SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
DMP2100UFU-7 Diodes Incorporated DMP2100UFU-7 0.1736
RFQ
ECAD 8343 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-ufdfn 노출 패드 DMP2100 MOSFET (금속 (() 900MW u-dfn2030-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 20V 5.7a 38mohm @ 3.5a, 10V 1.4V @ 250µA 21.4NC @ 10V 906pf @ 10V -
DMN2028UFDH-7 Diodes Incorporated DMN2028UFDH-7 0.4000
RFQ
ECAD 128 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN2028 MOSFET (금속 (() 1.1W PowerDI3030-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널 채널) 일반적인 배수 20V 6.8a 20mohm @ 4a, 10V 1V @ 250µA 8.5NC @ 4.5V 151pf @ 10V 논리 논리 게이트
DMN2058UW-13 Diodes Incorporated DMN2058UW-13 0.0562
RFQ
ECAD 4682 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMN2058 MOSFET (금속 (() SOT-323 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 3.5A (TA) 1.8V, 10V 42mohm @ 3a, 10V 1.2V @ 250µA 7.7 NC @ 10 v ± 12V 281 pf @ 10 v - 500MW (TA)
DMNH6021SPD-13 Diodes Incorporated DMNH6021SPD-13 0.5250
RFQ
ECAD 1924 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMNH6021 MOSFET (금속 (() 1.5W PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 n 채널 (채널) 60V 8.2A, 32A 25mohm @ 15a, 10V 3V @ 250µA 20.1NC @ 10V 1143pf @ 25v -
DMN15H310SK3-13 Diodes Incorporated DMN15H310SK3-13 0.2284
RFQ
ECAD 1485 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMN15 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 8.3A (TC) 4V, 10V 310mohm @ 1.5a, 10V 3V @ 250µA 8.7 NC @ 10 v ± 20V 405 pf @ 25 v - 32W (TA)
DMTH6004SPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH6004SPSQ-13 0.9923
RFQ
ECAD 1331 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH6004 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 25A (TA), 100A (TC) 10V 3.1mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 95.4 NC @ 10 v ± 20V 4556 pf @ 30 v - 2.1W (TA), 167W (TC)
DMP4013LFGQ-13 Diodes Incorporated DMP4013LFGQ-13 0.9100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP4013 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 40 v 10.3A (TA) 4.5V, 10V 13mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 68.6 NC @ 10 v ± 20V 3426 pf @ 20 v - 1W (TA)
DMN2990UDJQ-7 Diodes Incorporated DMN2990UDJQ-7 0.4600
RFQ
ECAD 1680 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-963 DMN2990 MOSFET (금속 (() SOT-963 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 450MA (TA) 990mohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.5NC @ 4.5V 27.6pf @ 16V -
DMP22M2UPS-13 Diodes Incorporated DMP22M2UPS-13 0.9214
RFQ
ECAD 6140 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMP22 MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (k) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 60A (TC) 2.5V, 10V 2.5mohm @ 25a, 10V 1.4V @ 250µA 476 NC @ 10 v ± 12V 12826 pf @ 10 v - 2.3W (TA)
DMN10H099SFG-7 Diodes Incorporated DMN10H099SFG-7 0.6500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN10 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 100 v 4.2A (TA) 6V, 10V 80mohm @ 3.3a, 10V 3V @ 250µA 25.2 NC @ 10 v ± 20V 1172 pf @ 50 v - 980MW (TA)
DMT10H072LFDF-7 Diodes Incorporated DMT10H072LFDF-7 0.2619
RFQ
ECAD 3226 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMT10 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (f 형) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 100 v 4A (TA) 4.5V, 10V 62MOHM @ 4.5A, 10V 3V @ 250µA 5.1 NC @ 10 v ± 20V 266 pf @ 50 v - 800MW (TA)
DMTH4008LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH4008LPSQ-13 0.8400
RFQ
ECAD 9036 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH4008 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 14.4A (TA), 64.8A (TC) 5V, 10V 8.8mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA 15.3 NC @ 10 v ± 20V 1088 pf @ 20 v - 2.99W (TA), 55.5W (TC)
DMN67D8L-13 Diodes Incorporated DMN67D8L-13 0.0278
RFQ
ECAD 9630 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN67 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 60 v 210MA (TA) 5V, 10V 5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA 0.82 nc @ 10 v ± 30V 22 pf @ 25 v - 340MW (TA)
ZXMN2B01FTA Diodes Incorporated zxmn2b01fta 0.4600
RFQ
ECAD 69 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXMN2 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 2.1A (TA) 1.8V, 4.5V 100mohm @ 2.4a, 4.5v 1V @ 250µA 4.8 NC @ 4.5 v ± 8V 370 pf @ 10 v - 625MW (TA)
DMN3022LDG-13 Diodes Incorporated DMN3022LDG-13 0.3632
RFQ
ECAD 7751 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerldfn DMN3022 MOSFET (금속 (() 1.96W (TA) PowerDI3333-8 (유형 D) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 30V 7.6A (TA), 15A (TC) 22mohm @ 10a, 5v, 8mohm @ 10a, 5v 2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA 3.7nc @ 4.5v, 8nc @ 4.5v 481pf @ 15v, 996pf @ 15v -
