SIC
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트랜지스터 (6028)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DMT6017LFV-7 Diodes Incorporated DMT6017LFV-7 0.2145
RFQ
 ECAD 4053 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT6017 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (유형 UX) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 65 v 36A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 6a, 10V 2.3V @ 250µA 15.3 NC @ 10 v ± 16V 891 pf @ 30 v - 2.12W (TA), 39.06W (TC)
ZTX869 Diodes Incorporated ZTX869 1.1700
RFQ
 ECAD 2546 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 1.2 w e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 25 v 5 a 50NA (ICBO) NPN 220mv @ 100ma, 5a 300 @ 1a, 1v 100MHz
ZVN0540ASTOB Diodes Incorporated ZVN0540ASTOB -
RFQ
 ECAD 6456 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 400 v 90MA (TA) 10V 50ohm @ 100ma, 10V 3V @ 1mA ± 20V 70 pf @ 25 v - 700MW (TA)
DMN66D0LW-7 Diodes Incorporated DMN66D0LW-7 0.4100
RFQ
 ECAD 5503 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMN66 MOSFET (금속 (() SOT-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 115MA (TA) 5V, 10V 6ohm @ 115ma, 5V 2V @ 250µA ± 20V 23 pf @ 25 v - 200MW (TA)
DMC2025UFDB-13 Diodes Incorporated DMC2025UFDB-13 0.1096
RFQ
 ECAD 8820 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMC2025 MOSFET (금속 (() 700MW (TA) u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 보완 p 채널 및 20V 6A (TA), 3.5A (TA) 25mohm @ 4a, 4.5v, 75mohm @ 2.9a, 4.5v 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA 12.3nc @ 10v, 15nc @ 8v 486pf @ 10v, 642pf @ 10v -
ZTX696B Diodes Incorporated ZTX696B 0.9000
RFQ
 ECAD 1955 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX696 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZTX696B-NDR 귀 99 8541.29.0075 4,000 180 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 5ma, 200ma 150 @ 200ma, 5V 70MHz
MMBT2907A-7 Diodes Incorporated MMBT2907A-7 -
RFQ
 ECAD 7521 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT2907A 300MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 600 MA 10NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
ZVP0545ASTZ Diodes Incorporated ZVP0545ASTZ 0.6762
RFQ
 ECAD 1594 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZVP0545 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 450 v 45MA (TA) 10V 150ohm @ 50ma, 10V 4.5V @ 1mA ± 20V 120 pf @ 25 v - 700MW (TA)
DMP3036SFV-13 Diodes Incorporated DMP3036SFV-13 0.5800
RFQ
 ECAD 4523 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP3036 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 30A (TA) 5V, 10V 20mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 16.5 nc @ 10 v ± 25V 1931 pf @ 15 v - 2.3W (TA)
DMP2005UFG-13 Diodes Incorporated DMP2005UFG-13 0.8500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP2005 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 89A (TC) 1.8V, 4.5V 4mohm @ 15a, 4.5v 900MV @ 250µA 125 nc @ 10 v ± 10V 4670 pf @ 10 v - 2.2W (TA)
DDA142JU-7-F Diodes Incorporated DDA142JU-7-F -
RFQ
 ECAD 3066 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDA142 200MW SOT-363 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 56 @ 10ma, 5V 200MHz 470ohms 10kohms
ZXMN3A01E6TC Diodes Incorporated ZXMN3A01E6TC -
RFQ
 ECAD 3679 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 ZXMN3 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 30 v 2.4A (TA) 4.5V, 10V 120mohm @ 2.5a, 10V 1V @ 250µA 3.9 NC @ 10 v ± 20V 190 pf @ 25 v - 1.1W (TA)
2DA1774QLP-7-1 Diodes Incorporated 2DA1774QLP-7-1 -
RFQ
 ECAD 6396 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 2DA1774 - rohs 준수 1 (무제한) 31-2DA1774QLP-7-1TR 쓸모없는 3,000
DMTH4007SPD-13 Diodes Incorporated DMTH4007SPD-13 1.2800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH4007 MOSFET (금속 (() 2.6W PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 40V 14.2A 8.6mohm @ 17a, 10V 4V @ 250µA 41.9NC @ 10V 2026pf @ 30v -
FMMTL720TC Diodes Incorporated FMMTL720TC -
RFQ
 ECAD 8313 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 500MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 40 v 1 a 10NA PNP 300mv @ 100ma, 1a 200 @ 500ma, 5V -
DMC3071LVT-7 Diodes Incorporated DMC3071LVT-7 0.1079
RFQ
