SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
BSS138K-13 Diodes Incorporated BSS138K-13 0.3100
RFQ
ECAD 278 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 50 v 310MA (TA) 10V 3.5ohm @ 220ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.95 nc @ 10 v ± 20V 23.2 pf @ 25 v - 380MW (TA)
DMC3035LSD-13 Diodes Incorporated DMC3035LSD-13 -
RFQ
ECAD 3488 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMC3035 MOSFET (금속 (() 2W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 6.9a, 5a 35mohm @ 6.9a, 10V 2.1V @ 250µA 8.6NC @ 10V 384pf @ 15V 논리 논리 게이트
DMP3012LPS-13 Diodes Incorporated DMP3012LPS-13 0.3497
RFQ
ECAD 4143 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMP3012 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 13.2A (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 10a, 10V 2.1V @ 250µA 139 NC @ 10 v ± 20V 6807 pf @ 15 v - 1.29W (TA)
DMC25D1UVT-13 Diodes Incorporated DMC25D1UVT-13 0.1276
RFQ
ECAD 5757 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMC25 MOSFET (금속 (() 1.3W TSOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMC25D1UVT-13DI 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 및 p 채널 25V, 12V 500ma, 3.9a 4ohm @ 400ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 0.9NC @ 10V 27.6pf @ 10V -
DMP3020LSS-13 Diodes Incorporated DMP3020LSS-13 0.7500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMP3020 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 12A (TA) 4.5V, 10V 14mohm @ 8a, 10V 2V @ 250µA 30.7 NC @ 10 v ± 25V 1802 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
DMN2046U-13 Diodes Incorporated DMN2046U-13 0.0555
RFQ
ECAD 6807 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2046 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN2046U-13DI 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 3.4A (TA) 2.5V, 4.5V 72mohm @ 3.6a, 4.5v 1.4V @ 250µA 3.8 NC @ 4.5 v ± 12V 292 pf @ 10 v - 760MW (TA)
DMN2990UFA-7B Diodes Incorporated DMN2990UFA-7B 0.5100
RFQ
ECAD 49 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMN2990 MOSFET (금속 (() X2-DFN0806-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 510MA (TA) 1.2V, 4.5V 990mohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.5 nc @ 4.5 v ± 8V 27.6 pf @ 16 v - 400MW (TA)
ZVN4210ASTOB Diodes Incorporated zvn4210astob -
RFQ
ECAD 2004 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 100 v 450MA (TA) 5V, 10V 1.5ohm @ 1.5a, 10V 2.4V @ 1mA ± 20V 100 pf @ 25 v - 700MW (TA)
DMP6023LFGQ-13 Diodes Incorporated DMP6023LFGQ-13 0.7800
RFQ
ECAD 642 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP6023 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 7.7A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 53.1 NC @ 10 v ± 20V 2569 pf @ 30 v - 1W (TA)
DDC122TH-7 Diodes Incorporated DDC122-7 -
RFQ
ECAD 2589 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DDC122 150MW SOT-563 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma - 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 200MHz 220ohms -
DMS3014SFGQ-13 Diodes Incorporated DMS3014SFGQ-13 0.2571
RFQ
ECAD 5848 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMS3014 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9.5A (TA) 4.5V, 10V 14.5mohm @ 10.4a, 10V 2.2V @ 250µA 19.3 NC @ 10 v ± 12V 4310 pf @ 15 v - 1W (TA)
DMP2036UVT-13 Diodes Incorporated DMP2036UVT-13 0.1069
RFQ
ECAD 2554 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - - DMP2036 - - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 - 6A (TA) - - - - - -
ZXMP7A17KTC Diodes Incorporated ZXMP7A17KTC 0.9100
RFQ
ECAD 36 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ZXMP7A17 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 70 v 3.8A (TA) 4.5V, 10V 160mohm @ 2.1a, 10V 1V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 635 pf @ 40 v - 2.11W (TA)
ZVN4206GTC Diodes Incorporated ZVN4206GTC 0.9400
RFQ
ECAD 5841 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ZVN4206 MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 60 v 1A (TA) 5V, 10V 1ohm @ 1.5a, 10V 3V @ 1mA ± 20V 100 pf @ 25 v - 2W (TA)
ZVNL110ASTOB Diodes Incorporated zvnl110astob -
RFQ
ECAD 1298 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 100 v 320MA (TA) 5V, 10V 3ohm @ 500ma, 10V 1.5V @ 1mA ± 20V 75 pf @ 25 v - 700MW (TA)
