SIC
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트랜지스터 (6028)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DSS2515M-7B Diodes Incorporated DSS2515M-7B 0.4600
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn DSS2515 250 MW X1-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 15 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 50ma, 500ma 150 @ 100MA, 2V 250MHz
ZTX958STOA Diodes Incorporated ZTX958STOA -
RFQ
 ECAD 3521 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX958 1.2 w e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 400 v 500 MA 50NA (ICBO) PNP 400mv @ 100ma, 500ma 100 @ 500ma, 10V 85MHz
DDTC115GCA-7-F Diodes Incorporated DDTC115GCA-7-F 0.0386
RFQ
 ECAD 8044 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC115 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 82 @ 5MA, 5V 250MHz 100 KOHMS
FZT953QTA Diodes Incorporated FZT953QTA 0.4692
RFQ
 ECAD 7347 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.6 w SOT-223-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-FZT953QTART 귀 99 8541.29.0075 1,000 100 v 5 a 50NA PNP 420mv @ 400ma, 4a 100 @ 1a, 1v 125MHz
BCX17TA Diodes Incorporated BCX17TA -
RFQ
 ECAD 7370 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX17 330 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 620mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1V 100MHz
DMN601VK-7 Diodes Incorporated DMN601VK-7 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMN601 MOSFET (금속 (() 250MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 305MA 2ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA - 50pf @ 25V 논리 논리 게이트
2DB1132R-13 Diodes Incorporated 2DB1132R-13 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2DB1132 1 W. SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 32 v 1 a 500NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 180 @ 100MA, 3V 190mhz
ZTX753STOB Diodes Incorporated ZTX753STOB -
RFQ
 ECAD 7758 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX753 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 100 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 200ma, 2a - 140MHz
DMT6011LPDW-13 Diodes Incorporated DMT6011LPDW-13 0.3608
RFQ
 ECAD 3726 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT6011 MOSFET (금속 (() 2.5W (TA), 37.9W (TC) PowerDi5060-8 (유형 UXD) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMT6011LPDW-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 10.3A (TA), 40A (TC) 14mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 22.2NC @ 10V 1072pf @ 30v -
DMC2990UDJQ-7-52 Diodes Incorporated DMC2990UDJQ-7-52 0.0839
RFQ
 ECAD 4654 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-963 DMC2990 MOSFET (금속 (() 350MW (TA) SOT-963 다운로드 31-DMC2990UDJQ-7-52 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 보완 p 채널 및 20V 450MA (TA), 310MA (TA) 990mohm @ 100ma, 4.5v, 1.9ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.5NC @ 4.5V, 0.4NC @ 4.5V 27.6pf @ 15V, 28.7pf @ 15V 기준
DMP2069UFY4Q-7 Diodes Incorporated DMP2069UFY4Q-7 0.1536
RFQ
 ECAD 4862 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xdfn DMP2069 MOSFET (금속 (() X2-DFN2015-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMP2069UFY4Q-7TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 2.5A (TA) 1.8V, 4.5V 54mohm @ 2.5a, 4.5v 1V @ 250µA 9.1 NC @ 4.5 v ± 8V 214 pf @ 10 v - 530MW
DMN63D8LDW-7 Diodes Incorporated DMN63D8LDW-7 0.3100
RFQ
 ECAD 176 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN63 MOSFET (금속 (() 300MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 220MA 2.8ohm @ 250ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.87NC @ 10V 25V @ 25V 논리 논리 게이트
DMN2024UFU-7 Diodes Incorporated DMN2024UFU-7 0.1832
RFQ
 ECAD 2440 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 DMN2024 MOSFET (금속 (() 810MW (TA) u-dfn2030-6 (유형 b) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN2024UFU-7TR 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 공통 소스 20V 7.5A (TA), 21A (TC) 20.2MOHM @ 6.5A, 4.5V 950MV @ 250µA 14.8NC @ 10V 647pf @ 10V -
2N7002VA-7-F Diodes Incorporated 2N7002VA-7-F -
RFQ
 ECAD 3104 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 2N7002 MOSFET (금속 (() 150MW SOT-563 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 280ma 7.5ohm @ 50ma, 5V 2.5V @ 250µA - 50pf @ 25V -
