -
DMN3066LQ-7 Diodes Incorporated DMN3066LQ-7 0.4400
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 ECAD 3431 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3066 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 3.6A(타) 2.5V, 4.5V 67m옴 @ 2.5A, 4.5V 250μA에서 1.5V 4.1nC @ 4.5V ±12V 10V에서 353pF - 810mW(타)
ZX5T849GTA Diodes Incorporated ZX5T849GTA 0.4800
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 ECAD 6912 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA ZX5T849 3W SOT-223-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 30V 7A 20nA(ICBO) NPN 220mV @ 300mA, 6.5A 100 @ 1A, 1V 140MHz
DMT2004UFV-7 Diodes Incorporated DMT2004UFV-7 0.2184
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 ECAD 9683 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN DMT2004 MOSFET(금속) PowerDI3333-8(UX 외부) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 24V 70A(Tc) 2.5V, 10V 5m옴 @ 12A, 10V 250μA에서 1.45V 53.7nC @ 10V ±12V 15V에서 1683pF - 1.2W(타)
DMP2070U-13 Diodes Incorporated DMP2070U-13 0.5100
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 ECAD 10 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2070 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 P채널 20V 4.6A(Tc) 1.8V, 4.5V 44m옴 @ 2A, 4.5V 250μA에서 950mV 8.2nC @ 10V ±8V 118pF @ 10V - 830mW
DMNH4006SK3-13 Diodes Incorporated DMNH4006SK3-13 0.7938
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 ECAD 3508 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 DMNH4006 MOSFET(금속) TO-252-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 40V 18A(타), 90A(Tc) 10V 6m옴 @ 86A, 10V 4V @ 250μA 51nC @ 10V ±20V 2280pF @ 25V - 2.2W(타)
DMN2501UFB4-7 Diodes Incorporated DMN2501UFB4-7 0.0945
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 ECAD 9037 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN DMN2501 MOSFET(금속) X2-DFN1006-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 1A(타) 1.8V, 4.5V 400m옴 @ 600mA, 4.5V 1V @ 250μA 2nC @ 10V ±8V 16V에서 82pF - 500mW(타)
ZXTBM322TA Diodes Incorporated ZXTBM322TA -
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 ECAD 9284 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-PowerSMD, 플랫 리드 ZXTBM322 3W 3-MLP/DFN(2x2) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 3,000 20V 4.5A 25nA NPN 270mV @ 125mA, 4.5A 200 @ 2A, 2V 140MHz
DMT6008LFG-7 Diodes Incorporated DMT6008LFG-7 0.8600
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 ECAD 25 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN DMT6008 MOSFET(금속) 파워DI3333-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 60V 13A(타), 60A(Tc) 4.5V, 10V 7.5m옴 @ 20A, 10V 2V @ 250μA 50.4nC @ 10V ±12V 30V에서 2713pF - 2.2W(Ta), 41W(Tc)
ZXMP6A13GTA Diodes Incorporated ZXMP6A13GTA 0.7400
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 ECAD 6887 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA ZXMP6A13 MOSFET(금속) SOT-223-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 P채널 60V 1.7A(타) 4.5V, 10V 390m옴 @ 900mA, 10V 1V @ 250μA 5.9nC @ 10V ±20V 30V에서 219pF - 2W(타)
2DB1132R-13 Diodes Incorporated 2DB1132R-13 0.4600
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 ECAD 2 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2DB1132 1W SOT-89-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 32V 1A 500nA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 500mA 180 @ 100mA, 3V 190MHz
DMS2220LFDB-7 Diodes Incorporated DMS2220LFDB-7 0.1628
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 ECAD 6565 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UDFN 옆패드 DMS2220 MOSFET(금속) U-DFN2020-6(B형) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. -DMS2220LFDB-7DITR EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 3.5A(타) 1.8V, 4.5V 95m옴 @ 2.8A, 4.5V 1.3V @ 250μA ±12V 10V에서 632pF - 1.4W(타)
DMT6010LFG-7 Diodes Incorporated DMT6010LFG-7 0.8600
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 ECAD 1013 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN DMT6010 MOSFET(금속) 파워DI3333-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 60V 13A(Ta), 30A(Tc) 4.5V, 10V 7.5m옴 @ 20A, 10V 2V @ 250μA 41.3nC @ 10V ±20V 2090pF @ 30V - 2.2W(Ta), 41W(Tc)
DMN3270UVT-7 Diodes Incorporated DMN3270UVT-7 0.1366
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 ECAD 1849년 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 DMN3270 MOSFET(금속) 760mW(타) TSOT-26 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 30V 1.6A(타) 270m옴 @ 650mA, 4.5V 40μA에서 900mV 3.07nC @ 4.5V 161pF @ 15V -
DSS3540MQ-7B Diodes Incorporated DSS3540MQ-7B 0.3800
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 ECAD 3913 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-UFDFN 400mW X1-DFN1006-3 다운로드 31-DSS3540MQ-7B EAR99 8541.21.0075 10,000 40V 500mA 100nA PNP 350mV @ 50mA, 500mA 200 @ 10mA, 2V 100MHz
DDTA124GKA-7-F Diodes Incorporated DDTA124GKA-7-F -
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 ECAD 7334 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA124 200mW SC-59-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 56 @ 5mA, 5V 250MHz 22kΩ
DMTH48M3SFVW-7 Diodes Incorporated DMTH48M3SFVW-7 0.2217
