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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 역 역 시간 (TRR) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
ZVN4306ASTOA Diodes Incorporated zvn4306astoa -
RFQ
ECAD 2935 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 60 v 1.1A (TA) 5V, 10V 3A 3A, 10V 330mohm 3V @ 1mA ± 20V 350 pf @ 25 v - 850MW (TA)
ZVN3310ASTZ Diodes Incorporated zvn3310astz 0.7700
RFQ
ECAD 7520 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZVN3310 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 100 v 200MA (TA) 10V 10ohm @ 500ma, 10V 2.4V @ 1mA ± 20V 40 pf @ 25 v - 625MW (TA)
ADTC144VCAQ-13 Diodes Incorporated ADTC144VCAQ-13 0.3400
RFQ
ECAD 10 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ADTC144 310 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 10 KOHMS
DMC2700UDM-7 Diodes Incorporated DMC2700UDM-7 0.4000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 DMC2700 MOSFET (금속 (() 1.12W SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 및 p 채널 20V 1.34a, 1.14a 400mohm @ 600ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.74NC @ 4.5V 60.67pf @ 16v 논리 논리 게이트
ZVN4210ASTZ Diodes Incorporated zvn4210astz 0.3197
RFQ
ECAD 7542 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZVN4210 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q1603162A 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 100 v 450MA (TA) 5V, 10V 1.5ohm @ 1.5a, 10V 2.4V @ 1mA ± 20V 100 pf @ 25 v - 700MW (TA)
ZXMN2A02X8TA Diodes Incorporated zxmn2a02x8ta -
RFQ
ECAD 1449 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-MSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 20 v 6.2A (TA) 2.5V, 4.5V 20mohm @ 11a, 4.5v 700mv @ 250µa (최소) 18.6 NC @ 4.5 v ± 20V 1900 pf @ 10 v - 1.1W (TA)
DDTA144EKA-7-F Diodes Incorporated DDTA144EKA-7-F -
RFQ
ECAD 8434 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA144 200 MW SC-59-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 47 Kohms 47 Kohms
DMG3402L-7 Diodes Incorporated DMG3402L-7 0.4200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG3402 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 4A (TA) 2.5V, 10V 52mohm @ 4a, 10V 1.4V @ 250µA 11.7 NC @ 10 v ± 12V 464 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
DMN66D0LW-7 Diodes Incorporated DMN66D0LW-7 0.4100
RFQ
ECAD 5503 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMN66 MOSFET (금속 (() SOT-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 115MA (TA) 5V, 10V 6ohm @ 115ma, 5V 2V @ 250µA ± 20V 23 pf @ 25 v - 200MW (TA)
DMP2039UFDE4-7 Diodes Incorporated DMP2039UFDE4-7 0.5700
RFQ
ECAD 5893 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerxdfn DMP2039 MOSFET (금속 (() X2-DFN2020-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 25 v 7.3A (TA) 1.8V, 4.5V 26mohm @ 6.4a, 4.5v 1V @ 250µA 28.2 NC @ 4.5 v ± 8V 2530 pf @ 15 v - 690MW (TA)
DMN3061SVT-13 Diodes Incorporated DMN3061SVT-13 0.1185
RFQ
ECAD 6668 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMN3061 MOSFET (금속 (() 880MW TSOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-DMN3061SVT-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 30V 3.4A (TA) 60mohm @ 3.1a, 10V 1.8V @ 250µA 6.6NC @ 10V 278pf @ 15V -
DDA114EU-7-F Diodes Incorporated DDA114EU-7-F 0.4100
RFQ
ECAD 8 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDA114 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
DN0150BLP4-7B Diodes Incorporated DN0150BLP4-7B -
RFQ
ECAD 3257 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DN0150 450 MW X2-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 10ma, 100ma 200 @ 2ma, 6v 60MHz
DDTA114WE-7-F Diodes Incorporated DDTA114WE-7-F 0.3500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 DDTA114 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 250µA, 5MA 24 @ 10MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 4.7 Kohms
DDTC113TE-7-F Diodes Incorporated DDTC113TE-7-F 0.2800
RFQ
ECAD 1538 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 DDTC113 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300mv @ 1ma, 10ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 1 KOHMS
MJD340-13 Diodes Incorporated MJD340-13 0.2093
RFQ
ECAD 5002 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MJD340 15 w TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 300 v 500 MA 100µA (ICBO) NPN - 30 @ 50MA, 10V -
DXTN22040DFG-7 Diodes Incorporated DXTN22040DFG-7 0.6400
RFQ
