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영상 제품번호 가격(USD) 수량 ECAD 사용 수량 보유 무게(Kg) 제조사 시리즈 세트 제품상태 작동 온도 장착 세트/케이스 기본 제품 번호 입력하다 기술 파워 - 파워 공급자 장치 데이터 시트 RoHS 현황 민감도특급(MSL) REACH 상태 다른 이름 ECCN HTSUS 세트 세트 구성 FET 종류 테스트 조건 천연-소스 전압(Vdss) 끈 - 끈끈이(Id) @ 25°C 구동 전압(최대 Rds 플레이짐, 최소 Rds 플레이짐) Rds On(최대) @ Id, Vgs Vgs(일)(최대) @ Id 배터리 충전(Qg)(최대) @ Vgs Vgs(최대) 입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds FET는 전력량(최대) 역복구 시간(trr) IGBT 전압 - 콜렉터 이미터 분해(최대) 전류 - 컬렉터(Ic)(최대) 현재 - 컬렉터(Icm) Vce(on)(최대) @ Vge, Ic 감정을 에너지 카드가 사라졌습니다 Td(켜기/끄기) @ 25°C - 컬렉터 컷오프(최대) 거주형태 Vce니까(최대) @ Ib, Ic DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce 전환 - 전환 저항기 - 리프(R1) 저항기 - 이터레이터(R2)
BCP5416QTA Diodes Incorporated BCP5416QTA 0.1198
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ECAD 8375 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA BCP5416 2W SOT-223-3 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-BCP5416QTATR EAR99 8541.29.0075 1,000 45V 1A 100nA(ICBO) NPN 500mV @ 50mA, 500mA 100 @ 150mA, 2V 150MHz
DMN6140LQ-13 Diodes Incorporated DMN6140LQ-13 0.3700
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ECAD 7 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN6140 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 10,000 N채널 60V 1.6A(타) 4.5V, 10V 140m옴 @ 1.8A, 10V 3V @ 250μA 8.6nC @ 10V ±20V 40V에서 315pF - 700mW(타)
ZTX1149ASTOA Diodes Incorporated ZTX1149ASTOA -
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ECAD 4762 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 200°C (TJ) 스루홀 E-Line-3, 구성부품 ZTX1149A 1W E-라인(TO-92 호환) 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 2,000 25V 3A 100nA PNP 300mV @ 70mA, 3A 250 @ 500mA, 2V 135MHz
BSR33QTA Diodes Incorporated BSR33QTA 0.4800
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ECAD 1 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -65°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA BSR33 2.1W SOT-89-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0075 1,000 80V 1A 100nA(ICBO) PNP 500mV @ 50mA, 500mA 100 @ 100mA, 5V 100MHz
DDC142JH-7 Diodes Incorporated DDC142JH-7 -
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ECAD 1627년 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 SOT-563, SOT-666 DDC142 150mW SOT-563 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 56 @ 10mA, 5V 200MHz 470옴 10kΩ
DGTD65T40S2PT Diodes Incorporated DGTD65T40S2PT -
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ECAD 8658 0.00000000 다이 통합 - 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -40°C ~ 175°C (TJ) 스루홀 TO-247-3 DGTD65 기준 230W TO-247 - ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 450 400V, 40A, 10옴, 15V 60ns 필드스톱 650V 80A 120A 2.3V @ 15V, 40A 500μJ(켜짐), 400μJ(꺼짐) 60nC 6ns/55ns
DMP2900UDW-7 Diodes Incorporated DMP2900UDW-7 0.3500
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ECAD 3120 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMP2900 MOSFET(금속) 370mW(타) SOT-363 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 20V 630mA(타) 750m옴 @ 430mA, 4.5V 1V @ 250μA 0.7nC @ 4.5V 49pF @ 16V -
DMS2085LSD-13 Diodes Incorporated DMS2085LSD-13 0.3500
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ECAD 8244 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) DMS2085 MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 20V 3.3A(타) 4.5V, 10V 85m옴 @ 3.05A, 10V 2.2V @ 250μA 7.8nC @ 10V ±20V 15V에서 353pF 쇼트키 다이오드(절연) 1.1W(타)
ZXMD65P02N8TC Diodes Incorporated ZXMD65P02N8TC -
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ECAD 7425 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 - 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) ZXMD65P02 MOSFET(금속) 1.75W 8-SO 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 2 P채널(듀얼) 20V 4A 50m옴 @ 2.9A, 4.5V 250μA에서 700mV(최소) 20nC @ 4.5V 960pF @ 15V -
