SIC
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트랜지스터 (6028)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DMN55D0UTQ-7 Diodes Incorporated DMN55D0UTQ-7 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 DMN55 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 160MA (TA) 2.5V, 4V 4ohm @ 100ma, 4v 1V @ 250µA ± 12V 25 pf @ 10 v - 200MW (TA)
DMN2005LP4K-7 Diodes Incorporated DMN2005LP4K-7 0.4700
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMN2005 MOSFET (금속 (() X2-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 200MA (TA) 1.5V, 4V 1.5ohm @ 10ma, 4v 900mv @ 100µa ± 10V 41 pf @ 3 v - 400MW (TA)
DMN4026SK3-13 Diodes Incorporated DMN4026SK3-13 0.5900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMN4026 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 28A (TC) 4.5V, 10V 24mohm @ 6a, 10V 3V @ 250µA 21.3 NC @ 10 v ± 20V 1181 pf @ 20 v - 1.6W (TA)
DDTA143FUA-7-F Diodes Incorporated DDTA143FUA-7-F 0.0435
RFQ
 ECAD 1881 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTA143 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 22 KOHMS
DMNH6021SPDQ-13 Diodes Incorporated DMNH6021SPDQ-13 1.5100
RFQ
 ECAD 8598 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMNH6021 MOSFET (금속 (() 1.5W PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 8.2A, 32A 25mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 20.1NC @ 10V 1143pf @ 25v -
DMTH8001STLWQ-13 Diodes Incorporated DMTH8001STLWQ-13 5.2600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-Powersfn MOSFET (금속 (() PowerDI1012-8 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-DMTH8001STLWQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 80 v 270A (TC) 10V 1.7mohm @ 30a, 10V 4V @ 250µA 138 NC @ 10 v ± 20V 8894 pf @ 50 v - 6W (TA), 250W (TC)
DMN60H080DS-7 Diodes Incorporated DMN60H080DS-7 0.3700
RFQ
 ECAD 59 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN60 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 600 v 80MA (TA) 4.5V, 10V 100ohm @ 60ma, 10V 3V @ 250µA 1.7 NC @ 10 v ± 20V 25 pf @ 25 v - 1.1W (TA)
DMN4030LK3-13 Diodes Incorporated DMN4030LK3-13 0.2284
RFQ
 ECAD 8415 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMN4030 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 9.4A (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 12.9 NC @ 10 v ± 20V 604 pf @ 20 v - 2.14W (TA)
DMTH4004LPS-13 Diodes Incorporated DMTH4004LPS-13 1.2900
RFQ
 ECAD 4833 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH4004 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 26A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 50a, 10V 3V @ 250µA 82.2 NC @ 10 v ± 20V 4508 pf @ 20 v - 2.6W (TA), 138W (TC)
DMT47M2SFVW-7 Diodes Incorporated DMT47M2SFVW-7 0.2451
RFQ
 ECAD 5437 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMT47 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMT47M2SFVW-7DI 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 15.4A (TA), 49.1A (TC) 10V 7.5mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 12.1 NC @ 10 v ± 20V 897 pf @ 20 v - 2.67W (TA), 27.1W (TC)
DMP2160UWQ-7 Diodes Incorporated DMP2160UWQ-7 0.1165
RFQ
 ECAD 3613 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMP2160 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 1.5A (TA) 2.5V, 4.5V 100mohm @ 1.5a, 4.5v 900MV @ 250µA ± 10V 627 pf @ 10 v - 350MW (TA)
ZVN0124Z Diodes Incorporated ZVN0124Z -
RFQ
 ECAD 9774 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) MOSFET (금속 (() To-92 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 240 v 160MA (TA) 10V 16ohm @ 250ma, 10V 3V @ 1mA ± 20V 85 pf @ 25 v - -
ZXTN04120HKTC Diodes Incorporated ZXTN04120HKTC 0.5900
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ZXTN04120 1.5 w TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 120 v 1.5 a 100NA (ICBO) npn-달링턴 1.5v @ 1ma, 1a 2000 @ 1a, 5V 150MHz
DMP3017SFGQ-7 Diodes Incorporated DMP3017SFGQ-7 -
RFQ
 ECAD 9399 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP3017 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 30 v 11.5A (TA) 4.5V, 10V 10mohm @ 11.5a, 10v 3V @ 250µA 41 NC @ 10 v ± 25V 2246 pf @ 15 v - 940MW (TA)
DMG2307L-7 Diodes Incorporated DMG2307L-7 0.3800
RFQ
 ECAD 140 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG2307 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 2.5A (TA) 4.5V, 10V 90mohm @ 2.5a, 10V 3V @ 250µA 8.2 NC @ 10 v ± 20V 371.3 pf @ 15 v - 760MW (TA)
DMG4407SSS-13 Diodes Incorporated DMG4407SSS-13 0.6300