 ECAD 6184 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMC3071 MOSFET (금속 (() 700MW (TA) TSOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 30V 4.6A (TA), 3.3A (TA) 50mohm @ 3.5a, 10v, 95mohm @ 3.8a, 10v 2.5V @ 250µA 4.5NC @ 10V, 6.5NC @ 10V 190pf @ 15v, 254pf @ 15v -
ZXT10N50DE6TC Diodes Incorporated zxt10n50de6tc -
RFQ
 ECAD 2820 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 zxt10n50d 1.1 w SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 10,000 50 v 3 a 100NA NPN 300mv @ 100ma, 3a 100 @ 2a, 2v 165MHz
MMDT3904V-7 Diodes Incorporated MMDT3904V-7 -
RFQ
 ECAD 8148 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 MMDT3904 200MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 200ma - 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
DCX114YUQ-7-F Diodes Incorporated DCX114YUQ-7-F 0.0672
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DCX114 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-DCX114YUQ-7-FTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 70ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 250µA, 5MA 68 @ 10ma, 5V 250MHz 10kohms 47kohms
DMN60H4D5SK3-13 Diodes Incorporated DMN60H4D5SK3-13 -
RFQ
 ECAD 7008 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMN60 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) - Rohs3 준수 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 600 v 2.5A (TC) 10V 4.5ohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 30V 273.5 pf @ 25 v - 41W (TC)
MMBT3904T-13 Diodes Incorporated MMBT3904T-13 -
RFQ
 ECAD 4959 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 MMBT3904 150 MW SOT-523 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 40 v 200 MA 50NA NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
MMBT4401T-7 Diodes Incorporated MMBT4401T-7 -
RFQ
 ECAD 5942 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 MMBT4401 150 MW SOT-523 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 600 MA 100NA NPN 750mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 1V 250MHz
DDTD113ZC-7-F Diodes Incorporated DDTD113ZC-7-F 0.3000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTD113 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 500 MA 500NA npn-사전- 300mv @ 2.5ma, 50ma 56 @ 50MA, 5V 200MHz 1 KOHMS 10 KOHMS
ZHB6718TA Diodes Incorporated ZHB6718TA 2.3100
RFQ
 ECAD 4020 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-223-8 ZHB6718 1.25W sm8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 20V 2.5A 100µA 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge) 200MV @ 50MA, 2.5A 200 @ 2a, 2v 140MHz
DCX143EH-7 Diodes Incorporated DCX143EH-7 0.0945
RFQ
 ECAD 3877 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DCX143 150MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7kohms 4.7kohms
DMP3021SFVW-13 Diodes Incorporated DMP3021SFVW-13 0.6200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP3021 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 11A (TA), 42A (TC) 5V, 10V 15mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 25V 1799 pf @ 15 v - 1W (TA)
DSS4160U-7 Diodes Incorporated DSS4160U-7 0.4300
RFQ
 ECAD 2615 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DSS4160 400MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 1 a 100NA NPN 280mv @ 100ma, 1a 200 @ 500ma, 5V 150MHz
DMT32M5LFG-13 Diodes Incorporated DMT32M5LFG-13 1.1200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT32 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 30A (TA) 4.5V, 10V 1.7mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 67.7 NC @ 10 v ± 20V 4066 pf @ 15 v - 2.3W (TA)
BC847BW-7-F Diodes Incorporated BC847BW-7-F 0.2000
RFQ
 ECAD 699 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC847 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 20NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
DMN2020LSN-7 Diodes Incorporated DMN2020LSN-7 0.4600
RFQ
 ECAD 111 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2020 MOSFET (금속 (() SC-59-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 6.9A (TA) 2.5V, 4.5V 20mohm @ 9.4a, 4.5v 1.5V @ 250µA 11.6 NC @ 4.5 v ± 12V 1149 pf @ 10 v - 610MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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