SIC
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트랜지스터 (6028)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
DMTH41M2SPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH41M2SPSQ-13 2.7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH41 MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (k) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 225A (TC) 10V 1.2MOHM @ 30A, 10V 4V @ 250µA 138 NC @ 10 v ± 20V 11085 pf @ 20 v - 3.4W (TA), 158W (TC)
DMN2991UFB4-7B Diodes Incorporated DMN2991UFB4-7B 0.0440
RFQ
 ECAD 8438 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMN2991 MOSFET (금속 (() X2-DFN1006-3 다운로드 31-DMN2991UFB4-7B 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 500MA (TA) 1.8V, 4.5V 990mohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.28 nc @ 4.5 v ± 8V 14.6 pf @ 16 v - 360MW (TA)
DMN2992UFB4Q-7B Diodes Incorporated DMN2992UFB4Q-7B 0.2500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMN2992 MOSFET (금속 (() X2-DFN1006-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 20 v 830MA (TA) 1.8V, 4.5V 990mohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.41 NC @ 4.5 v ± 8V 15.6 pf @ 16 v - 380MW (TA)
DMP2042UCP4-7 Diodes Incorporated DMP2042UCP4-7 0.4200
RFQ
 ECAD 3645 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 4-XFBGA DMP2042 MOSFET (금속 (() x1-dsn1010-4 (c 형) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 3.4A (TA) 2.5V, 4.5V 48mohm @ 1a, 4.5v 1.2V @ 250µA 2.5 NC @ 4.5 v -6V 218 pf @ 10 v - 860MW (TA)
DMN62D0UV-7 Diodes Incorporated DMN62D0UV-7 0.4100
RFQ
 ECAD 9574 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DMN62 MOSFET (금속 (() 470MW (TA) SOT-563 - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 60V 490MA (TA) 2ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.5NC @ 4.5V 32pf @ 30V 기준
ZXMP6A13GTA-52 Diodes Incorporated ZXMP6A13GTA-52 0.2283
RFQ
 ECAD 6882 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ZXMP6A13 MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 31-ZXMP6A13GTA-52 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 60 v 1.7A (TA) 4.5V, 10V 390mohm @ 900ma, 10V 3V @ 250µA 5.9 NC @ 10 v ± 20V 219 pf @ 30 v - 2W (TA)
DMP26M1UPSW-13 Diodes Incorporated DMP26M1UPSW-13 0.3271
RFQ
 ECAD 9432 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn DMP26 MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (유형 ux) 다운로드 31-DMP26M1UPSW-13 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 83A (TC) 2.5V, 4.5V 6MOHM @ 15A, 4.5V 1V @ 250µA 164 NC @ 10 v ± 10V 5392 pf @ 10 v - 1.9W (TA), 2.6W (TC)
DMP22D5UFB4-7B Diodes Incorporated DMP22D5UFB4-7B 0.0340
RFQ
 ECAD 7931 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMP22 MOSFET (금속 (() X2-DFN1006-3 다운로드 31-DMP22D5UFB4-7B 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 20 v 400MA (TA) 1.5V, 4.5V 1.9ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.3 nc @ 4.5 v ± 8V 17 pf @ 15 v - 460MW (TA)
BC857CWQ-13 Diodes Incorporated BC857CWQ-13 0.0626
RFQ
 ECAD 3630 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 BC857 200 MW SOT-323 - 31-BC857CWQ-13 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 200MHz
BSS84DW-7-01-50 Diodes Incorporated BSS84DW-7-01-50 0.0850
RFQ
 ECAD 2136 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 BSS84 - 1 (무제한) 31-BSS84DW-7-01-50 3,000
DZT5551Q-13-52 Diodes Incorporated DZT5551Q-13-52 0.1488
RFQ
 ECAD 2750 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 2 w SOT-223 다운로드 31-DZT5551Q-13-52 귀 99 8541.29.0075 2,500 160 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V 300MHz
BSS123-7-F-50 Diodes Incorporated BSS123-7-F-50 0.0357
RFQ
 ECAD 6601 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS123 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 31-BSS123-7-F-50 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 170ma (TA) 4.5V, 10V 6ohm @ 170ma, 10V 2V @ 1mA ± 20V 60 pf @ 25 v - 300MW (TA)
ZVP1320FTA-52 Diodes Incorporated ZVP1320FTA-52 0.2252
RFQ
 ECAD 8371 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 31-ZVP1320FTA-52 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 200 v 35MA (TA) 10V 80ohm @ 50ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 25 v - 350MW (TA)
DMN30H4D0L-7-52 Diodes Incorporated DMN30H4D0L-7-52 0.2501
RFQ
 ECAD 4198 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN30 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 31-DMN30H4D0L-7-52 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 300 v 250MA (TA) 2.7V, 10V 4ohm @ 300ma, 10V 3V @ 250µA 7.6 NC @ 10 v ± 20V 187.3 pf @ 25 v - 310MW (TA)
DMN2005LP4K-7-52 Diodes Incorporated DMN2005LP4K-7-52 0.1002
RFQ