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMG4407 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 9.9A (TA) 6V, 10V 11mohm @ 12a, 20V 3V @ 250µA 20.5 nc @ 10 v ± 25V 2246 pf @ 15 v - 1.45W (TA)
DMN6040SK3-13 Diodes Incorporated DMN6040SK3-13 0.6400
RFQ
 ECAD 9632 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMN6040 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 20A (TC) 4.5V, 10V 40mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 22.4 NC @ 10 v ± 20V 1287 pf @ 25 v - 42W (TC)
DMN10H170SVT-13 Diodes Incorporated DMN10H170SVT-13 0.1559
RFQ
 ECAD 2436 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMN10 MOSFET (금속 (() TSOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN10H170SVT-13DI 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 100 v 2.6A (TA) 4.5V, 10V 160mohm @ 5a, 10V 3V @ 250µA 9.7 NC @ 10 v ± 20V 1167 pf @ 25 v - 1.2W (TA)
DMTH69M8LFVWQ-7 Diodes Incorporated DMTH69M8LFVWQ-7 0.2601
RFQ
 ECAD 4970 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMTH69 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMTH69M8LFVWQ-7DI 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 15.9A (TA), 45.4A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 13.5a, 10V 3V @ 250µA 33.5 nc @ 10 v ± 16V 1925 pf @ 30 v - 3.6W (TA), 29.4W (TC)
DMP2007UFG-13 Diodes Incorporated DMP2007UFG-13 0.8400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP2007 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 18A (TA), 40A (TC) 2.5V, 10V 5.5mohm @ 15a, 10V 1.3V @ 250µA 85 NC @ 10 v ± 12V 4621 pf @ 10 v - 2.3W (TA)
DMP2035U-7 Diodes Incorporated DMP2035U-7 0.4300
RFQ
 ECAD 98 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP2035 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 3.6A (TA) 1.8V, 4.5V 35mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 15.4 NC @ 4.5 v ± 8V 1610 pf @ 10 v - 810MW (TA)
DMN2310U-13 Diodes Incorporated DMN2310U-13 0.0275
RFQ
 ECAD 4937 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2310 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN2310U-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 1.6A (TA) 1.8V, 4.5V 175mohm @ 300ma, 4.5v 950MV @ 250µA 0.7 nc @ 4.5 v ± 8V 38 pf @ 10 v - 480MW (TA)
ZVN4210ASTOA Diodes Incorporated zvn4210astoa -
RFQ
 ECAD 7306 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 Q1603162B 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 100 v 450MA (TA) 5V, 10V 1.5ohm @ 1.5a, 10V 2.4V @ 1mA ± 20V 100 pf @ 25 v - 700MW (TA)
DMT30M9LPS-13 Diodes Incorporated DMT30M9LPS-13 2.7200
RFQ
 ECAD 9870 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT30 MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (k) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 1MOHM @ 25A, 10V 3V @ 250µA 160.5 nc @ 10 v ± 20V 12121 pf @ 20 v - 2.6W (TA)
BS250FTC Diodes Incorporated BS250FTC -
RFQ
 ECAD 1787 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BS250 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 45 v 90MA (TA) 10V 14ohm @ 200ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 25 pf @ 10 v - 330MW (TA)
DMNH4006SK3-13 Diodes Incorporated DMNH4006SK3-13 0.7938
RFQ
 ECAD 3508 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMNH4006 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 18A (TA), 90A (TC) 10V 6ohm @ 86a, 10V 4V @ 250µA 51 NC @ 10 v ± 20V 2280 pf @ 25 v - 2.2W (TA)
BC817-25Q-7-F-52 Diodes Incorporated BC817-25Q-7-F-52 0.0345
RFQ
 ECAD 7201 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 310 MW SOT-23-3 다운로드 31-BC817-25Q-7-F-52 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 500 MA 100NA NPN 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 300ma, 1V 100MHz
2DB1188P-13 Diodes Incorporated 2DB1188P-13 -
RFQ
 ECAD 8563 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2DB1188 1 W. SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 32 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 800mv @ 200ma, 2a 82 @ 500ma, 3v 120MHz
BC857BFA-7B Diodes Incorporated BC857BFA-7B 0.3800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn BC857 435 MW X2-DFN0806-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 340MHz
ZVP4424ASTOB Diodes Incorporated zvp4424astob -
RFQ
 ECAD 5685 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 240 v 200MA (TA) 3.5V, 10V 9ohm @ 200ma, 10V 2V @ 1mA ± 40V 200 pf @ 25 v - 750MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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