BC857CWQ-13 Diodes Incorporated BC857CWQ-13 0.0626
RFQ
 ECAD 3630 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC857 200 MW SOT-323 - 31-BC857CWQ-13 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 200MHz
DDC142TH-7 Diodes Incorporated DDC142-7 -
RFQ
 ECAD 7507 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DDC142 150MW SOT-563 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma - 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 250µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 200MHz 470ohms -
DMG3414U-7 Diodes Incorporated DMG3414U-7 0.4600
RFQ
 ECAD 240 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG3414 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 4.2A (TA) 1.8V, 4.5V 25mohm @ 8.2a, 4.5v 900MV @ 250µA 9.6 NC @ 4.5 v ± 8V 829.9 pf @ 10 v - 780MW (TA)
ZVP0120AS Diodes Incorporated ZVP0120AS -
RFQ
 ECAD 6022 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) MOSFET (금속 (() To-92 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 200 v 110MA (TA) 10V 32ohm @ 125ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 100 pf @ 25 v - 700MW (TA)
ZVN2106ASTOB Diodes Incorporated zvn2106astob -
RFQ
 ECAD 9187 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 60 v 450MA (TA) 10V 2ohm @ 1a, 10V 2.4V @ 1mA ± 20V 75 pf @ 18 v - 700MW (TA)
ZVN4210ASTOA Diodes Incorporated zvn4210astoa -
RFQ
 ECAD 7306 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q1603162B 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 100 v 450MA (TA) 5V, 10V 1.5ohm @ 1.5a, 10V 2.4V @ 1mA ± 20V 100 pf @ 25 v - 700MW (TA)
EMF21-7 Diodes Incorporated EMF21-7 -
RFQ
 ECAD 1399 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 EMF21 300MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V, 12V 100ma, 500ma 500NA 1 npn 프리 n, 1 pnp 300mv @ 500µa, 10ma / 250mv @ 10ma, 200ma 30 @ 5ma, 5v / 270 @ 10ma, 2v 250MHz, 280MHz 10kohms 10kohms
ZTX853STOB Diodes Incorporated ZTX853STOB -
RFQ
 ECAD 5246 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZTX853 1.2 w e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 100 v 4 a 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 400ma, 4a 100 @ 2a, 2v 130MHz
DCX69-25-13 Diodes Incorporated DCX69-25-13 -
RFQ
 ECAD 8112 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA DCX69 1 W. SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 20 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 100ma, 1a 160 @ 500ma, 1V 200MHz
BCX5216QTA Diodes Incorporated BCX5216QTA 0.4300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX5216 1 W. SOT-89-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 150MHz
ZHB6718TA Diodes Incorporated ZHB6718TA 2.3100
RFQ
 ECAD 4020 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-223-8 ZHB6718 1.25W sm8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 20V 2.5A 100µA 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge) 200MV @ 50MA, 2.5A 200 @ 2a, 2v 140MHz
2DA1774R-7 Diodes Incorporated 2DA1774R-7 0.3600
RFQ
 ECAD 228 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 2DA1774 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1034-2DA1774R-7DKR 귀 99 8541.21.0075 3,000
2DD1766P-13 Diodes Incorporated 2DD1766P-13 -
RFQ
 ECAD 3791 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2DD1766 1 W. SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 32 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 800mv @ 200ma, 2a 82 @ 500ma, 3v 220MHz
ZVNL120ASTOA Diodes Incorporated zvnl120astoa -
RFQ
 ECAD 8878 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 200 v 180MA (TA) 3V, 5V 10ohm @ 250ma, 10V 1.5V @ 1mA ± 20V 85 pf @ 25 v - 700MW (TA)
DCX51-13 Diodes Incorporated DCX51-13 -
RFQ
 ECAD 5455 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA DCX51 1 W. SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 45 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 200MHz
FMMT591ATA Diodes Incorporated FMMT591ATA 0.4400
RFQ
 ECAD 81 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT591 500MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 1 a 100NA PNP 500mv @ 100ma, 1a 300 @ 100MA, 5V 150MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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