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트랜지스터(6028)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 전압 - 정격 작동 온도 응용 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 내구성 인증(암페어) 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
ZTX657STZ Diodes Incorporated ZTX657STZ 0.3682
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 ECAD 8748 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 박스(TB) 활동적인 -55°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 E-Line-3, 구성부품 ZTX657 1W E-라인(TO-92 호환) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,000 300V 500mA 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 10mA, 100mA 50 @ 100mA, 5V 30MHz
DMG4466SSS-13 Diodes Incorporated DMG4466SSS-13 0.4400
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 ECAD 2937 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) DMG4466 MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 10A(타) 4.5V, 10V 23m옴 @ 10A, 10V 2.4V @ 250μA 17nC @ 10V ±25V 478.9pF @ 15V - 1.42W(타)
DDTA115GCA-7-F Diodes Incorporated DDTA115GCA-7-F 0.0386
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 ECAD 2998년 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA115 200mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 82 @ 5mA, 5V 250MHz 100kΩ
DMC3025LNS-7 Diodes Incorporated DMC3025LNS-7 0.2138
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 ECAD 4325 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN DMC3025 MOSFET(금속) 1.2W(타) 파워DI3333-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 N 및 P 채널 보완 30V 7.2A(타), 6.8A(타) 25m옴 @ 7A, 10V, 28m옴 @ 7A, 10V 2V @ 250μA 4.6nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V 500pF @ 15V, 1188pF @ 15V -
ZXMP6A13FTA-50 Diodes Incorporated ZXMP6A13FTA-50 0.1426
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 ECAD 2550 0.00000000 다이 통합 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMP6A13 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 31-ZXMP6A13FTA-50 EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 60V 1.1A(타) 4.5V, 10V 400m옴 @ 900mA, 10V 3V @ 250μA 5.9nC @ 10V ±20V 30V에서 219pF - 625mW(타)
2DA1201Y-7 Diodes Incorporated 2DA1201Y-7 0.1743
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 ECAD 7280 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA 2DA1201 1.5W SOT-89-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 120V 800mA 100nA PNP 1V @ 50mA, 500mA 120 @ 100mA, 5V 160MHz
DXTN3C100PD-13 Diodes Incorporated DXTN3C100PD-13 0.6300
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 ECAD 5057 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN DXTN3C100 1.47W PowerDI5060-8(UXD 종류) 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 100V 3A 100nA 2 NPN(이중) 330mV @ 300mA, 3A 150 @ 500mA, 10V 130MHz
ZTX1056A Diodes Incorporated ZTX1056A -
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 ECAD 7586 0.00000000 다이 통합 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 E-라인-3 ZTX1056A 1W E-라인(TO-92 호환) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. ZTX1056A-NDR EAR99 8541.29.0075 4,000 160V 3A 10nA NPN 300mV @ 200mA, 3A 300 @ 500mA, 10V 120MHz
DMC31D5UDJ-7B Diodes Incorporated DMC31D5UDJ-7B 0.4100
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 ECAD 35 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-963 DMC31 MOSFET(금속) 350mW SOT-963 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 N 및 P 채널 30V 220mA, 200mA 1.5옴 @ 100mA, 4.5V 1V @ 250μA 0.38nC @ 4.5V 22.6pF @ 15V 게임 레벨 레벨
DMT3020LFDF-13 Diodes Incorporated DMT3020LFDF-13 0.1914
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 ECAD 9869 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UDFN 옆패드 DMT3020 MOSFET(금속) U-DFN2020-6(F형) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10,000 N채널 30V 8.4A(타) 4.5V, 10V 17m옴 @ 9A, 10V 2.5V @ 250μA 70nC @ 10V ±20V 15V에서 393pF - 700mW(Ta), 1.8W(Tc)
ZVN3320ASTOA Diodes Incorporated ZVN3320ASTOA 0.5100
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 ECAD 1 0.00000000 다이 통합 * 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 2,000
BSS123-7-F-50 Diodes Incorporated BSS123-7-F-50 0.0357
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 ECAD 6601 0.00000000 다이 통합 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS123 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 1(무제한) 31-BSS123-7-F-50 EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 100V 170mA(타) 4.5V, 10V 6옴 @ 170mA, 10V 2V @ 1mA ±20V 25V에서 60pF - 300mW(타)
BCX5216QTA Diodes Incorporated BCX5216QTA 0.4300
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 ECAD 1 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA BCX5216 1W SOT-89-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 60V 1A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 2V 150MHz
DMP31D0UFB4-7B Diodes Incorporated DMP31D0UFB4-7B 0.4600
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 ECAD 89 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-XFDFN DMP31 MOSFET(금속) X2-DFN1006-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 P채널 30V 540mA(타) 1.8V, 4.5V 1옴 @ 400mA, 4.5V 250μA에서 1.1V 0.9nC @ 4.5V ±8V 15V에서 76pF - 460mW(타)
DSS4160U-7 Diodes Incorporated DSS4160U-7 0.4300
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 ECAD 2615 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 DSS4160 400mW SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 60V 1A 100nA NPN 280mV @ 100mA, 1A 200 @ 500mA, 5V 150MHz
