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트랜지스터 (6028)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
2DB1188P-13	-	RFQ	8563	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-243AA	2DB1188		1 W.	SOT-89-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,500													32 v	2 a	100NA (ICBO)	PNP	800mv @ 200ma, 2a	82 @ 500ma, 3v	120MHz
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zvp4424astob	-	RFQ	5685	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	e-line-3		MOSFET (금속 (()		e- 라인 (TO-92 호환)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000		p 채널	240 v	200MA (TA)	3.5V, 10V	9ohm @ 200ma, 10V	2V @ 1mA		± 40V	200 pf @ 25 v	-	750MW (TA)
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DMP4065SQ-7	0.5200	RFQ	15	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMP4065	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널	40 v	2.4A (TA)	4.5V, 10V	80mohm @ 4.2a, 10V	3V @ 250µA	12.2 NC @ 10 v	± 20V	587 pf @ 20 v	-	720MW (TA)
DMN3052L-7	-	RFQ	3792	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMN3052	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	5.4A (TA)	2V, 10V	32mohm @ 5.8a, 10V	1.2V @ 250µA		± 12V	555 pf @ 5 v	-	1.4W (TA)
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zxmn2a02n8ta	-	RFQ	1204	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	ZXMN2	MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	20 v	8.3A (TA)	2.5V, 4.5V	20mohm @ 11a, 4.5v	700mv @ 250µa (최소)	18.9 NC @ 4.5 v	± 12V	1900 pf @ 10 v	-	1.56W (TA)
DMN3009LFVW-13	0.2200	RFQ	3060	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면, 마운트 측면	8-powervdfn	DMN3009	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널	30 v	60A (TC)	4.5V, 10V	5MOHM @ 30A, 10V	2.5V @ 250µA	42 NC @ 10 v	± 20V	2000 pf @ 15 v	-	1W (TA)
DMMT5551S-7-F	0.4000	RFQ	8	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6	DMMT5551		300MW	SOT-26	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													160V	200ma	50NA (ICBO)	2 npn (() 일치 한 쌍	200mv @ 5ma, 50ma	80 @ 10ma, 5V	300MHz
ZVP4525E6TC	-	RFQ	3342	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6		MOSFET (금속 (()		SOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	10,000		p 채널	250 v	197MA (TA)	3.5V, 10V	14ohm @ 200ma, 10V	2V @ 1mA	3.45 nc @ 10 v	± 40V	73 pf @ 25 v	-	1.1W (TA)
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FMMT411TD	2.6800	RFQ	2774	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			730 MW	SOT-23 ((DN)	다운로드			영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	500													15 v	600 MA	100NA (ICBO)	NPN	100mv @ 1ma, 10ma	100 @ 10ma, 10V	40MHz
DMTH6004SK3Q-13	1.3900	RFQ	2	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	DMTH6004	MOSFET (금속 (()		TO-252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	60 v	100A (TC)	10V	3.8mohm @ 90a, 10V	4V @ 250µA	95.4 NC @ 10 v	± 20V	4556 pf @ 30 v	-	3.9W (TA), 180W (TC)
DXTP5820CFDB-7	0.4200	RFQ	1	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	3-udfn n 패드	DXTP5820		690 MW	u-dfn2020-3 (유형 b)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000													20 v	6 a	100NA	PNP	350mv @ 300ma, 6a	200 @ 1a, 2v	140MHz
DMP4015SSSQ-13	1.3400	RFQ	38	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMP4015	MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널	40 v	9.1A (TA)	4.5V, 10V	11mohm @ 9.8a, 10V	2.5V @ 250µA	47.5 nc @ 5 v	± 25V	4234 pf @ 20 v	-	1.45W (TA)
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DMNH6042SK3-13	0.2741	RFQ	3198	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	DMNH6042	MOSFET (금속 (()		TO-252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	60 v	25A (TC)	4.5V, 10V	50mohm @ 6a, 10V	3V @ 250µA	8.8 NC @ 10 v	± 20V	492 pf @ 25 v	-	2W (TA)
DDTC114ECAQ-13-F	0.0277	RFQ	9391	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DDTC114		200 MW	SOT-23-3	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DDTC114ECAQ-13-FTR	귀 99	8541.21.0075	10,000													50 v	100 MA	500NA	npn-사전-	300MV @ 500µA, 10MA	35 @ 5MA, 5V	250MHz	10 KOHMS	10 KOHMS
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DMT10H009LSS-13	0.4606	RFQ	4741	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMT10	MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널	100 v	13A (TA), 48A (TC)	4.5V, 10V	9mohm @ 10a, 10V	3V @ 250µA	40.2 NC @ 10 v	± 20V	2309 pf @ 50 v	-	1.8W (TA)
zxmn6a10n8ta	-	RFQ	2238	다이오드가 다이오드가	-	Digi-Reel®	쓸모없는		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	ZXMN6	MOSFET (금속 (()		도 8-	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	500		n 채널	60 v	-		-	-				-

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (6028)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²