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트랜지스터 (6028)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
DMTH4005SPSQ-13	1.2500	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMTH4005	MOSFET (금속 (()		PowerDI5060-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	40 v	20.9A (TA), 100A (TC)	10V	3.7mohm @ 50a, 10V	4V @ 250µA	49.1 NC @ 10 v	± 20V	3062 pf @ 20 v	-	2.6W (TA), 150W (TC)
ZXTN25020DGTA	0.8100	RFQ	4115	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	ZXTN25020		3 w	SOT-223-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0075	1,000													20 v	7 a	50NA (ICBO)	NPN	290mv @ 700ma, 7a	300 @ 10ma, 2v	215MHz
DMT6011LPDW-13	0.3608	RFQ	3726	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMT6011	MOSFET (금속 (()	2.5W (TA), 37.9W (TC)	PowerDI5060-8 (유형 UXD)	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMT6011LPDW-13TR	귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		60V	10.3A (TA), 40A (TC)		14mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	22.2NC @ 10V		1072pf @ 30v	-
DMN2025UFDB-7	0.1447	RFQ	6911	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드	DMN2025	MOSFET (금속 (()	700MW (TA)	u-dfn2020-6 (유형 b)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)		20V	6A (TA)		25mohm @ 4a, 4.5v	1V @ 250µA	12.3NC @ 10V		486pf @ 10V	-
DMN55D0UT-7	0.3500	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-523	DMN55	MOSFET (금속 (()		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	50 v	160MA (TA)	2.5V, 4V	4ohm @ 100ma, 4v	1V @ 250µA		± 12V	25 pf @ 10 v	-	200MW (TA)
DMP2069UFY4Q-7	0.1536	RFQ	4862	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-xdfn	DMP2069	MOSFET (금속 (()		X2-DFN2015-3	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMP2069UFY4Q-7TR	귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	20 v	2.5A (TA)	1.8V, 4.5V	54mohm @ 2.5a, 4.5v	1V @ 250µA	9.1 NC @ 4.5 v	± 8V	214 pf @ 10 v	-	530MW
DMT8030LFDF-13	0.2613	RFQ	7315	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-udfn n 패드		MOSFET (금속 (()		u-dfn2020-6 (f 형)	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMT8030LFDF-13TR	귀 99	8541.29.0095	10,000		n 채널	80 v	7.5A (TA)	4.5V, 10V	25mohm @ 5a, 10V	2.5V @ 250µA	10.4 NC @ 10 v	± 20V	641 pf @ 25 v	-	1.2W (TA)
2N7002KQ-13	0.3100	RFQ	6052	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2N7002	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000		n 채널	60 v	310MA (TA)	5V, 10V	2ohm @ 500ma, 10V	2.5V @ 1mA	0.3 nc @ 4.5 v	± 20V	50 pf @ 25 v	-	370MW (TA)
DMT6008LFG-13	0.9000	RFQ	5840	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMT6008	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	13A (TA), 60A (TC)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 20a, 10V	2V @ 250µA	50.4 NC @ 10 v	± 12V	2713 pf @ 30 v	-	2.2W (TA), 41W (TC)
DMP3030SN-7	0.3700	RFQ	3659	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMP3030	MOSFET (금속 (()		SC-59-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	30 v	700MA (TA)	4.5V, 10V	250mohm @ 400ma, 10V	3V @ 1mA		± 20V	160 pf @ 10 v	-	500MW (TA)
BSS84DWQ-13	0.0986	RFQ	7654	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BSS84	MOSFET (금속 (()	300MW (TA)	SOT-363	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-BSS84DWQ-13TR	귀 99	8541.21.0095	10,000	2 p 채널 (채널)		50V	130MA (TA)		10ohm @ 100ma, 5V	2V @ 1mA	-		45pf @ 25V	-
DMN2710UT-13	0.0598	RFQ	5031	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-523	DMN2710	MOSFET (금속 (()		SOT-523	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMN2710UT-13TR	귀 99	8541.21.0095	10,000		n 채널	20 v	870MA (TA)	1.8V, 4.5V	450mohm @ 600ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.6 nc @ 4.5 v	± 6V	42 pf @ 16 v	-	320MW (TA)
DMHC4035LSDQ-13	1.1100	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMHC4035	MOSFET (금속 (()	1.5W (TA)	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 및 2 p 및 (하프 브리지)		40V	4.5A (TA), 3.7A (TA)		45mohm @ 3.9a, 10v, 65mohm @ 4.2a, 10v	3V @ 250µA	5.9nc @ 4.5v, 5.4nc @ 4.5v		574pf @ 20V, 587pf @ 20V	-
MMBT3906-13-F-52	0.0204	RFQ	9045	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			310 MW	SOT-23-3	다운로드				31-MMBT3906-13-F-52	귀 99	8541.21.0075	10,000													40 v	200 MA	50NA	PNP	400mv @ 5ma, 50ma	100 @ 10ma, 1v	250MHz
DMNH6011LK3Q-13	0.6907	RFQ	9347	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	DMNH6011	MOSFET (금속 (()		TO-252, (D-PAK)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	55 v	80A (TC)	4.5V, 10V	12MOHM @ 25A, 10V	2V @ 250µA	49.1 NC @ 10 v	± 12V	3077 pf @ 30 v	-	1.6W (TA)