LMN400E01-7 Diodes Incorporated LMN400E01-7 -
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 ECAD 4574 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 50V PNP, 60V N채널 종료 스위치 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 LMN400 SOT-363 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 400mA PNP, 115mA PNP 사전 바이어스, N채널 사전 바이어스
FZT491AQTA Diodes Incorporated FZT491AQTA 0.3400
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 ECAD 9511 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA FZT491 3W SOT-223 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 40V 1A 100nA NPN 500mV @ 100mA, 1A 300 @ 500mA, 5V 150MHz
FMMT416TA Diodes Incorporated FMMT416TA 5.8500
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 ECAD 5661 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 500mW SOT-23(DN 형식) 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-FMMT416TATR EAR99 8541.21.0095 3,000 100V 500mA 100nA(ICBO) NPN 100mV @ 1mA, 10mA 100 @ 10mA, 10V 40MHz
BC848C-7-F Diodes Incorporated BC848C-7-F 0.2000
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 ECAD 632 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 300mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 100mA 15nA NPN 600mV @ 5mA, 100mA 420 @ 2mA, 5V 300MHz
FMMT597TC Diodes Incorporated FMMT597TC -
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 ECAD 5194 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT597 500mW SOT-23-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 300V 200mA 100nA PNP 250mV @ 20mA, 100mA 100 @ 50mA, 10V 75MHz
DMP2540UCB9-7 Diodes Incorporated DMP2540UCB9-7 -
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 ECAD 5818 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 9-UFBGA, WLBGA DMP2540 MOSFET(금속) U-WLB1515-9 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 25V 4A(타) 1.8V, 4.5V 40m옴 @ 2A, 4.5V 250μA에서 1.1V 6nC @ 4.5V -6V 10V에서 450pF - 1W(타)
ZXM62P03E6TC Diodes Incorporated ZXM62P03E6TC -
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 ECAD 9910 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 MOSFET(금속) SOT-26 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. ZXM62P03E6TCDI EAR99 8541.21.0095 10,000 P채널 30V 1.5A(타) 4.5V, 10V 230m옴 @ 800mA, 4.5V 1V @ 250μA 10.2nC @ 10V ±20V 330pF @ 25V - 625mW(타)
DMN2991UDR4-7R Diodes Incorporated DMN2991UDR4-7R 0.2300
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 ECAD 5 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-XFDFN 옆형 패드 MOSFET(금속) 380mW X2-DFN1010-6(UXC 종류) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 5,000 2 N채널 20V 500mA(타) 990m옴 @ 100mA, 4.5V 1V @ 250μA 280pC @ 4.5V 14.6pF @ 16V 기준
DDTA114YUA-7-F Diodes Incorporated DDTA114YUA-7-F 0.0435
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 ECAD 1870년 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 DDTA114 200mW SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 68 @ 10mA, 5V 250MHz 10kΩ 47kΩ
LBN150B02-7 Diodes Incorporated LBN150B02-7 -
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 ECAD 3767 0.00000000 다이 통합 * 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 LBN150 - 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. LBN150B02-7DI 더 이상 사용하지 않는 경우 0000.00.0000 3,000
ZVN4306AV Diodes Incorporated ZVN4306AV 1.5800
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 ECAD 2213 0.00000000 다이 통합 - 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) ZVN4306 MOSFET(금속) TO-92 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. ZVN4306AV-NDR EAR99 8541.21.0095 4,000 N채널 60V 1.1A(타) 5V, 10V 330m옴 @ 3A, 10V 3V @ 1mA ±20V 25V에서 350pF - 850mW(타)
APT13005SU-G1 Diodes Incorporated APT13005SU-G1 -
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 ECAD 6806 0.00000000 다이 통합 - 대부분 더 이상 사용하지 않는 경우 -65°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-225AA, TO-126-3 APT13005 20W TO-126 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 450V 3.2A - NPN 1V @ 750mA, 3A 8 @ 2A, 5V 4MHz
DMT6005LFG-7 Diodes Incorporated DMT6005LFG-7 0.3746
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 ECAD 5291 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN DMT6005 MOSFET(금속) POWERDI3333-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 60V 18A(Ta), 100A(Tc) 4.5V, 10V 4.1m옴 @ 20A, 10V 2.5V @ 250μA 48.7nC @ 10V ±20V 3150pF @ 30V - 1.98W(Ta), 62.5W(Tc)
DMT64M8LCG-13 Diodes Incorporated DMT64M8LCG-13 0.3973
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 ECAD 4643 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN MOSFET(금속) V-DFN3333-8(B형) 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMT64M8LCG-13TR EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 60V 16.1A(Ta), 77.8A(Tc) 4.5V, 10V 4.8m옴 @ 20A, 10V 2.4V @ 250μA 47.5nC @ 10V ±20V 30V에서 2664pF - 990mW(타)
DMC3016LSD-13 Diodes Incorporated DMC3016LSD-13 0.5500
보상요청
 ECAD 12 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) DMC3016 MOSFET(금속) 1.2W 8-SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N 및 P 채널 30V 8.2A, 6.2A 16m옴 @ 12A, 10V 2.3V @ 250μA 25.1nC @ 10V 1415pF @ 15V 게임 레벨 레벨
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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