BSS84TA Diodes Incorporated BSS84TA -
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ECAD 2692 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS84 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 50V 130mA(타) 5V 10옴 @ 100mA, 5V 2V @ 1mA ±20V 25V에서 40pF - 360mW(타)
DMG6302UDW-7 Diodes Incorporated DMG6302UDW-7 0.0606
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ECAD 9711 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMG6302 MOSFET(금속) 310mW(타) SOT-363 다운로드 REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMG6302UDW-7TR EAR99 8541.21.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 25V 150mA(타) 10옴 @ 140mA, 4.5V 250μA에서 1.5V 0.34nC @ 4.5V 30.7pF @ 10V -
DDTA123YE-7-F Diodes Incorporated DDTA123YE-7-F 0.0605
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ECAD 1677년 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SOT-523 DDTA123 150mW SOT-523 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 33 @ 10mA, 5V 250MHz 2.2kΩ 10kΩ
DVR3V3W-7 Diodes Incorporated DVR3V3W-7 -
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ECAD 8909 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DVR3V3 200mW SOT-363 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 18V 1A 1μA(ICBO) NPN + 제너 다이오드(절연) 500mV @ 30mA, 300mA 150 @ 100mA, 1V 100MHz
DMG3N60SJ3 Diodes Incorporated DMG3N60SJ3 -
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ECAD 6210 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 튜브 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 스루홀 TO-251-3 짧은 리드, IPak, TO-251AA DMG3N60 MOSFET(금속) TO-251 - ROHS3 준수 REACH의 영향을 받아들입니다. EAR99 8541.29.0095 75 N채널 650V 2.8A(Tc) 10V 3.5옴 @ 1.5A, 10V 4V @ 250μA 12.6nC @ 10V ±30V 25V에서 354pF - 41W(Tc)
DDTA115TUA-7-F Diodes Incorporated DDTA115TUA-7-F 0.0435
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ECAD 7218 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 DDTA115 200mW SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA(ICBO) PNP - 사전 바이어스됨 100μA에서 300mV, 1mA 100 @ 1mA, 5V 250MHz 100kΩ
DMP4026LSDQ-13 Diodes Incorporated DMP4026LSDQ-13 0.4078
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ECAD 4354 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) MOSFET(금속) 1.3W(타) 8-SO - ROHS3 준수 1(무제한) 31-DMP4026LSDQ-13TR 2,500 2P채널 40V 6.5A(타) 25m옴 @ 3A, 10V 250μA에서 1.8V 45.8nC @ 10V 2064pF @ 20V 기준
DMN2013UFX-7 Diodes Incorporated DMN2013UFX-7 0.2665
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ECAD 6985 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-VFDFN 옆형 패드 DMN2013 MOSFET(금속) 2.14W W-DFN5020-6 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 3,000 2 N채널(이중) 시작 20V 10A(타) 11.5m옴 @ 8.5A, 4.5V 250μA에서 1.1V 57.4nC @ 8V 2607pF @ 10V -
ZVN4525GTC Diodes Incorporated ZVN4525GTC -
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ECAD 3158 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-261-4, TO-261AA MOSFET(금속) SOT-223-3 다운로드 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 4,000 N채널 250V 310mA(타) 2.5V, 10V 8.5옴 @ 500mA, 10V 1.8V @ 1mA 3.65nC @ 10V ±40V 25V에서 72pF - 2W(타)
MMBTA13-7-F Diodes Incorporated MMBTA13-7-F 0.2200
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ECAD 242 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA13 300mW SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 300mA 100nA(ICBO) NPN-달링턴 1.5V @ 100μA, 100mA 10000 @ 100mA, 5V 125MHz
DMG1013UW-7 Diodes Incorporated DMG1013UW-7 0.3500
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ECAD 423 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SC-70, SOT-323 DMG1013 MOSFET(금속) SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 P채널 20V 820mA(타) 1.8V, 4.5V 750m옴 @ 430mA, 4.5V 1V @ 250μA 4.5V에서 0.622nC ±6V 59.76pF @ 16V - 310mW(타)
DDTC143EKA-7-F Diodes Incorporated DDTC143EKA-7-F -
