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트랜지스터 (6028)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	전압 - 평가	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	현재 현재 (amp)	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
DMT3020LSDQ-13	0.6400	RFQ	7166	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMT3020	MOSFET (금속 (()	1W (TA)	도 8-	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	2 n 채널 (채널)			30V	16A (TC)		20mohm @ 9a, 10V	2.5V @ 250µA	7NC @ 10V		393pf @ 15V	-
ADTA124ECAQ-7	0.3500	RFQ	1	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인				표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ADTA124		310 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-ADTA124ECAQ-7TR	귀 99	8541.21.0075	3,000														50 v	100 MA	500NA	pnp- 사전-	300MV @ 500µA, 10MA	56 @ 5MA, 5V	250MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
DMT3006LDV-13	0.2545	RFQ	7246	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-powervdfn	DMT3006	MOSFET (금속 (()	900MW (TA)	PowerDI3333-8 (유형 UXC)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지			0000.00.0000	3,000	2 n 채널 (채널)			30V	25A (TC)		10mohm @ 9a, 10V	3V @ 250µA	16.7NC @ 10V		1155pf @ 15V	-
DMP1012UCB9-7	0.3015	RFQ	5346	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	9-UFBGA, WLBGA	DMP1012	MOSFET (금속 (()		U-WLB1515-9	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널		8 v	10A (TA)	2.5V, 4.5V	10mohm @ 2a, 4.5v	1.1V @ 250µA	10.5 nc @ 4.5 v	-6V	1060 pf @ 4 v	-	890MW (TA)
DMJ65H190SCTI	-	RFQ	5461	다이오드가 다이오드가	*	튜브	활동적인						DMJ65				-	rohs 준수	1 (무제한)	영향을받습니다				50
DMN62D2UQ-13	0.0495	RFQ	7493	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)		31-DMN62D2UQ-13TR	귀 99	8541.21.0095	10,000		n 채널		60 v	390MA (TA)	1.8V, 5V	2ohm @ 50ma, 5V	1V @ 250µA	0.8 nc @ 10 v	± 20V	41 pf @ 30 v	-	500MW (TA)
DMN63D1LDW-7	0.0840	RFQ	2453	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DMN63	MOSFET (금속 (()	310MW	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)			60V	250ma		2ohm @ 500ma, 10V	2.5V @ 1mA	0.3NC @ 4.5V		30pf @ 25V	-
DMT6018LDR-7	0.8900	RFQ	2237	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-powervdfn	DMT6018	MOSFET (금속 (()	1.9W	V-DFN3030-8	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)			60V	8.8A (TA)		17mohm @ 8.2a, 10V	3V @ 250µA	13.9NC @ 10V		869pf @ 30v	-
DMN3135LVT-7	0.4500	RFQ	3454	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	DMN3135	MOSFET (금속 (()	840MW	TSOT-26	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	2 n 채널 (채널)			30V	3.5a		60mohm @ 3.1a, 10V	2.2V @ 250µA	4.1NC @ 4.5V		305pf @ 15V	논리 논리 게이트
DMN2025UFDF-13	0.0998	RFQ	7380	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	6-udfn n 패드	DMN2025	MOSFET (금속 (()		u-dfn2020-6 (f 형)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000		n 채널		20 v	6.5A (TA)	1.8V, 4.5V	25mohm @ 4a, 4.5v	1V @ 250µA	12.3 NC @ 10 v	± 10V	486 pf @ 10 v	-	700MW (TA)
BC847BVC-7-F	-	RFQ	6994	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는						BC847				-	rohs 준수	1 (무제한)		31-BC847BVC-7-FTR	쓸모없는		3,000
DMP1018UCB9-7	-	RFQ	7904	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	9-UFBGA, WLBGA	DMP1018	MOSFET (금속 (()		U-WLB1515-9	-		1 (무제한)		31-DMP1018UCB9-7TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		p 채널		12 v	7.6A (TA)	2.5V, 4.5V	18mohm @ 2a, 4.5v	1.3V @ 250µA	4.9 NC @ 4.5 v	-6V	457 pf @ 6 v	-	1W (TA)
FMMT493AW	-	RFQ	2742	다이오드가 다이오드가	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			500MW	SOT-23 ((DN)	-				31-FMMT493AW	귀 99	8541.21.0075	1														100 v	1 a	100NA	NPN	600mv @ 100ma, 1a	100 @ 250ma, 10V	150MHz
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DMB54D0UV-13	-	RFQ	6319	다이오드가 다이오드가	-	대부분	쓸모없는	45V PNP, 50V N 채널		범용	표면 표면	SOT-563, SOT-666	DMB54			SOT-563	다운로드				31-DMB54D0UV-13	귀 99	8541.21.0095	1			100MA PNP, 160MA N- 채널														PNP, N-,
DMN5L06DWK-7-79	-	RFQ	3097	다이오드가 다이오드가	-	대부분	쓸모없는		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DMN5L06	MOSFET (금속 (()	250MW (TA)	SOT-363	-				31-DMN5L06DWK-7-79	귀 99	8541.21.0095	1	2 n 채널 (채널)			50V	305MA (TA)		2ohm @ 50ma, 5V	1V @ 250µA	0.4NC @ 4.5V		50pf @ 25V	-
2N7002T-7-F-79	-	RFQ	6368	다이오드가 다이오드가	-	대부분	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	SOT-523	2N7002	MOSFET (금속 (()		SOT-523	-				31-2N7002T-7-F-79	귀 99	8541.21.0095	1		n 채널		60 v	115MA (TA)	5V, 10V	7.5ohm @ 50ma, 5V	2V @ 250µA		± 20V	50 pf @ 25 v	-	150MW (TA)
