SIC
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트랜지스터(6028)

영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
DMP22M2UPS-13 Diodes Incorporated DMP22M2UPS-13 0.9214
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 ECAD 6140 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN DMP22 MOSFET(금속) PowerDI5060-8(K형) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 20V 60A(Tc) 2.5V, 10V 2.5m옴 @ 25A, 10V 250μA에서 1.4V 476nC @ 10V ±12V 12826pF @ 10V - 2.3W(타)
DMC31D5UDJ-7B Diodes Incorporated DMC31D5UDJ-7B 0.4100
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 ECAD 35 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-963 DMC31 MOSFET(금속) 350mW SOT-963 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 N 및 P 채널 30V 220mA, 200mA 1.5옴 @ 100mA, 4.5V 1V @ 250μA 0.38nC @ 4.5V 22.6pF @ 15V 게임 레벨 레벨
DXTN3C100PD-13 Diodes Incorporated DXTN3C100PD-13 0.6300
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 ECAD 5057 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN DXTN3C100 1.47W PowerDI5060-8(UXD 종류) 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 100V 3A 100nA 2 NPN(이중) 330mV @ 300mA, 3A 150 @ 500mA, 10V 130MHz
ZVN3320ASTOA Diodes Incorporated ZVN3320ASTOA 0.5100
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 ECAD 1 0.00000000 다이 통합 * 컷테이프(CT) 더 이상 사용하지 않는 경우 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 2,000
DMN60H080DS-13 Diodes Incorporated DMN60H080DS-13 0.0716
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 ECAD 4079 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN60 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10,000 N채널 600V 80mA(타) 4.5V, 10V 100옴 @ 60mA, 10V 3V @ 250μA 1.7nC @ 10V ±20V 25V에서 25pF - 1.1W(타)
ZTX853QSTZ Diodes Incorporated ZTX853QSTZ 0.5862
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 ECAD 3540 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 박스(TB) 활동적인 -55°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 E-Line-3, 구성부품 1.2W E-라인(TO-92 호환) 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-ZTX853QSTZTB EAR99 8541.29.0075 4,000 100V 4A 50nA NPN 200mV @ 400mA, 4A 100 @ 2A, 2V 130MHz
DMC3061SVTQ-13 Diodes Incorporated DMC3061SVTQ-13 0.1324
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 ECAD 9257 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 DMC3061 MOSFET(금속) 880mW TSOT-26 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMC3061SVTQ-13TR EAR99 8541.29.0095 10,000 N 및 P 채널 보완 30V 3.4A(타), 2.7A(타) 60m옴 @ 3.1A, 10V, 95m옴 @ 2.7A, 10V 250μA에서 1.8V, 250μA에서 2.2V 6.6nC @ 10V, 6.8nC @ 10V 278pF @ 15V, 287pF @ 15V -
DMN65D8LFB-7 Diodes Incorporated DMN65D8LFB-7 0.3200
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 ECAD 17 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-UFDFN DMN65 MOSFET(금속) X1-DFN1006-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 60V 260mA(타) 5V, 10V 3옴 @ 115mA, 10V 2V @ 250μA ±20V 25V에서 25pF - 430mW(타)
DMTH6005LPS-13 Diodes Incorporated DMTH6005LPS-13 1.3900
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 ECAD 1112 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN DMTH6005 MOSFET(금속) 전력DI5060-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 60V 20.6A(Ta), 100A(Tc) 4.5V, 10V 5.5m옴 @ 50A, 10V 3V @ 250μA 47.1nC @ 10V ±20V 30V에서 2962pF - 3.2W(Ta), 150W(Tc)
DCX54-16-13 Diodes Incorporated DCX54-16-13 -
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 ECAD 3767 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA DCX54 1W SOT-89-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,500 45V 1A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 2V 200MHz
