SIC
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트랜지스터(6028)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
ZTX968 Diodes Incorporated ZTX968 1.0200
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 ECAD 1319 0.00000000 다이 통합 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 E-라인-3 1.58W E-라인(TO-92 호환) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 4,000 12V 4.5A 50nA(ICBO) PNP 300mV @ 200mA, 5A 300 @ 500mA, 1V 80MHz
DMN39M1LFVW-7 Diodes Incorporated DMN39M1LFVW-7 0.6000
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 ECAD 5483 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장, 일부 8-PowerVDFN MOSFET(금속) PowerDI3333-8(SWP) 내부 UX 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2,000 N채널 30V 87A (Tc) 4.5V, 10V 5m옴 @ 30A, 10V 2.5V @ 250μA 40nC @ 10V ±20V 15V에서 2387pF - 1.3W(타)
DMN601DWK-7 Diodes Incorporated DMN601DWK-7 0.4900
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 ECAD 481 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN601 MOSFET(금속) 200mW SOT-363 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 60V 305mA 2옴 @ 500mA, 10V 2.5V @ 1mA - 50pF @ 25V 게임 레벨 레벨
ZXTN4000ZTA Diodes Incorporated ZXTN4000ZTA 0.4400
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 ECAD 7176 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA ZXTN4000 1.5W SOT-89-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 60V 1A 50nA(ICBO) NPN - 100 @ 150mA, 150mV -
FMMT634TA Diodes Incorporated FMMT634TA 0.5600
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 ECAD 60 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT634 625mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 100V 900mA 100nA NPN-달링턴 960mV @ 5mA, 1A 20000 @ 100mA, 5V 140MHz
2N7002T-7-F-52 Diodes Incorporated 2N7002T-7-F-52 0.0584
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 ECAD 3735 0.00000000 다이 통합 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-523 2N7002 MOSFET(금속) SOT-523 다운로드 31-2N7002T-7-F-52 EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 115mA(타) 5V, 10V 7.5옴 @ 50mA, 5V 2V @ 250μA ±20V 25V에서 50pF - 150mW(타)
DMTH48M3SFVW-13 Diodes Incorporated DMTH48M3SFVW-13 0.2217
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 ECAD 4194 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장, 일부 8-PowerVDFN MOSFET(금속) PowerDI3333-8(SWP) 내부 UX 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMTH48M3SFVW-13TR EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 40V 14.6A(Ta), 52.4A(Tc) 10V 8.9m옴 @ 20A, 10V 4V @ 250μA 12.1nC @ 10V ±20V 20V에서 897pF - 2.82W(Ta), 36.6W(Tc)
DMG7N65SCTI Diodes Incorporated DMG7N65SCTI -
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 ECAD 9815 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-220-3 풀팩, 분리형 탭 DMG7N65 MOSFET(금속) ITO-220AB - ROHS3 준수 REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 50 N채널 650V 7.7A(Tc) 10V 1.4옴 @ 2.5A, 10V 4V @ 250μA 25.2nC @ 10V ±30V 50V에서 886pF - 28W(Tc)
DDTC114EUAQ-7-F Diodes Incorporated DDTC114EUAQ-7-F 0.0426
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 ECAD 1540 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 DDTC114 200mW SOT-323 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DDTC114EUAQ-7-FTR EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 30 @ 5mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
DMG1029SV-7-52 Diodes Incorporated DMG1029SV-7-52 0.0622
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 ECAD 1454 0.00000000 다이 통합 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 DMG1029 MOSFET(금속) 450mW(타) SOT-563 다운로드 31-DMG1029SV-7-52 EAR99 8541.29.0095 3,000 N 및 P 채널 보완 60V 500mA(타), 360mA(타) 1.7옴 @ 500mA, 10V, 4옴 @ 500mA, 10V 2.5V @ 250μA, 3V @ 250μA 0.3nC @ 4.5V, 0.28nC @ 4.5V 30pF @ 25V, 25pF @ 25V 기준
ZXTC6718MCTA Diodes Incorporated ZXTC6718MCTA 0.8200
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 ECAD 1 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-WDFN옆패드 ZXTC6718 1.7W W-DFN3020-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 3,000 20V 4.5A, 3.5A 100nA NPN, PNP 300mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V 140MHz, 180MHz
ZXMN3A02X8TA Diodes Incorporated ZXMN3A02X8TA 1.4000
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 ECAD 1 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-TSSOP, 8-MSOP(0.118", 3.00mm 너비) ZXMN3 MOSFET(금속) 8-MSOP 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 1,000 N채널 30V 5.3A(타) 4.5V, 10V 25m옴 @ 12A, 10V 1V @ 250μA 26.8nC @ 10V ±20V 25V에서 1400pF - 1.1W(타)
DMP2900UVQ-13 Diodes Incorporated DMP2900UVQ-13 0.3600
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 ECAD 10 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 DMP2900 MOSFET(금속) 500mW(타) SOT-563 - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 2 P채널(듀얼) 20V 850mA(타) 750m옴 @ 430mA, 4.5V 1V @ 250μA 0.7nC @ 4.5V 49pF @ 16V 기준
DMN63D8LDW-13 Diodes Incorporated DMN63D8LDW-13 0.3100
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 ECAD 9 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN63 MOSFET(금속) 300mW SOT-363 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 2 N채널(듀얼) 30V 220mA 2.8옴 @ 250mA, 10V 250μA에서 1.5V 0.87nC @ 10V 22pF @ 25V 게임 레벨 레벨
DMN32D4SDW-7 Diodes Incorporated DMN32D4SDW-7 0.4500
