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![]() | DMN601DMK-7 | 0.4100 | ![]() | 83 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | DMN601 | MOSFET (금속 (() | 700MW | SOT-26 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 510ma | 2.4ohm @ 200ma, 10V | 2.5V @ 1mA | 0.304NC @ 4.5V | 50pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | |||||||||||||||
![]() | DMN65D8LFB-7 | 0.3200 | ![]() | 17 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-ufdfn | DMN65 | MOSFET (금속 (() | X1-DFN1006-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 260MA (TA) | 5V, 10V | 3ohm @ 115ma, 10V | 2V @ 250µA | ± 20V | 25 pf @ 25 v | - | 430MW (TA) | ||||||||||||||
![]() | ZTX853QSTZ | 0.5862 | ![]() | 3540 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & t (TB) | 활동적인 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e-line-3,-된 리드 | 1.2 w | e- 라인 (TO-92 호환) | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 31-ZTX853QSTZTB | 귀 99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 100 v | 4 a | 50NA | NPN | 200mv @ 400ma, 4a | 100 @ 2a, 2v | 130MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
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