 ECAD 4414 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMN2005 MOSFET (금속 (() X2-DFN1006-3 다운로드 31-DMN2005LP4K-7-52 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 300MA (TA) 1.5V, 4V 1.5ohm @ 10ma, 4v 900mv @ 100µa ± 10V 37.1 pf @ 10 v - 400MW (TA)
DMT47M2SFVWQ-7-52 Diodes Incorporated DMT47M2SFVWQ-7-52 0.3621
RFQ
 ECAD 1407 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 31-DMT47M2SFVWQ-7-52 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 15.4A (TA), 49.1A (TC) 10V 7.5mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA 12.1 NC @ 10 v ± 20V 897 pf @ 20 v - 2.67W (TA), 27.1W (TC)
DMP3036SFVQ-13 Diodes Incorporated DMP3036SFVQ-13 0.2223
RFQ
 ECAD 7551 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP3036 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (유형 UX) 다운로드 31-DMP3036SFVQ-13 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 30 v 8.7A (TA), 30A (TC) 5V, 10V 20mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 16.5 nc @ 10 v ± 25V 1931 pf @ 15 v - 900MW (TA)
DMTH47M2LFVWQ-7 Diodes Incorporated DMTH47M2LFVWQ-7 0.2610
RFQ
 ECAD 1993 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powervdfn DMTH47 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX 다운로드 31-DMTH47M2LFVWQ-7 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 40 v 13.6A (TA), 49A (TC) 4.5V, 10V 8.9mohm @ 20a, 10V 2.3V @ 250µA 12.3 NC @ 10 v ± 20V 881 pf @ 20 v - 2.9W (TA), 37.5W (TC)
DMN4060SVTQ-13 Diodes Incorporated DMN4060SVTQ-13 0.1369
RFQ
 ECAD 1885 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMN4060 MOSFET (금속 (() TSOT-26 - 31-DMN4060SVTQ-13 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 채널 45 v 4.3A (TA) 4.5V, 10V 46MOHM @ 4.3A, 10V 3V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1159 pf @ 25 v - 1.2W (TA)
MJD42CQ-13 Diodes Incorporated MJD42CQ-13 0.5800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MJD42 1.5 w TO-252, (D-PAK) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0075 2,500 100 v 6 a 1µA PNP 1.5V @ 600MA, 6A 30 @ 300ma, 4v 3MHz
DMN62D2UQ-13 Diodes Incorporated DMN62D2UQ-13 0.0495
RFQ
 ECAD 7493 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 31-DMN62D2UQ-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 390MA (TA) 1.8V, 5V 2ohm @ 50ma, 5V 1V @ 250µA 0.8 nc @ 10 v ± 20V 41 pf @ 30 v - 500MW (TA)
DPLS160V-7 Diodes Incorporated DPLS160V-7 0.3500
RFQ
 ECAD 4463 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DPLS160 300MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 60 v 1 a 100NA PNP 330mv @ 100ma, 1a 150 @ 500ma, 5V 220MHz
BC847BVC-7-F Diodes Incorporated BC847BVC-7-F -
RFQ
 ECAD 6994 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 BC847 - rohs 준수 1 (무제한) 31-BC847BVC-7-FTR 쓸모없는 3,000
DMN3025LFDF-7 Diodes Incorporated DMN3025LFDF-7 0.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMN3025 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 9.9A (TA) 4.5V, 10V 20.5mohm @ 7a, 10V 2V @ 250µA 13.2 NC @ 10 v ± 20V 641 pf @ 15 v - 2.1W (TA)
FZT491AQTA Diodes Incorporated FZT491AQTA 0.3400
RFQ
 ECAD 9511 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT491 3 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 40 v 1 a 100NA NPN 500mv @ 100ma, 1a 300 @ 500ma, 5V 150MHz
ZXMN15A27KTC Diodes Incorporated ZXMN15A27KTC -
RFQ
 ECAD 4430 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 1.7A (TA) 10V 650mohm @ 2.15a, 10V 4V @ 250µA 6.6 NC @ 10 v ± 25V 169 pf @ 25 v - 2.2W (TA)
DMP32D4S-13 Diodes Incorporated DMP32D4S-13 0.3900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMP32 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 30 v 300MA (TA) 4.5V, 10V 2.4ohm @ 300ma, 10V 2.4V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 20V 51.16 pf @ 15 v - 370MW (TA)
DMN10H170SFG-13 Diodes Incorporated DMN10H170SFG-13 0.5800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN10 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 2.9A (TA), 8.5A (TC) 4.5V, 10V 122mohm @ 3.3a, 10V 3V @ 250µA 14.9 NC @ 10 v ± 20V 870.7 pf @ 25 v - 940MW (TA)
DMP2066LVT-13 Diodes Incorporated DMP2066LVT-13 -
RFQ
 ECAD 9118 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 DMP2066 MOSFET (금속 (() TSOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMP2066LVT-13DITR 귀 99 8541.29.0095 10,000 p 채널 20 v 4.5A (TA) 2.5V, 4.5V 45mohm @ 4.5a, 4.5v 1.5V @ 250µA 14.4 NC @ 4.5 v ± 8V 1496 pf @ 15 v - 1.2W (TA)
DMT6010LFG-7 Diodes Incorporated DMT6010LFG-7 0.8600
RFQ
 ECAD 1013 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT6010 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 13A (TA), 30A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 20a, 10V 2V @ 250µA 41.3 NC @ 10 v ± 20V 2090 pf @ 30 v - 2.2W (TA), 41W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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