ECAD 2085 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn 1.1 w PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 40 v 2 a 50NA NPN 600mv @ 300ma, 3a 300 @ 500ma, 2V 198MHz
ZVP1320FTA-52 Diodes Incorporated ZVP1320FTA-52 0.2252
RFQ
ECAD 8371 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 31-ZVP1320FTA-52 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 200 v 35MA (TA) 10V 80ohm @ 50ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 350MW (TA)
2N7002KQ-13 Diodes Incorporated 2N7002KQ-13 0.3100
RFQ
ECAD 6052 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 310MA (TA) 5V, 10V 2ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 1mA 0.3 nc @ 4.5 v ± 20V 50 pf @ 25 v - 370MW (TA)
MMST5401-7-F Diodes Incorporated MMST5401-7-F 0.3300
RFQ
ECAD 21 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMST5401 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 150 v 200 MA 50NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 300MHz
FMMT415TD Diodes Incorporated FMMT415TD 8.5200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT415 330 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 500 100 v 500 MA 100NA (ICBO) npn-눈사태- 500mv @ 1ma, 10ma 25 @ 10MA, 10V 40MHz
DMP210DUFB4-7B Diodes Incorporated DMP210DUFB4-7B -
RFQ
ECAD 7897 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMP210 MOSFET (금속 (() X2-DFN1006-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMP210DUFB4-7BDI 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 200MA (TA) 1.2V, 4.5V 5ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA ± 10V 175 pf @ 15 v - 350MW (TA)
DGTD120T40S1PT Diodes Incorporated DGTD120T40S1PT -
RFQ
ECAD 6715 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 DGTD120 기준 357 w TO-247 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 450 600V, 40A, 10ohm, 15V 100 ns 현장 현장 1200 v 80 a 160 a 2.4V @ 15V, 40A 1.96mj (on), 540µJ (OFF) 341 NC 65NS/308NS
MMST5401Q-7-F Diodes Incorporated MMST5401Q-7-F 0.3300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMST5401 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 150 v 200 MA 50NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 300MHz
DMT10H009LCG-7 Diodes Incorporated DMT10H009LCG-7 1.1700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT10 MOSFET (금속 (() V-DFN3333-8 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 100 v 12.4A (TA), 47A (TC) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 20.2 NC @ 4.5 v ± 20V 2309 pf @ 50 v - 1W (TA)
DMTH8008LPS-13 Diodes Incorporated DMTH8008LPS-13 0.3849
RFQ
ECAD 8348 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH8008 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 DMTH8008LPS-13DI 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 80 v 91A (TC) 4.5V, 10V 7.8mohm @ 14a, 10V 2.8V @ 1MA 41.2 NC @ 10 v ± 20V 2345 pf @ 40 v - 1.5W (TA), 100W (TC)
DMC67D8UFDBQ-13 Diodes Incorporated DMC67D8UFDBQ-13 0.1124
RFQ
ECAD 2985 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMC67 MOSFET (금속 (() 580MW (TA) u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMC67D8UFDBQ-13DI 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 보완 p 채널 및 60V, 20V 390ma (TA), 2.9A (TA) 4ohm @ 500ma, 10v, 72mohm @ 3.5a, 4.5v 2.5V @ 250µA, 1.25V @ 250µA 0.4pc @ 4.5v, 7.3nc @ 4.5v 41pf @ 25v, 443pf @ 16v -
DMG1023UVQ-7 Diodes Incorporated DMG1023UVQ-7 0.4200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMG1023 MOSFET (금속 (() 530MW (TA) SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 20V 1.03A (TA) 750mohm @ 430ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.622NC @ 4.5V 59pf @ 16v -
DMN16M0UCA6-7 Diodes Incorporated DMN16M0UCA6-7 0.2362
RFQ
ECAD 6852 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 없음 DMN16 MOSFET (금속 (() 900MW X4-DSN2112-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN16M0UCA6-7DI 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 12V 17A (TA) 5.9mohm @ 5a, 4.5v 1.3v @ 1ma 24NC @ 4.5V - -
DMN3012LEG-13 Diodes Incorporated DMN3012LEG-13 0.6416
RFQ
ECAD 1736 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerldfn DMN3012 MOSFET (금속 (() 2.2W (TC) PowerDI3333-8 (유형 D) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 DMN3012LEG-13DI 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 10A (TA), 20A (TC) 12MOHM @ 15A, 5V, 6MOHM @ 15A, 5V 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA 6.1nc @ 4.5v, 12.6nc @ 4.5v 850pf @ 15v, 1480pf @ 15v -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고