DMP3021SFVW-7	0.6200	RFQ	9104	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-powervdfn	DMP3021	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		p 채널		30 v	11A (TA), 42A (TC)	5V, 10V	15mohm @ 8a, 10V	2.5V @ 250µA	34 NC @ 10 v	± 25V	1799 pf @ 15 v	-	1W (TA)
DMP2070U-13	0.5100	RFQ	10	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMP2070	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000		p 채널		20 v	4.6A (TC)	1.8V, 4.5V	44mohm @ 2a, 4.5v	950MV @ 250µA	8.2 NC @ 10 v	± 8V	118 pf @ 10 v	-	830MW
DMP3011SSS-13	0.9300	RFQ	6	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)	DMP3011	MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500		p 채널		30 v	11A (TA), 32A (TC)	4.5V, 10V	10mohm @ 11.5a, 10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 v	± 25V	2380 pf @ 15 v	-	1.4W (TA)
DMN2991UDJ-7	0.3700	RFQ	19	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	SOT-963	DMN2991	MOSFET (금속 (()	400MW (TA)	SOT-963	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000	2 n 채널 (채널)			20V	520MA (TA)		990mohm @ 100ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.35NC @ 4.5V		21.5pf @ 15V	-
DMTH6015LDVW-13	0.3061	RFQ	1144	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	8-powervdfn	DMTH6015	MOSFET (금속 (()	1.46W (TA)	PowerDI3333-8 (유형 UXD)	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMTH6015LDVW-13TR	귀 99	8541.29.0095	3,000	2 n 채널 (채널)			60V	9.2A (TA), 24.5A (TC)		20.5mohm @ 10a, 10V	2.5V @ 250µA	14.3NC @ 10V		825pf @ 30V	-
DMN31D5UFO-7B	0.0367	RFQ	1610	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	3-xfdfn	DMN31	MOSFET (금속 (()		X2-DFN0604-3	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-dmn31d5ufo-7btr	귀 99	8541.21.0095	10,000		n 채널		30 v	410MA (TA)	1.5V, 4.5V	1.5ohm @ 100ma, 4.5v	1V @ 250µA	0.38 nc @ 4.5 v	± 12V	22.6 pf @ 15 v	-	380MW (TA)
DMTH48M3SFVW-13	0.2217	RFQ	4194	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면, 마운트 측면	8-powervdfn		MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMTH48M3SFVW-13TR	귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		40 v	14.6A (TA), 52.4A (TC)	10V	8.9mohm @ 20a, 10V	4V @ 250µA	12.1 NC @ 10 v	± 20V	897 pf @ 20 v	-	2.82W (TA), 36.6W (TC)
DMT61M5SWSW-13	0.8489	RFQ	9221	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-powertdfn		MOSFET (금속 (()		PowerDI5060-8 (SWP)	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMT61M5SWSW-13TR	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널		60 v	215A (TC)	10V	1.5mohm @ 30a, 10V	4V @ 250µA	130.6 NC @ 10 v	± 20V	8306 pf @ 30 v	-	2.7W (TA), 139W (TC)
DMC3061SVTQ-13	0.1324	RFQ	9257	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	DMC3061	MOSFET (금속 (()	880MW	TSOT-26	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMC3061SVTQ-13TR	귀 99	8541.29.0095	10,000	n 보완 p 채널 및			30V	3.4A (TA), 2.7A (TA)		60mohm @ 3.1a, 10v, 95mohm @ 2.7a, 10v	1.8V @ 250µA, 2.2V @ 250µA	6.6NC @ 10V, 6.8NC @ 10V		278pf @ 15v, 287pf @ 15v	-
DMP2016UFDF-13	0.1581	RFQ	7740	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	6-udfn n 패드	DMP2016	MOSFET (금속 (()		u-dfn2020-6 (f 형)	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMP2016UFDF-13TR	귀 99	8541.29.0095	10,000		p 채널		20 v	9.5A (TA)	1.5V, 4.5V	15mohm @ 7a, 4.5v	1.1V @ 250µA	30 nc @ 8 v	± 8V	1710 pf @ 10 v	-	900MW (TA)
DMT31M7LSSS-13	0.4572	RFQ	7372	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비)		MOSFET (금속 (()		도 8-	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-DMT31M7LSS-13TR	귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널		30 v	25A (TA), 78A (TC)	4.5V, 10V	2.7mohm @ 20a, 10V	3V @ 250µA	84 NC @ 10 v	± 20V	5492 pf @ 15 v	-	1.7W (TA), 5.9W (TC)
2N7002DWQ-13-F	0.1018	RFQ	1586	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	2N7002	MOSFET (금속 (()	310MW (TA)	SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-2N7002DWQ-13-FTR	귀 99	8541.21.0095	10,000	2 n 채널 (채널)			60V	230MA (TA)		7.5ohm @ 50ma, 5V	2V @ 250µA	-		50pf @ 25V	-
2N7002EQ-7-F	0.0605	RFQ	6649	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2N7002	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드			영향을받지 영향을받지	31-2N7002EQ-7-FTR	귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널		60 v	292MA (TA)	4.5V, 10V	3ohm @ 250ma, 10V	2.5V @ 250µA	0.5 nc @ 10 v	± 20V	35 pf @ 30 v	-	500MW (TA)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (6028)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²