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ECAD 1416 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC143 200mW SC-59-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA NPN - 사전 바이어스됨 500μA, 10mA에서 300mV 20 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 4.7kΩ
DMN32D0LVQ-7 Diodes Incorporated DMN32D0LVQ-7 0.4600
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ECAD 4321 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 DMN32 MOSFET(금속) 480mW(타) SOT-563 - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 30V 680mA(타) 1.2옴 @ 100mA, 4V 1.2V @ 250μA 0.62nC @ 4.5V 44.8pF @ 15V 기준
DMG4413LSS-13 Diodes Incorporated DMG4413LSS-13 0.9000
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ECAD 8037 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 8-SOIC(0.154", 3.90mm 너비) DMG4413 MOSFET(금속) 8-SO 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.29.0095 2,500 P채널 30V 10.5A(타) 4.5V, 10V 7.5m옴 @ 13A, 10V 2.1V @ 250μA 46nC @ 5V ±20V 15V에서 4965pF - 1.7W(타)
DXTN26070CY-13 Diodes Incorporated DXTN26070CY-13 0.1320
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ECAD 8236 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-243AA DXTN26070 700mW SOT-89-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 2,500 70V 2A 50nA(ICBO) NPN 300mV @ 100mA, 1A 200 @ 100mA, 2V 220MHz
DDC122TU-7-F Diodes Incorporated DDC122TU-7-F -
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ECAD 5317 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 더 이상 사용하지 않는 경우 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DDC122 200mW SOT-363 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA - 2 NPN - 사전 바이어스됨(이중) 250μA, 5mA에서 300mV 100 @ 1mA, 5V 200MHz 220옴 -
2N7002DW-7-F Diodes Incorporated 2N7002DW-7-F 0.3400
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ECAD 213 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 2N7002 MOSFET(금속) 310mW SOT-363 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0095 3,000 2 N채널(듀얼) 60V 230mA 7.5옴 @ 50mA, 5V 2V @ 250μA - 50pF @ 25V -
DDTA143ZUA-7-F Diodes Incorporated DDTA143ZUA-7-F 0.0435
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ECAD 7438 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 표면 실장 SC-70, SOT-323 DDTA143 200mW SOT-323 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500nA PNP - 사전 바이어스됨 250μA, 5mA에서 300mV 80 @ 10mA, 5V 250MHz 4.7kΩ 47kΩ
DMNH4011SK3-13 Diodes Incorporated DMNH4011SK3-13 -
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ECAD 2844 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 175°C (TJ) 표면 실장 TO-252-3, DPak(리드 2개 + 탭), SC-63 DMNH4011 MOSFET(금속) TO-252-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH의 영향을 받아들입니다. DMNH4011SK3-13DI EAR99 8541.29.0095 2,500 N채널 40V 50A(Tc) 10V 10m옴 @ 50A, 10V 4V @ 250μA 25.5nC @ 10V ±20V 20V에서 1405pF - 2.6W(타)
DMP58D1LV-7 Diodes Incorporated DMP58D1LV-7 0.4100
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ECAD 6027 0.00000000 다이 통합 - 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 SOT-563, SOT-666 DMP58 MOSFET(금속) 490mW(타) SOT-563 - ROHS3 준수 1(무제한) EAR99 8541.21.0095 3,000 2 P채널(듀얼) 50V 220mA(타) 8옴 @ 100mA, 5V 2V @ 250μA 1.2nC @ 10V 37pF @ 25V 기준
DMP2100UQ-7 Diodes Incorporated DMP2100UQ-7 0.0918
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ECAD 3 0.00000000 다이 통합 자동차, AEC-Q101 테이프 및 릴리(TR) 활동적인 -55°C ~ 150°C (TJ) 표면 실장 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2100 MOSFET(금속) SOT-23-3 다운로드 ROHS3 준수 1(무제한) REACH 영향을 받지 않았습니다. 31-DMP2100UQ-7TR EAR99 8541.29.0095 3,000 P채널 20V 4.3A(타) 1.8V, 10V 38m옴 @ 3.5A, 10V 250μA에서 1.4V 9.1nC @ 4.5V ±10V 15V에서 216pF - 800mW(타)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 견적 요청량

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준제품단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고