RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

트랜지스터 (6028)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
DMT43M8LFV-13	0.3557	RFQ	1507	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMT43	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8 (유형 UX)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	40 v	87A (TC)	4.5V, 10V	4MOHM @ 20A, 10V	2.5V @ 250µA	44.4 NC @ 10 v	± 20V	3213 pf @ 20 v	-	2.25W (TA)
ZXMN6A25GTA	1.0400	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	ZXMN6	MOSFET (금속 (()		SOT-223-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	1,000		n 채널	60 v	4.8A (TA)	4.5V, 10V	50mohm @ 3.6a, 10V	1V @ 250µA (Min)	20.4 NC @ 10 v	± 20V	1063 pf @ 30 v	-	2W (TA)
DMN25D0UFA-7B	0.3500	RFQ	6	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-xfdfn	DMN25	MOSFET (금속 (()		X2-DFN0806-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000		n 채널	25 v	240MA (TA)	2.7V, 4.5V	4ohm @ 400ma, 4.5v	1.2V @ 250µA	0.36 nc @ 4.5 v	8V	27.9 pf @ 10 v	-	280MW (TA)
DMT69M8LPS-13	-	RFQ	1522	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn		MOSFET (금속 (()		PowerDI5060-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	60 v	10.2A (TA), 70A (TC)	4.5V, 10V	12MOHM @ 13.5A, 10V	2V @ 250µA	33.5 nc @ 10 v	± 16V	1925 pf @ 30 v	-	2.3W (TA), 113W (TC)
DMG3414UQ-7	0.4300	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMG3414	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	20 v	4.2A (TA)	1.8V, 4.5V	25mohm @ 8.2a, 4.5v	900MV @ 250µA	9.6 NC @ 4.5 v	± 8V	829.9 pf @ 10 v	-	780MW
DMN3013LDG-13	0.3080	RFQ	8285	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powerldfn	DMN3013	MOSFET (금속 (()	2.16W (TA)	PowerDI3333-8 (유형 D)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		30V	9.5A (TA), 15A (TC)		14.3mohm @ 4a, 8v	1.2V @ 250µA	5.7nc @ 4.5v		600pf @ 15V	-
DMT4008LFV-7	0.3045	RFQ	4413	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMT4008	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8 (유형 UX)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널	40 v	12.1A (TA), 54.8A (TC)	4.5V, 10V	7.9mohm @ 12a, 10V	3V @ 250µA	17.1 NC @ 10 v	± 20V	1179 pf @ 20 v	-	1.9W (TA), 35.7W (TC)
DMN31D5L-13	0.0474	RFQ	9497	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN31	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000		n 채널	30 v	500MA (TA)	2.5V, 4V	1.5ohm @ 10ma, 4v	1.6V @ 250µA	1.2 NC @ 10 v	± 20V	50 pf @ 15 v	-	350MW (TA)
DMP2003UPS-13	1.2800	RFQ	15	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMP2003	MOSFET (금속 (()		PowerDI5060-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	20 v	150A (TC)	2.5V, 10V	2.2MOHM @ 25A, 10V	1.4V @ 250µA	177 NC @ 10 v	± 12V	8352 pf @ 10 v	-	1.4W
DMG3413L-7	-	RFQ	3073	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMG3413	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	3A (TA)	1.8V, 4.5V	95mohm @ 3a, 4.5v	1.3V @ 250µA	9 NC @ 4.5 v	± 8V	857 pf @ 10 v	-	700MW (TA)
ZTX857STZ	1.2000	RFQ	675	다이오드가 다이오드가	-	컷 컷 (CT)	활동적인	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e-line-3,-된 리드	ZTX857		1.2 w	e- 라인 (TO-92 호환)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0075	2,000													300 v	3 a	1µA (ICBO)	NPN	250mv @ 600ma, 3a	100 @ 500ma, 10V	80MHz
BC847C-7-F	0.1700	RFQ	18	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC847		300MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													45 v	100 MA	15NA	NPN	600mv @ 5ma, 100ma	420 @ 2MA, 5V	300MHz
DMTH6005LCT	1.0438	RFQ	7103	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	DMTH6005	MOSFET (금속 (()		TO-220-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	60 v	100A (TC)	4.5V, 10V	6MOHM @ 20A, 10V	3V @ 250µA	47.1 NC @ 10 v	± 20V	2962 pf @ 30 v	-	2.8W (TA), 125W (TC)
DXT2014P5-13	0.6400	RFQ	5	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	PowerDI ™ 5	DXT2014		3.2 w	PowerDI ™ 5	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	5,000													140 v	4 a	20NA (ICBO)	PNP	360mv @ 300ma, 3a	100 @ 1a, 5V	120MHz
