SIC
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트랜지스터 (6028)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
FZT958TA Diodes Incorporated FZT958TA 0.8200
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT958 3 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 400 v 500 MA 50NA (ICBO) PNP 240mv @ 300ma, 1a 100 @ 500ma, 10V 85MHz
DMT8012LFG-13 Diodes Incorporated DMT8012LFG-13 0.3877
RFQ
 ECAD 3720 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT8012 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 9.5A (TA), 35A (TC) 6V, 10V 16mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1949 pf @ 40 v - 2.2W (TA), 30W (TC)
FMMT2907ATA Diodes Incorporated FMMT2907ATA -
RFQ
 ECAD 8245 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT2907A 330 MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 600 MA 10NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
DMNH6035SPDWQ-13 Diodes Incorporated DMNH6035SPDWQ-13 0.6174
RFQ
 ECAD 7825 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn DMNH6035 MOSFET (금속 (() 2.4W (TA), 68W (TC) PowerDi5060-8 (유형 r) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 DMNH6035SPDWQ-13DI 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 33A (TC) 35mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 16NC @ 10V 879pf @ 25v -
ZHB6718TA Diodes Incorporated ZHB6718TA 2.3100
RFQ
 ECAD 4020 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-223-8 ZHB6718 1.25W sm8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 20V 2.5A 100µA 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge) 200MV @ 50MA, 2.5A 200 @ 2a, 2v 140MHz
DDTC124XUA-7 Diodes Incorporated DDTC124XUA-7 0.3900
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 DDTC124 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-DDTC124XUA-7DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000
BCP5110TA Diodes Incorporated BCP5110TA 0.1000
RFQ
 ECAD 5442 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP5110 2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 45 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 150MHz
ZTX1056A Diodes Incorporated ZTX1056A -
RFQ
 ECAD 7586 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX1056A 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZTX1056A-NDR 귀 99 8541.29.0075 4,000 160 v 3 a 10NA NPN 300mv @ 200ma, 3a 300 @ 500ma, 10V 120MHz
DMNH6008SCTQ Diodes Incorporated DMNH6008SCTQ 1.8600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 DMNH6008 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 130A (TC) 10V 8mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 21 NC @ 10 v 20V 2596 pf @ 30 v - 210W (TC)
ZVN2106GTC Diodes Incorporated ZVN2106GTC -
RFQ
 ECAD 6295 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 60 v 710MA (TA) 10V 2ohm @ 1a, 10V 2.4V @ 1mA ± 20V 75 pf @ 18 v - 2W (TA)
FZT689BTC Diodes Incorporated FZT689BTC -
RFQ
 ECAD 7000 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT689 2 w SOT-223-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 20 v 3 a 100NA (ICBO) NPN 450MV @ 20MA, 3A 400 @ 2A, 2V 150MHz
ADC124EUQ-7 Diodes Incorporated ADC124EUQ-7 0.0600
RFQ
 ECAD 7530 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 ADC124 270MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma - 2 npn--바이어스 (듀얼) - - 250MHz 22kohms 22kohms
FZT649TC Diodes Incorporated FZT649TC 0.2610
RFQ
 ECAD 3547 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT649 2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 25 v 3 a 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 300ma, 3a 100 @ 1a, 2v 240MHz
DMT3022UEV-7 Diodes Incorporated DMT3022UEV-7 0.2436
RFQ
 ECAD 1781 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT3022 MOSFET (금속 (() 900MW (TA) PowerDI3333-8 (유형 UXD) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 2 n 채널 (채널) 30V 17A (TC) 22mohm @ 11a, 10V 1.8V @ 250µA 13.9NC @ 10V 903pf @ 15V -
ZTX788A Diodes Incorporated ZTX788A -
RFQ
 ECAD 9331 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX788 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 15 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 330mv @ 200ma, 3a 300 @ 10ma, 1v 100MHz
ZXTC6720MCTA Diodes Incorporated ZXTC6720MCTA 0.3190
RFQ
 ECAD 5258 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-wdfn n 패드 ZXTC6720 1.7W DFN3020B-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 3,000 80V, 70V 3.5a, 2.5a 100NA NPN, PNP 340mv @ 300ma, 3.5a / 270mv @ 200ma, 1.5a 300 @ 200ma, 2v / 40 @ 1.5a, 5V 160MHz, 180MHz
ZTX689B Diodes Incorporated ZTX689B 0.4326
RFQ
 ECAD 5024 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX689 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 20 v 3 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 10ma, 2a 500 @ 100MA, 2V 150MHz
BCV49TA Diodes Incorporated BCV49TA 0.4400
RFQ
 ECAD 975 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCV49 1 W. SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-달링턴 1V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 170MHz
DDTA144TE-7 Diodes Incorporated DDTA144TE-7 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 DDTA144 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
DDTD122LC-7 Diodes Incorporated DDTD122LC-7 -
RFQ
 ECAD 5255 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTD122 200 MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 56 @ 50MA, 5V 200MHz 220 옴 10 KOHMS
ZXT14P12DXTA Diodes Incorporated zxt14p12dxta 0.4700
RFQ
 ECAD 752 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000
ZTX553 Diodes Incorporated ZTX553 0.6000
RFQ
 ECAD 7651 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX553 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZTX553-NDR 귀 99 8541.29.0075 4,000 100 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 250mv @ 15ma, 150ma 40 @ 150ma, 10V 150MHz
BCP53TA Diodes Incorporated BCP53TA 0.4000
RFQ
 ECAD 449 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA BCP53 2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v 150MHz
ZTX1049A Diodes Incorporated ZTX1049A 0.7800
RFQ
 ECAD 6771 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX1049 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 25 v 4 a 10NA NPN 220MV @ 50MA, 4A 300 @ 1a, 2v 180MHz
DMT3009LFVW-7 Diodes Incorporated DMT3009LFVW-7 0.6000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMT3009 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 12A (TA), 50A (TC) 3.8V, 10V 11mohm @ 14.4a, 10V 3V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 823 pf @ 15 v - 2.3W (TA)
ZXMP6A16GTA Diodes Incorporated ZXMP6A16GTA -
RFQ
 ECAD 1831 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ZXMP6A16 MOSFET (금속 (() SOT-223-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v - - - - - - -
ZDT605TC Diodes Incorporated ZDT605TC -
RFQ
 ECAD 6656 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-223-8 ZDT605 2.75W sm8 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 120V 1A 10µA 2 npn 달링턴 (이중) 1.5v @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 5V 150MHz
DMN4034SSD-13 Diodes Incorporated DMN4034SSD-13 0.8400
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMN4034 MOSFET (금속 (() 1.8W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 40V 4.8a 34mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 18NC @ 10V 453pf @ 20V 논리 논리 게이트
ZXMN2A04DN8TC Diodes Incorporated ZXMN2A04DN8TC -
RFQ
 ECAD 2942 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ZXMN2 MOSFET (금속 (() 1.8W 도 8- 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 20V 5.9A 25mohm @ 5.9a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 22.1NC @ 5V 1880pf @ 10V 논리 논리 게이트
BC846B-7-F Diodes Incorporated BC846B-7-F 0.1800
RFQ
 ECAD 156 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC846 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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