DMTH45M5SPDW-13	1.2200	RFQ	5621	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMTH45M	MOSFET (금속 (()	3.3W (TA), 60W (TC)	PowerDI5060-8 (유형 UXD)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		40V	79A (TC)		5.5mohm @ 25a, 10V	3.5V @ 250µA	13.2NC @ 10V		1083pf @ 20V	기준
DMT68M8LFV-13	0.2878	RFQ	4241	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMT68	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8 (유형 UX)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	DMT68M8LFV-13DI	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	60 v	54.1A (TC)	4.5V, 10V	9.5mohm @ 13.5a, 10V	3V @ 250µA	30 nc @ 10 v	± 20V	2078 pf @ 30 v	-	2.7W (TA), 41.7W (TC)
DMTH41M8SPS-13	0.8177	RFQ	5708	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMTH41	MOSFET (금속 (()		PowerDi5060-8 (k)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	DMTH41M8SPS-13DI	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	40 v	100A (TC)	10V	1.8mohm @ 30a, 10V	4V @ 250µA	79.5 nc @ 10 v	± 20V	6968 pf @ 20 v	-	3.03W
DMPH6050SFG-13	0.2482	RFQ	1422	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면		DMPH6050	MOSFET (금속 (()			다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다	DMPH6050SFG-13DI	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널	60 v	6.1A (TA), 18A (TC)	4.5V, 10V	50mohm @ 7a, 10V	3V @ 250µA	24.1 NC @ 10 v	± 20V	1293 pf @ 30 v	-	3.2W
DMN90H8D5HCTI	-	RFQ	4827	다이오드가 다이오드가	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	DMN90	MOSFET (금속 (()		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수		영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	900 v	2.5A (TC)	10V	7ohm @ 1a, 10V	5V @ 250µA	7.9 NC @ 10 v	± 30V	470 pf @ 25 v	-	30W (TC)
DMP57D5UFB-7	-	RFQ	2080	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-ufdfn		MOSFET (금속 (()		X1-DFN1006-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	50 v	200MA (TA)	2.5V, 4V	6ohm @ 100ma, 4v	1V @ 250µA		± 8V	29 pf @ 4 v	-	425MW (TA)
DMN90H2D2HCTI	-	RFQ	9875	다이오드가 다이오드가	-	튜브	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭	DMN90	MOSFET (금속 (()		ITO-220AB	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	50		n 채널	900 v	6A (TC)	10V	2.2ohm @ 3a, 10V	5V @ 250µA	20.3 NC @ 10 v	± 30V	1487 pf @ 25 v	-	40W (TC)
DMN30H4D1S-7	-	RFQ	5660	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN30	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMN30H4D1S-7DI	귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	300 v	430MA (TA)	4.5V, 10V	4ohm @ 300ma, 10V	3V @ 250µA	4.8 NC @ 10 v	± 20V	174 pf @ 25 v	-	360MW (TA)
DMP26M7UFG-7	0.8300	RFQ	43	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8-powervdfn	DMP26	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		p 채널	20 v	18A (TA), 40A (TC)	1.8V, 4.5V	6.7mohm @ 15a, 4.5v	1V @ 250µA	156 NC @ 10 v	± 10V	5940 pf @ 10 v	-	2.3W (TA)
DMHC3025LSD-13	0.8700	RFQ	6192	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMHC3025	MOSFET (금속 (()	1.5W	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 및 2 p 및 (하프 브리지)		30V	6A, 4.2A		25mohm @ 5a, 10V	2V @ 250µA	11.7NC @ 10V		590pf @ 15V	논리 논리 게이트
DMT8008LK3-13	0.5292	RFQ	8609	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	DMT8008	MOSFET (금속 (()		TO-252, (D-PAK)	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMT8008LK3-13TR	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	80 v	95A (TC)	4.5V, 10V	7mohm @ 14a, 10V	2.8V @ 250µA	41.2 NC @ 10 v	± 20V	2345 pf @ 40 v	-	1.7W (TA)
DMT4011LSSSS-13	0.1752	RFQ	2064	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMT4011	MOSFET (금속 (()		8-SOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMT4011LSS-13DI	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	40 v	10.8A (TA)	4.5V, 10V	11.5mohm @ 20a, 10V	2.4V @ 250µA	14.3 NC @ 10 v	± 20V	829 pf @ 20 v	-	1.31W (TA)
DMC2053UVTQ-7	0.4900	RFQ	225	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	DMC2053	MOSFET (금속 (()	700MW (TA)	TSOT-26	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	n 보완 p 채널 및		20V	4.6A (TA), 3.2A (TA)		35mohm @ 5a, 4.5v, 74mohm @ 3.5a, 4.5v	1V @ 250µA	3.6nc @ 4.5v, 5.9nc @ 4.5v		369pf @ 10v, 440pf @ 10v	-
DMG2301L-13	0.3200	RFQ	7858	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMG2301	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10,000		p 채널	20 v	3A (TA)	2.5V, 4.5V	120mohm @ 2.8a, 4.5v	1.2V @ 250µA	5.5 NC @ 4.5 v	± 8V	476 pf @ 10 v	-	1.5W (TA)
DDC124EH-7	0.0945	RFQ	4476	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	SOT-563, SOT-666	DDC124		150MW	SOT-563	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													50V	100ma	500NA	2 npn--바이어스 (듀얼)	300MV @ 500µA, 10MA	56 @ 5MA, 5V	250MHz	22kohms	22kohms

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (6028)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²