DDTA123EKA-7-F Diodes Incorporated DDTA123EKA-7-F -
RFQ
ECAD 2305 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA123 200 MW SC-59-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 20ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 2.2 Kohms
DMP2215L-7 Diodes Incorporated DMP2215L-7 0.3700
RFQ
ECAD 165 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2215 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 2.7A (TA) 2.5V, 4.5V 100mohm @ 2.7a, 4.5v 1.25V @ 250µA 5.3 NC @ 4.5 v ± 12V 250 pf @ 10 v - 1.08W (TA)
BC56-16PA-7 Diodes Incorporated BC56-16PA-7 0.3600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn n 패드 BC56 520 MW U-DFN2020-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 125MHz
DMP10H400SK3-13 Diodes Incorporated DMP10H400SK3-13 0.6400
RFQ
ECAD 97 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMP10 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 9A (TC) 4.5V, 10V 240mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 17.5 nc @ 10 v ± 20V 1239 pf @ 25 v - 42W (TC)
DMP58D0SV-7 Diodes Incorporated DMP58D0SV-7 -
RFQ
ECAD 3575 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMP58 MOSFET (금속 (() 400MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 50V 160ma 8ohm @ 100ma, 5V 2.1V @ 250µA - 27pf @ 25V 논리 논리 게이트
BSS138DWQ-7 Diodes Incorporated BSS138DWQ-7 0.4200
RFQ
ECAD 85 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BSS138 MOSFET (금속 (() 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 50V 200ma 3.5ohm @ 220ma, 10V 1.5V @ 250µA - 50pf @ 10V -
DMN3027LFG-13 Diodes Incorporated DMN3027LFG-13 0.2588
RFQ
ECAD 3943 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN3027 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN3027LFG-13DI 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 5.3A (TA) 4.5V, 10V 18.6MOHM @ 10A, 10V 1.8V @ 250µA 11.3 NC @ 10 v ± 25V 580 pf @ 15 v - 1W (TA)
DMN39M1LK3-13 Diodes Incorporated DMN39M1LK3-13 0.6300
RFQ
ECAD 2061 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMN39 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 31-DMN39M1LK3-13 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 17.9A (TA), 89.3A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 38.6 NC @ 10 v ± 20V 2253 pf @ 15 v - 1.4W (TA), 65.7W (TC)
DMP4047SSD-13 Diodes Incorporated DMP4047SSD-13 0.6900
RFQ
ECAD 51 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMP4047 MOSFET (금속 (() 1.3W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 40V 5.1A 45mohm @ 4.4a, 10V 3V @ 250µA 21.5NC @ 10V 1154pf @ 20V 논리 논리 게이트
DMMT2907A-7 Diodes Incorporated DMMT2907A-7 0.1238
RFQ
ECAD 1525 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 DMMT2907 900MW SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60V 600ma 10NA (ICBO) 2 PNP (() 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 307MHz
DMN2056U-7 Diodes Incorporated DMN2056U-7 0.3900
RFQ
ECAD 111 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2056 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 4A (TA) 1.5V, 4.5V 38mohm @ 3.6a, 4.5v 1V @ 250µA 4.3 NC @ 4.5 v ± 8V 339 pf @ 10 v - 940MW
ZXMP10A16KTC Diodes Incorporated ZXMP10A16KTC 0.9400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ZXMP10 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 100 v 3A (TA) 6V, 10V 235mohm @ 2.1a, 10V 4V @ 250µA 16.5 nc @ 10 v ± 20V 717 pf @ 50 v - 2.15W (TA)
ZXMP6A18DN8TA Diodes Incorporated zxmp6a18dn8ta 1.5600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ZXMP6A18 MOSFET (금속 (() 1.8W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 2 p 채널 (채널) 60V 3.7a 55mohm @ 3.5a, 10V 1V @ 250µA (Min) 44NC @ 10V 1580pf @ 30V 논리 논리 게이트
DMC1017UPD-13 Diodes Incorporated DMC1017UPD-13 -
RFQ
ECAD 4146 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMC1017 MOSFET (금속 (() 2.3W PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 보완 p 채널 및 12V 13A (TA), 9.4A (TA) 17mohm @ 11.8a, 4.5v, 32mohm @ 8.9a, 4.5v 1.5V @ 250µA 18.6nc @ 4.5v, 23.7nc @ 4.5v 1787pf @ 6v, 2100pf @ 6v -
ZXMP10A13FQTA Diodes Incorporated ZXMP10A13FQTA 0.7600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMP10 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 100 v 600MA (TA) 6V, 10V 1ohm @ 600ma, 10V 4V @ 250µA 1.8 nc @ 5 v ± 20V 141 pf @ 50 v - 625MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고