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트랜지스터 (6028)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
2N7002W-7	-	RFQ	6154	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	sic에서 중단되었습니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	2N7002	MOSFET (금속 (()		SOT-323	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	60 v	115MA (TA)	5V, 10V	7.5ohm @ 50ma, 5V	2V @ 250µA		± 20V	50 pf @ 25 v	-	200MW (TA)
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DMTH10H032SPSW-13	0.2451	RFQ	6078	다이오드가 다이오드가	-	대부분	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powertdfn	DMTH10	MOSFET (금속 (()		PowerDi5060-8 (유형 ux)	다운로드				31-DMTH10H032SPSW-13	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	100 v	25A (TC)	10V	32mohm @ 5a, 10V	4V @ 250µA	8 nc @ 10 v	± 20V	544 pf @ 50 v	-	3.2W (TA)
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DMN4031SSD-13	0.6300	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMN4031	MOSFET (금속 (()	1.42W	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		40V	5.2A		31mohm @ 6a, 10V	3V @ 250µA	18.6NC @ 10V		945pf @ 20V	논리 논리 게이트
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zvn2110astob	-	RFQ	7279	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e-line-3		MOSFET (금속 (()		e- 라인 (TO-92 호환)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000		n 채널	100 v	320MA (TA)	10V	4ohm @ 1a, 10V	2.4V @ 1mA		± 20V	75 pf @ 25 v	-	700MW (TA)
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DMN52D0LT-13	0.3800	RFQ	7821	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-523	DMN52	MOSFET (금속 (()		SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.21.0095	10,000		n 채널	50 v	350MA (TA)	1.8V, 5V	2ohm @ 50ma, 5V	1.2V @ 250µA	1.5 nc @ 10 v	± 12V	40 pf @ 25 v	-	500MW (TA)
DDC142JU-7-F	-	RFQ	3916	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DDC142		200MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													50V	100ma	500NA	2 npn--바이어스 (듀얼)	300MV @ 250µA, 5MA	56 @ 10ma, 5V	200MHz	470ohms	10kohms
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DMTH45M5LPDWQ-13	1.3100	RFQ	5030	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn	DMTH45M	MOSFET (금속 (()	3W (TA), 60W (TC)	PowerDI5060-8 (유형 UXD)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)		40V	79A (TC)		5.5mohm @ 25a, 10V	2.3V @ 250µA	13.9NC @ 10V		978pf @ 20V	기준
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DMN3115UDM-7	-	RFQ	4320	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6	DMN3115	MOSFET (금속 (()		SOT-26	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널	30 v	3.2A (TA)	1.5V, 4.5V	60mohm @ 6a, 4.5v	1V @ 250µA		± 8V	476 pf @ 15 v	-	900MW (TA)
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DMTH45M5SWSW-13	0.8600	RFQ	3749	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powertdfn	DMTH45M	MOSFET (금속 (()		PowerDi5060-8 (유형 ux)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)			귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	40 v	86A (TC)	10V	5.5mohm @ 25a, 10V	3.5V @ 250µA	13.2 NC @ 10 v	± 20V	1083 pf @ 20 v	-	3.5W (TA), 72W (TC)
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2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (6028)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²