DDC122TU-7-F	-	RFQ	5317	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DDC122		200MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													50V	100ma	-	2 npn--바이어스 (듀얼)	300MV @ 250µA, 5MA	100 @ 1ma, 5V	200MHz	220ohms	-
ZVN4306AVSTZ	-	RFQ	2303	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e-line-3		MOSFET (금속 (()		e- 라인 (TO-92 호환)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.21.0095	2,000		n 채널	60 v	1.1A (TA)	5V, 10V	3A 3A, 10V 330mohm	3V @ 1mA		± 20V	350 pf @ 25 v	-	850MW (TA)
FZT757TA	0.8300	RFQ	40	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	FZT757		2 w	SOT-223-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0075	1,000													300 v	500 MA	100NA (ICBO)	PNP	500mv @ 10ma, 100ma	50 @ 100MA, 5V	30MHz
DMNH4026SSDQ-13	0.3286	RFQ	6974	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMNH4026	MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)			7.5A (TA)		24mohm @ 6a, 10V	3V @ 250µA	8.8nc @ 4.5v		1060pf @ 20V	-
zxt13n50de6ta	0.6800	RFQ	196 년	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6	ZXT13N50		1.1 w	SOT-26	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	3,000													50 v	4 a	100NA	NPN	180mv @ 400ma, 4a	300 @ 1a, 2v	115MHz
ADTA113ZCAQ-13	-	RFQ	3234	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	adta113		310 MW	SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-ADTA113ZCAQ-13TR	쓸모없는		10,000													50 v	100 MA	-	pnp- 사전-	-	33 @ 10ma, 5V	250MHz	1 KOHMS	10 KOHMS
DNLS320E-13	0.5500	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	DNLS320		1 W.	SOT-223-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,500													20 v	3 a	100NA (ICBO)	NPN	450MV @ 20MA, 3A	400 @ 2A, 2V	150MHz
DMG1012UWQ-7	0.3800	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DMG1012	MOSFET (금속 (()		SOT-363	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	20 v	950MA (TA)	1.8V, 4.5V	450mohm @ 600ma, 4.5v	1V @ 250µA	1 NC @ 4.5 v	± 6V	43 pf @ 16 v	-	460MW
MMDT4413-7	0.4400	RFQ	1	다이오드가 다이오드가	*	컷 컷 (CT)	활동적인				MMDT4413				다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	1034-MMDT4413-7DKR	귀 99	8541.21.0075	3,000
ZTX953STOA	-	RFQ	6083	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e-line-3,-된 리드	ZTX953		1.2 w	e- 라인 (TO-92 호환)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,000													100 v	3.5 a	50NA (ICBO)	PNP	330mv @ 400ma, 4a	100 @ 1a, 1v	125MHz
ADA114EUQ-7	0.0654	RFQ	1099	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	ADA114		270MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													50V	100ma	-	2 pnp--바이어스 (듀얼)	-	-	250MHz	10kohms	10kohms
zxmp3f36n8ta	-	RFQ	5464	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	zxmp3f36n8tadi	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	30 v	7.2A (TA)	4.5V, 10V	20mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	43.9 nc @ 15 v	± 20V	2265 pf @ 15 v	-	1.56W (TA)
FZT653TA	0.6800	RFQ	238	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	FZT653		2 w	SOT-223-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0075	1,000													100 v	2 a	100NA (ICBO)	NPN	500mv @ 200ma, 2a	100 @ 500ma, 2v	175MHz
DMN3016LFDF-7	0.4600	RFQ	30	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	DMN3016	MOSFET (금속 (()		u-dfn2020-6 (f 형)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	12A (TA)	4.5V, 10V	12mohm @ 11a, 10V	2V @ 250µA	25.1 NC @ 10 v	± 20V	1415 pf @ 15 v	-	2.02W (TA)
DMP2170U-7	0.3800	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMP2170	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	3.1A (TA)	2.5V, 4.5V	90mohm @ 3.5a, 4.5v	1.25V @ 250µA	7.8 NC @ 10 v	± 12V	303 pf @ 10 v	-	780MW (TA)
BC817-25-7	-	RFQ	3355	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC817		310 MW	SOT-23-3	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													45 v	500 MA	100NA	NPN	700mv @ 50ma, 500ma	160 @ 100MA, 1V	100MHz

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (6028)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²