DDTC123TE-7 Diodes Incorporated DDTC123TE-7 0.3500
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 ECAD 5 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-523 DDTC123 150mW SOT-523 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN - 사전 바이어스됨 500μA에서 300mV, 5mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 2.2kΩ
DMN33D9LV-13A Diodes Incorporated DMN33D9LV-13A 0.0876
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 ECAD 1719년 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 DMN33 MOSFET(금속) 430mW(타) SOT-563 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMN33D9LV-13ATR EAR99 8541.21.0095 10,000 2 N채널(듀얼) 30V 350mA(타) 2.4옴 @ 250mA, 10V 1.4V @ 100μA 1.23nC @ 10V 48pF @ 5V -
DMP4013LFG-7 Diodes Incorporated DMP4013LFG-7 0.9100
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 ECAD 102 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-PowerVDFN DMP4013 MOSFET(금속) 파워DI3333-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,000 P채널 40V 10.3A(타) 4.5V, 10V 13m옴 @ 10A, 10V 3V @ 250μA 68.6nC @ 10V ±20V 3426pF @ 20V - 1W(타)
DXT2010P5-13 Diodes Incorporated DXT2010P5-13 0.6000
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 ECAD 5634 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 파워DI™ 5 DXT2010 3.2W 파워DI™ 5 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 5,000 60V 6A 20nA(ICBO) NPN 260mV @ 300mA, 6A 100 @ 2A, 1V 130MHz
DMT31M7LPS-13 Diodes Incorporated DMT31M7LPS-13 0.5165
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 ECAD 7423 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8파워TDFN DMT31 MOSFET(금속) 전력DI5060-8 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 30V 30A(Ta), 100A(Tc) 4.5V, 10V 1.7m옴 @ 20A, 10V 3V @ 250μA 90nC @ 10V ±20V 5741pF @ 15V - 1.3W(Ta), 113W(Tc)
DCX114EU-13R-F Diodes Incorporated DCX114EU-13R-F 0.0291
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 ECAD 4033 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DCX114 200mW SOT-363 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. DCX114EU-13R-FDI EAR99 8541.21.0075 10,000 50V 100mA 500nA(ICBO) NPN 1개, PNP 1개 - 사전 바이어스됨(이중) 500μA, 10mA에서 300mV 100 @ 1mA, 5V 250MHz 10kΩ 10kΩ
ZXTP19060CFFTA Diodes Incorporated ZXTP19060CFFTA 0.6900
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 ECAD 7580 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-3 플랫 리드 ZXTP19060 1.5W SOT-23F 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 3,000 60V 4A 50nA(ICBO) PNP 270mV @ 400mA, 4A 200 @ 100mA, 2V 180MHz
2DC4617QLP-7 Diodes Incorporated 2DC4617QLP-7 0.2100
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 ECAD 5 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-UFDFN 2DC4617 250mW X1-DFN1006-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 100nA(ICBO) NPN 200mV @ 5mA, 50mA 120@1mA, 6V 100MHz
ZXMN2B01FTA Diodes Incorporated ZXMN2B01FTA 0.4600
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 ECAD 69 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMN2 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 20V 2.1A(타) 1.8V, 4.5V 100m옴 @ 2.4A, 4.5V 1V @ 250μA 4.8nC @ 4.5V ±8V 10V에서 370pF - 625mW(타)
DMP3013SFK-7 Diodes Incorporated DMP3013SFK-7 0.2393
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 ECAD 8872 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 - - - DMP3013 - - - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 - 10.5A(타) - - - - - -
DMT69M5LFVWQ-7 Diodes Incorporated DMT69M5LFVWQ-7 0.3567
