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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | zvn4306astoa | - | ![]() | 2935 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e-line-3 | MOSFET (금속 (() | e- 라인 (TO-92 호환) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 60 v | 1.1A (TA) | 5V, 10V | 3A 3A, 10V 330mohm | 3V @ 1mA | ± 20V | 350 pf @ 25 v | - | 850MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||
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zxmn2a02x8ta | - | ![]() | 1449 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-MSOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 20 v | 6.2A (TA) | 2.5V, 4.5V | 20mohm @ 11a, 4.5v | 700mv @ 250µa (최소) | 18.6 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1900 pf @ 10 v | - | 1.1W (TA) | ||||||||||||||||||||||||
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![]() | DXTN22040DFG-7 | 0.6400 | ![]() | 2085 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powervdfn | 1.1 w | PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 40 v | 2 a | 50NA | NPN | 600mv @ 300ma, 3a | 300 @ 500ma, 2V | 198MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | DMC67D8UFDBQ-13 | 0.1124 | ![]() | 2985 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | DMC67 | MOSFET (금속 (() | 580MW (TA) | u-dfn2020-6 (유형 b) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | DMC67D8UFDBQ-13DI | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n 보완 p 채널 및 | 60V, 20V | 390ma (TA), 2.9A (TA) | 4ohm @ 500ma, 10v, 72mohm @ 3.5a, 4.5v | 2.5V @ 250µA, 1.25V @ 250µA | 0.4pc @ 4.5v, 7.3nc @ 4.5v | 41pf @ 25v, 443pf @ 16v | - | |||||||||||||||||||||||
DMG1023UVQ-7 | 0.4200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | DMG1023 | MOSFET (금속 (() | 530MW (TA) | SOT-563 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 p 채널 (채널) | 20V | 1.03A (TA) | 750mohm @ 430ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 0.622NC @ 4.5V | 59pf @ 16v | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DMN16M0UCA6-7 | 0.2362 | ![]() | 6852 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | DMN16 | MOSFET (금속 (() | 900MW | X4-DSN2112-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | DMN16M0UCA6-7DI | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 | 12V | 17A (TA) | 5.9mohm @ 5a, 4.5v | 1.3v @ 1ma | 24NC @ 4.5V | - | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | DMN3012LEG-13 | 0.6416 | ![]() | 1736 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerldfn | DMN3012 | MOSFET (금속 (() | 2.2W (TC) | PowerDI3333-8 (유형 D) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | DMN3012LEG-13DI | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2 n 채널 (채널) | 30V | 10A (TA), 20A (TC) | 12MOHM @ 15A, 5V, 6MOHM @ 15A, 5V | 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA | 6.1nc @ 4.5v, 12.6nc @ 4.5v | 850pf @ 15v, 1480pf @ 15v | - |
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