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 ECAD 8551 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장, 일부 8-PowerVDFN MOSFET(금속) PowerDI3333-8(SWP) 내부 UX 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMTH48M3SFVW-7TR EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 40V 14.6A(Ta), 52.4A(Tc) 10V 8.9m옴 @ 20A, 10V 4V @ 250μA 12.1nC @ 10V ±20V 20V에서 897pF - 2.82W(Ta), 36.6W(Tc)
DMN2991UDJ Diodes Incorporated DMN2991UDJ -
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 ECAD 3342 0.00000000 다이오드 통합 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-963 DMN2991 MOSFET(금속) 400mW(타) SOT-963 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMN2991UDJ EAR99 8541.21.0095 1 2 N채널(듀얼) 20V 520mA(타) 990m옴 @ 100mA, 4.5V 1V @ 250μA 0.35C @ 4.5V 21.5pF @ 15V -
DXT2907A-13 Diodes Incorporated DXT2907A-13 0.4600
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 ECAD 717 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA DXT2907 1W SOT-89-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 60V 600mA 10nA(ICBO) PNP 1.6V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
DMN6040SFDEQ-13 Diodes Incorporated DMN6040SFDEQ-13 0.1775
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 ECAD 2457 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-PowerUDFN DMN6040 MOSFET(금속) U-DFN2020-6(E형) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. DMN6040SFDEQ-13DI EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 60V 5.3A(타) 4.5V, 10V 38m옴 @ 4.3A, 10V 3V @ 250μA 22.4nC @ 10V ±20V 25V에서 1287pF - 660mW(타)
DMN601WKQ-7 Diodes Incorporated DMN601WKQ-7 0.4200
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 ECAD 11 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 DMN601 MOSFET(금속) SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 300mA(타) 4.5V, 10V 2옴 @ 500mA, 10V 2.5V @ 1mA ±20V 25V에서 50pF - 200mW(타)
DZT2907A-13 Diodes Incorporated DZT2907A-13 0.3800
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 ECAD 139 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA DZT2907 1W SOT-223-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 60V 600mA 10nA(ICBO) PNP 1.6V @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 10V 200MHz
ZXTP19060CGTA Diodes Incorporated ZXTP19060CGTA 0.8100
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 ECAD 4 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA ZXTP19060 3W SOT-223-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 60V 5A 50nA(ICBO) PNP 500mV @ 500mA, 5A 200 @ 100mA, 2V 180MHz
DMN601WKQ-13 Diodes Incorporated DMN601WKQ-13 0.0630
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 ECAD 6576 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 DMN601 MOSFET(금속) SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 60V - 4.5V, 10V 2옴 @ 500mA, 10V 2.5V @ 1mA ±20V 25V에서 50pF - 200mW(타)
DMP2066LVT-13 Diodes Incorporated DMP2066LVT-13 -
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 ECAD 9118 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 DMP2066 MOSFET(금속) TSOT-23-6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. DMP2066LVT-13DITR EAR99 8541.29.0095 10,000 P채널 20V 4.5A(타) 2.5V, 4.5V 45m옴 @ 4.5A, 4.5V 250μA에서 1.5V 14.4nC @ 4.5V ±8V 15V에서 1496pF - 1.2W(타)
DMG3404L-13 Diodes Incorporated DMG3404L-13 0.0831
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 ECAD 5467 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG3404 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. DMG3404L-13DI EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 30V 4.2A(타) 4.5V, 10V 25m옴 @ 5.8A, 10V 2V @ 250μA 13.2nC @ 10V ±20V 15V에서 641pF - 780mW(타)
DMP6110SFDF-13 Diodes Incorporated DMP6110SFDF-13 0.1418
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 ECAD 2182 0.00000000 다이오드 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UDFN 옆패드 DMP6110 MOSFET(금속) U-DFN2020-6(F형) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10,000 P채널 60V 4.2A(타) 4.5V, 10V 110m옴 @ 4.5A, 10V 3V @ 250μA 17.2nC @ 10V ±20V 30V에서 969pF - 1.97W(타)
DDTC143FE-7 Diodes Incorporated DDTC143FE-7 0.3500
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 ECAD 5 0.00000000 다이오드 통합 * 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 DDTC143 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000
ZTX649STZ Diodes Incorporated ZTX649STZ 0.8600
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 ECAD 4057 0.00000000 다이오드 통합 - 컷테이프(CT) 활동적인 -55°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 E-Line-3, 구성부품 ZTX649 1W E-라인(TO-92 호환) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,000 25V 2A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 200mA, 2A 100 @ 1A, 2V 240MHz
DMP4015SSSQ-13 Diodes Incorporated DMP4015SSSQ-13 1.3400
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 ECAD 38 0.00000000 다이오드 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) DMP4015 MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 40V 9.1A(타) 4.5V, 10V 11m옴 @ 9.8A, 10V 2.5V @ 250μA 47.5nC @ 5V ±25V 20V에서 4234pF - 1.45W(타)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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