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 ECAD 7986 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장, 일부 8-PowerVDFN MOSFET(금속) PowerDI3333-8(SWP) 내부 UX 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMT69M5LFVWQ-7TR EAR99 8541.29.0095 2,000 N채널 60V 14.8A(Ta), 40.6A(Tc) 4.5V, 10V 8.3m옴 @ 13.5A, 10V 2.5V @ 250μA 28.4nC @ 10V ±20V 30V에서 1406pF - 2.74W(Ta), 20.5W(Tc)
DMT35M4LFDF-13 Diodes Incorporated DMT35M4LFDF-13 0.1493
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 ECAD 8745 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UDFN 옆패드 DMT35M4LF MOSFET(금속) U-DFN2020-6(F형) 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMT35M4LFDF-13TR EAR99 8541.29.0095 10,000 N채널 30V 13A(티씨) 4.5V, 10V 6m옴 @ 20A, 10V 2.5V @ 250μA 14.9nC @ 10V ±20V 1009pF @ 15V - 860mW(타)
DMP2100UFU-7 Diodes Incorporated DMP2100UFU-7 0.1736
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 ECAD 8343 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-UFDFN 옆형 패드 DMP2100 MOSFET(금속) 900mW U-DFN2030-6(유형B) 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 P채널(이중) 시작 20V 5.7A 38m옴 @ 3.5A, 10V 250μA에서 1.4V 21.4nC @ 10V 906pF @ 10V -
ZXTN617MATA Diodes Incorporated ZXTN617MATA 0.5300
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 ECAD 1 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 3-UDFN ZXTN617 1.5W DFN2020B-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 3,000 15V 4.5A 25nA NPN 280mV @ 50mA, 4.5A 200 @ 3A, 2V 120MHz
ZXMN2A03E6TC Diodes Incorporated ZXMN2A03E6TC -
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 ECAD 8417 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 MOSFET(금속) SOT-23-6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 10,000 N채널 20V 3.7A(타) 2.5V, 4.5V 55m옴 @ 7.2A, 4.5V 250μA에서 700mV(최소) 8.2nC @ 4.5V ±12V 837pF @ 10V - 1.1W(타)
DMP1012UCB9-7 Diodes Incorporated DMP1012UCB9-7 0.3015
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 ECAD 5346 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 9-UFBGA, WLBGA DMP1012 MOSFET(금속) U-WLB1515-9 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 8V 10A(타) 2.5V, 4.5V 10m옴 @ 2A, 4.5V 250μA에서 1.1V 10.5nC @ 4.5V -6V 4V에서 1060pF - 890mW(타)
DMG3402L-7 Diodes Incorporated DMG3402L-7 0.4200
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 ECAD 1 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG3402 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 N채널 30V 4A(타) 2.5V, 10V 52m옴 @ 4A, 10V 250μA에서 1.4V 11.7nC @ 10V ±12V 15V에서 464pF - 1.4W(타)
DMG6602SVTQ-7-52 Diodes Incorporated DMG6602SVTQ-7-52 0.1026
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 ECAD 7015 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-23-6 플라이, TSOT-23-6 DMG6602 MOSFET(금속) 840mW(타) TSOT-26 다운로드 31-DMG6602SVTQ-7-52 EAR99 8541.29.0095 3,000 N 및 P 채널 보완 30V 3.4A(타), 2.8A(타) 60m옴 @ 3.1A, 10V, 95m옴 @ 2.7A, 10V 2.3V @ 250μA 13nC @ 10V, 9nC @ 10V 400pF @ 15V, 420pF @ 15V 기준
ZXMN10A07FTA Diodes Incorporated ZXMN10A07FTA 0.4400
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 ECAD 2 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMN10 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 N채널 100V 700mA(타) 6V, 10V 700m옴 @ 1.5A, 10V 4V @ 250μA 2.9nC @ 10V ±20V 50V에서 138pF - 625mW(타)
ZXM61N02FTC Diodes Incorporated ZXM61N02FTC 0.1701
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 ECAD 8043 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXM61N02 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 20V 1.7A(타) 2.7V, 4.5V 180m옴 @ 930mA, 4.5V 250μA에서 700mV(최소) 3.4nC @ 4.5V ±12V 15V에서 160pF - 625mW(타)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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