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트랜지스터 (6028)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	전압 - 평가	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	현재 현재 (amp)	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
DDTC114GKA-7-F	-	RFQ	4300	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DDTC114		200 MW	SC-59-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000														50 v	100 MA	500NA (ICBO)	npn-사전-	300MV @ 500µA, 10MA	30 @ 5MA, 5V	250MHz		10 KOHMS
DMTH6005LPS-13	1.3900	RFQ	1112	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	8-powertdfn	DMTH6005	MOSFET (금속 (()		PowerDI5060-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널		60 v	20.6A (TA), 100A (TC)	4.5V, 10V	5.5mohm @ 50a, 10V	3V @ 250µA	47.1 NC @ 10 v	± 20V	2962 pf @ 30 v	-	3.2W (TA), 150W (TC)
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LMN200B01-7	-	RFQ	8295	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	50V PNP, 60V N- 채널		로드로드	표면 표면	SOT-23-6	LMN200			SOT-26	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			200MA PNP, 115MA N- 채널														pnp 바이어스 사전, n- 채널 사전 바이어스
DMTH10H038SPDWQ-13	0.4154	RFQ	4671	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	8-powertdfn	DMTH10	MOSFET (금속 (()	2.7W (TA), 39W (TC)	PowerDI5060-8 (유형 UXD)	다운로드				31-DMTH10H038SPDWQ-13	귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널			100V	25A (TC)		33mohm @ 10a, 10V	4V @ 250µA	8NC @ 10V		544pf @ 50V	기준
DMT10H015LCG-7	0.9400	RFQ	5074	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 155 ° C (TJ)		표면 표면	8-powervdfn	DMT10	MOSFET (금속 (()		V-DFN3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널		100 v	9.4A (TA), 34A (TC)	4.5V, 10V	15mohm @ 20a, 10V	3.5V @ 250µA	33.3 NC @ 10 v	± 20V	1871 pf @ 50 v	-	1W (TA)
DMPH4025SFVWQ-7	0.3426	RFQ	8008	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면, 마운트 측면	8-powervdfn	DMPH4025	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		p 채널		40 v	8.7A (TA), 40A (TC)	4.5V, 10V	25mohm @ 30a, 10V	1.8V @ 250µA	38.6 NC @ 10 v	± 20V	1918 pf @ 20 v	-	2.3W (TA), 60W (TC)
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DMN63D8LW-7	0.2400	RFQ	64	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	SC-70, SOT-323	DMN63	MOSFET (금속 (()		SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널		30 v	380MA (TA)	2.5V, 10V	2.8ohm @ 250ma, 10V	1.5V @ 250µA	0.9 nc @ 10 v	± 20V	23.2 pf @ 25 v	-	300MW (TA)
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ZXTPS720MCTA	-	RFQ	8819	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-wdfn n 패드	ZXTPS720		3 w	DFN3020B-8	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	3,000														40 v	3 a	25NA	pnp + 다이오드 (분리)	370mv @ 250ma, 2.5a	60 @ 1.5A, 2V	190mhz
ZX5T953GQTA	0.9700	RFQ	6731	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-261-4, TO-261AA			1.6 w	SOT-223-3	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	1,000														100 v	5 a	20NA	PNP	340mv @ 400ma, 4a	100 @ 1a, 1v	125MHz
DMP4050SSS-13	0.7100	RFQ	58	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMP4050	MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널		40 v	4.4A (TA)	4.5V, 10V	50mohm @ 6a, 10V	3V @ 250µA	13.9 NC @ 10 v	± 20V	674 pf @ 20 v	-	1.56W (TA)
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MMDT3904-7-F-79	-	RFQ	7281	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는						MMDT3904				-	rohs 준수	1 (무제한)		31-MMDT3904-7-F-79TR	쓸모없는		3,000
DMP3165SVT-13	-	RFQ	3464	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	DMP3165	MOSFET (금속 (()		TSOT-26	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMP3165SVT-13DI	귀 99	8541.29.0095	10,000		p 채널		30 v	2.7A (TA)	3.3V, 10V	95mohm @ 2.7a, 10V	2.2V @ 250µA	6.8 NC @ 10 v	± 20V	287 pf @ 15 v	-	800MW (TA)
DMT2004UFV-7	0.2184	RFQ	9683	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-powervdfn	DMT2004	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8 (유형 UX)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널		24 v	70A (TC)	2.5V, 10V	5mohm @ 12a, 10V	1.45V @ 250µA	53.7 NC @ 10 v	± 12V	1683 pf @ 15 v	-	1.2W (TA)
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DMN5L06W-7	-	RFQ	9476	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	SC-70, SOT-323	DMN5L06	MOSFET (금속 (()		SOT-323	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널		50 v	280MA (TA)	1.8V, 2.7V	3ohm @ 200ma, 2.7v	1.2V @ 250µA		± 20V	50 pf @ 25 v	-	200MW (TA)
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DMTH10H2M5STLWQ-13	4.4500	RFQ	1	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	8-Powersfn	DMTH10	MOSFET (금속 (()		PowerDI1012-8	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500		n 채널		100 v	215A (TC)	10V	2.5mohm @ 30a, 10V	4V @ 250µA	124.4 NC @ 10 v	± 20V	8450 pf @ 50 v	-	5.8W (TA), 230.8W (TC)
DMN63D8LDWQ-7	0.3900	RFQ	330	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	새로운 새로운 아닙니다		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DMN63	MOSFET (금속 (()	300MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)			30V	220MA		2.8ohm @ 250ma, 10V	1.5V @ 250µA	0.87NC @ 10V		25V @ 25V	-
DMN1250UFEL-7	0.8300	RFQ	12	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	12-ufqfn 노출 패드	DMN1250	MOSFET (금속 (()	660MW	U-QFN1515-12	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	8 n 채널, 채널 게이트, 공통 소스			12V	2A		450mohm @ 200ma, 4.5v	1V @ 250µA	1.9NC @ 4.5V		190pf @ 6v	-
DDTD143TU-7-F	-	RFQ	1208	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는				표면 표면	SC-70, SOT-323	DDTD143		200 MW	SOT-323	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000														50 v	500 MA	500NA (ICBO)	npn-사전-	300mv @ 2.5ma, 50ma	100 @ 5ma, 5V	200MHz	4.7 Kohms

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (6028)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²