전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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DMTH6004LPSQ-13 | 1.7100 | ![]() | 5422 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | DMTH6004 | MOSFET (금속 (() | PowerDI5060-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 100A (TA) | 4.5V, 10V | 3.1mohm @ 25a, 10V | 3V @ 250µA | 47.4 NC @ 4.5 v | ± 20V | 4515 pf @ 30 v | - | 2.6W (TA), 138W (TC) | ||||||||||||||
![]() | DMT8012LSS-13 | 0.8700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | DMT8012 | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 80 v | 9.7A (TA) | 4.5V, 10V | 16.5mohm @ 12a, 10V | 3V @ 250µA | 34 NC @ 10 v | ± 20V | 1949 pf @ 40 v | - | 1.5W (TA) | |||||||||||||
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![]() | DMN2028UVT-7 | 0.4100 | ![]() | 1569 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 | DMN2028 | MOSFET (금속 (() | TSOT-23-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 6.2A (TA) | 2.5V, 4.5V | 24mohm @ 6.2a, 4.5v | 1.5V @ 250µA | 8.3 NC @ 4.5 v | ± 8V | 856 pf @ 10 v | - | 1.2W (TA) | |||||||||||||
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![]() | zxmn6a08e6ta | 0.8300 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | ZXMN6 | MOSFET (금속 (() | SOT-26 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 2.8A (TA) | 4.5V, 10V | 80mohm @ 4.8a, 10V | 1V @ 250µA | 5.8 nc @ 10 v | ± 20V | 459 pf @ 40 v | - | 1.1W (TA) | |||||||||||||
![]() | zxm66n03n8ta | - | ![]() | 9602 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | Digi-Reel® | 쓸모없는 | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 도 8- | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 9A (TA) | 15mohm @ 7.3a, 10V | 1V @ 250µA | - | ||||||||||||||||||||
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![]() | DMT32M5LPS-13 | 0.3373 | ![]() | 8186 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | DMT32 | MOSFET (금속 (() | PowerDI5060-8 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 150A (TC) | 4.5V, 10V | 2MOHM @ 30A, 10V | 3V @ 1mA | 68 NC @ 10 v | ± 20V | 3944 pf @ 25 v | - | 100W (TC) | |||||||||||||
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DMP210DUFB4-7B | - | ![]() | 7897 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-xfdfn | DMP210 | MOSFET (금속 (() | X2-DFN1006-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | DMP210DUFB4-7BDI | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | p 채널 | 20 v | 200MA (TA) | 1.2V, 4.5V | 5ohm @ 100ma, 4.5v | 1V @ 250µA | ± 10V | 175 pf @ 15 v | - | 350MW (TA) | ||||||||||||||
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FZT757TC | - | ![]() | 9363 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | FZT757 | 2 w | SOT-223-3 | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 4,000 | 300 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 10ma, 100ma | 50 @ 100MA, 5V | 30MHz |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
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