DMN3025LFG-7 Diodes Incorporated DMN3025LFG-7 0.4600
RFQ
ECAD 20 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN3025 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 7.5A (TA) 4.5V, 10V 18mohm @ 7.8a, 10V 2V @ 250µA 11.6 NC @ 10 v ± 20V 605 pf @ 15 v - 2W (TA)
ZVP0120ASTOA Diodes Incorporated ZVP0120ASTOA -
RFQ
ECAD 3298 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 200 v 110MA (TA) 10V 32ohm @ 125ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 100 pf @ 25 v - 700MW (TA)
ZVP2106ASTZ Diodes Incorporated zvp2106astz 0.8700
RFQ
ECAD 8979 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 컷 컷 (CT) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZVP2106 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 60 v 280MA (TA) 10V 5ohm @ 500ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 100 pf @ 18 v - 700MW (TA)
DMP1011UCB9-7 Diodes Incorporated DMP1011UCB9-7 0.8300
RFQ
ECAD 15 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 9-UFBGA, WLBGA DMP1011 MOSFET (금속 (() U-WLB1515-9 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 8 v 10A (TA) 2.5V, 4.5V 10mohm @ 2a, 4.5v 1.1V @ 250µA 10.5 nc @ 4.5 v -6V 1060 pf @ 4 v - 890MW (TA)
MMDT3946-7R-F Diodes Incorporated MMDT3946-7R-F 0.0483
RFQ
ECAD 2415 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMDT3946 200MW SOT-363 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-MMDT3946-7R-FTR 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 200ma 50NA NPN, PNP 보완 300mv @ 5ma, 50ma / 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz, 250MHz
DMN3008SFG-13 Diodes Incorporated DMN3008SFG-13 0.2558
RFQ
ECAD 4791 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMN3008 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN3008SFG-13DI 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 17.6A (TA) 4.5V, 10V 4.6mohm @ 13.5a, 10V 2.3V @ 250µA 86 NC @ 10 v ± 20V 3690 pf @ 10 v - 900MW (TA)
DMT10H015LSS-13 Diodes Incorporated DMT10H015LSSSS-13 1.0700
RFQ
ECAD 3472 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMT10 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 8.3A (TA) 4.5V, 10V 16MOHM @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 33.3 NC @ 10 v ± 20V 1871 pf @ 50 v - 1.2W (TA)
2N7002-7-F-79 Diodes Incorporated 2N7002-7-F-79 -
RFQ
ECAD 9387 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 2N7002 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2N7002-7-F-79DI 귀 99 8541.21.0095 3,000
DMP2065UFDB-13 Diodes Incorporated DMP2065UFDB-13 0.1508
RFQ
ECAD 8070 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMP2065 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 10,000 2 p 채널 (채널) 4.5A (TA) 50mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 250µA 9.1NC @ 4.5V 752pf @ 15V -
DMC3016LSD-13 Diodes Incorporated DMC3016LSD-13 0.5500
RFQ
ECAD 12 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMC3016 MOSFET (금속 (() 1.2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 및 p 채널 30V 8.2A, 6.2A 16mohm @ 12a, 10V 2.3V @ 250µA 25.1NC @ 10V 1415pf @ 15V 논리 논리 게이트
DMP3037LSS-13 Diodes Incorporated DMP3037LSSSS-13 0.4200
RFQ
ECAD 25 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMP3037 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 5.8A (TA) 4.5V, 10V 32mohm @ 7a, 10V 2.4V @ 250µA 19.3 NC @ 10 v ± 20V 931 pf @ 15 v - 1.2W (TA)
DMG3404L-13 Diodes Incorporated DMG3404L-13 0.0831
RFQ
ECAD 5467 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMG3404 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMG3404L-13DI 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 4.2A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 5.8a, 10V 2V @ 250µA 13.2 NC @ 10 v ± 20V 641 pf @ 15 v - 780MW (TA)
DMP4025SFGQ-7 Diodes Incorporated DMP4025SFGQ-7 0.6000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMP4025 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 40 v 7.2A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 3a, 10V 1.8V @ 250µA 33.7 NC @ 10 v ± 20V 1643 PF @ 20 v - 810MW (TA)
MMDT2222V-7-52 Diodes Incorporated MMDT222V-7-52 0.0800
RFQ
ECAD 9868 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 MMDT2222 150MW SOT-563 다운로드 31-MMDT222V-7-52 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 600ma 10NA 2 NPN (() 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
DMT3004LPS-13 Diodes Incorporated DMT3004LPS-13 0.9100
RFQ
ECAD 2945 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMT3004 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 21A (TA), 140A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 43.7 NC @ 10 v +20V, -16V 2370 pf @ 15 v - 2.7W (TA), 113W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고