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 ECAD 6281 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN32 MOSFET(금속) 290mW SOT-363 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 30V 650mA 400m옴 @ 250mA, 10V 250μA에서 1.6V 1.3nC @ 10V 50pF @ 15V -
DZT953-13 Diodes Incorporated DZT953-13 -
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 ECAD 6246 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA DZT953 1W SOT-223-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 100V 5A 50nA(ICBO) PNP 420mV @ 400mA, 4A 100 @ 1A, 1V 125MHz
ADTA114YUAQ-13 Diodes Incorporated ADTA114YUAQ-13 0.0393
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 ECAD 7189 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 ADTA114 330mW SOT-323 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-ADTA114YUAQ-13TR EAR99 8541.21.0075 10,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 68 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 47kΩ
DDTA124EE-7-F Diodes Incorporated DDTA124EE-7-F 0.0605
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 ECAD 2029 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-523 DDTA124 150mW SOT-523 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 56 @ 5mA, 5V 250MHz 22kΩ 22kΩ
DMT6009LFG-7 Diodes Incorporated DMT6009LFG-7 1.0500
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 ECAD 168 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN DMT6009 MOSFET(금속) 파워DI3333-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 60V 11A(타), 34A(Tc) 4.5V, 10V 10m옴 @ 13.5A, 10V 2V @ 250μA 33.5nC @ 10V ±16V 30V에서 1925pF - 2.08W(Ta), 19.2W(Tc)
BS250FTC Diodes Incorporated BS250FTC -
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 ECAD 1787년 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BS250 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 P채널 45V 90mA(타) 10V 14옴 @ 200mA, 10V 3.5V @ 1mA ±20V 10V에서 25pF - 330mW(타)
DMC2053UVT-7 Diodes Incorporated DMC2053UVT-7 0.4200
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 ECAD 2 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 DMC2053 MOSFET(금속) 700mW(타) TSOT-26 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N 및 P 채널 보완 20V 4.6A(타), 3.2A(타) 35m옴 @ 5A, 4.5V, 74m옴 @ 3.5A, 4.5V 1V @ 250μA 3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V 369pF @ 10V, 440pF @ 10V -
2N7002-7-F-79 Diodes Incorporated 2N7002-7-F-79 -
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 ECAD 9387 0.00000000 다이 통합 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 2N7002 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 2N7002-7-F-79DI EAR99 8541.21.0095 3,000
DMP3010LK3Q-13 Diodes Incorporated DMP3010LK3Q-13 0.9100
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 ECAD 9755 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 DMP3010 MOSFET(금속) TO-252-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 30V 17A(타) 4.5V, 10V 8m옴 @ 10A, 10V 2.1V @ 250μA 59.2nC @ 4.5V ±20V 6234pF @ 15V - 1.7W(타)
DMN33D8LVQ-13 Diodes Incorporated DMN33D8LVQ-13 0.4500
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 ECAD 10 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 DMN33 MOSFET(금속) 430mW(타) SOT-563 - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 10,000 2 N채널(듀얼) 30V 350mA(타) 2.4옴 @ 250mA, 10V 1.5V @ 100μA 1.23nC @ 10V 48pF @ 5V 기준
DSS5160T-7 Diodes Incorporated DSS5160T-7 0.4300
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 ECAD 54 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DSS5160 725mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 60V 1A 100nA(ICBO) PNP 340mV @ 100mA, 1A 150 @ 500mA, 5V 150MHz
DMN2015UFDF-7 Diodes Incorporated DMN2015UFDF-7 0.1527
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 ECAD 6515 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UDFN 옆패드 DMN2015 MOSFET(금속) U-DFN2020-6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 20V 15.2A(타) 1.5V, 4.5V 9m옴 @ 8.5A, 4.5V 1.2V @ 250μA 42.3nC @ 10V ±12V 1439pF @ 10V - 1.8W(타)
DMT6012LFDF-7 Diodes Incorporated DMT6012LFDF-7 0.2542
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 ECAD 9789 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UDFN 옆패드 DMT6012 MOSFET(금속) U-DFN2020-6(F형) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 60V 9.5A(타) 4.5V, 10V 14m옴 @ 8.5A, 10V 2.3V @ 250μA 13.6nC @ 10V ±20V 30V에서 785pF - 900mW(Ta), 11W(Tc)
DDTA115GE-7-F Diodes Incorporated DDTA115GE-7-F 0.0605
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 ECAD 2498 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-523 DDTA115 150mW SOT-523 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 82 @ 5mA, 5V 250MHz 100kΩ
BC857AT-7 Diodes Incorporated BC857AT-7 -
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 ECAD 7885 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) SIC에서는 존재하지 않았습니다. -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-523 BC857 150mW SOT-523 다운로드 RoHS 비준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 45V 100mA 15nA(ICBO) PNP 650mV @ 5mA, 100mA 125 @ 2mA, 5V 100MHz
FZT751QTC Diodes Incorporated FZT751QTC 0.2102
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 ECAD 9930 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA 2W SOT-223-3 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-FZT751QTCTR EAR99 8541.29.0075 4,000 60V 3A 100nA(ICBO) PNP 600mV @ 300mA, 3A 100 @ 500mA, 2V 140MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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