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트랜지스터 (6028)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	전압 - 평가	작동 작동	응용 응용	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	구성	FET 유형	현재 현재 (amp)	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	현재- 컷오프 수집기 (최대)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)
ZTX957STOA	-	RFQ	8967	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	e-line-3,-된 리드	ZTX957		1.2 w	e- 라인 (TO-92 호환)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,000														300 v	1 a	50NA (ICBO)	PNP	200mv @ 300ma, 1a	100 @ 500ma, 10V	85MHz
BSS123Q-13	0.2600	RFQ	17	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BSS123	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000		n 채널		100 v	170ma (TA)	4.5V, 10V	6ohm @ 170ma, 10V	2V @ 1mA		± 20V	60 pf @ 25 v	-	300MW (TA)
DDTC144TE-7-F	0.0605	RFQ	7488	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인				표면 표면	SOT-523	DDTC144		150 MW	SOT-523	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000														50 v	100 MA	500NA (ICBO)	npn-사전-	300mv @ 250µa, 2.5ma	100 @ 1ma, 5V	250MHz	47 Kohms
ztx789astoa	-	RFQ	3833	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	e-line-3,-된 리드	ZTX789A		1 W.	e- 라인 (TO-92 호환)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,000														25 v	3 a	100NA (ICBO)	PNP	500mv @ 100ma, 3a	300 @ 10ma, 2v	100MHz
DMN3061SWQ-7	0.4400	RFQ	9386	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	SC-70, SOT-323	DMN3061	MOSFET (금속 (()		SOT-323	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널		30 v	2.7A (TA)	3.3V, 10V	60mohm @ 3.1a, 10V	1.8V @ 250µA	3.5 NC @ 4.5 v	± 20V	278 pf @ 15 v	-	490MW (TA)
ZXMD63P03XTC	-	RFQ	8869	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)	ZXMD63	MOSFET (금속 (()	1.04W	8-MSOP	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000	2 p 채널 (채널)			30V	-		185mohm @ 1.2a, 10V	1V @ 250µA (Min)	7NC @ 10V		270pf @ 25V	논리 논리 게이트
DMNH6012LK3-13	0.4925	RFQ	1626	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)		표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	DMNH6012	MOSFET (금속 (()		TO-252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널		60 v	60A (TC)	4.5V, 10V	12MOHM @ 25A, 10V	3V @ 250µA	35.2 NC @ 10 v	± 20V	1926 pf @ 30 v	-	2W (TA)
zxmhn6a07t8ta	-	RFQ	8594	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	SOT-223-8	ZXMHN6A07T8	MOSFET (금속 (()	1.6W	sm8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	1,000	4 n 채널 (채널 교량)			60V	1.4a		300mohm @ 1.8a, 10V	3V @ 250µA	3.2NC @ 10V		166pf @ 40v	논리 논리 게이트
ZTX449STOB	-	RFQ	5190	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)		구멍을 구멍을	e-line-3,-된 리드	ZTX449		1 W.	e- 라인 (TO-92 호환)	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0075	2,000														30 v	1 a	100NA (ICBO)	NPN	1V @ 200MA, 2A	100 @ 500ma, 2v	150MHz
DMT67M8LCGQ-13	0.4596	RFQ	8248	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-powervdfn	DMT67	MOSFET (금속 (()		V-DFN3333-8 (유형 b)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	31-DMT67M8LCGQ-13TR	귀 99	8541.21.0095	3,000		n 채널		60 v	16A (TA), 64.6A (TC)	4.5V, 10V	5.7mohm @ 20a, 10V	2.5V @ 250µA	37.5 nc @ 10 v	± 20V	2130 pf @ 30 v	-	900MW (TC)
ZXMD63N03XTC	-	RFQ	4916	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00mm 너비)	ZXMD63	MOSFET (금속 (()	1.04W	8-MSOP	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000	2 n 채널 (채널)			30V	2.3a		135mohm @ 1.7a, 10V	1V @ 250µA (Min)	8NC @ 10V		290pf @ 25V	논리 논리 게이트
DPLS160V-7	0.3500	RFQ	4463	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	SOT-563, SOT-666	DPLS160		300MW	SOT-563	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000														60 v	1 a	100NA	PNP	330mv @ 100ma, 1a	150 @ 500ma, 5V	220MHz
DMB53D0UDW-7	-	RFQ	3221	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	45V NPN, 50V N- 채널		범용	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DMB53			SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			100MA PNP, 160MA N- 채널														NPN, N-,
DMB54D0UDW-7	-	RFQ	9932	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	45V PNP, 50V N 채널		범용	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	DMB54			SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			100MA PNP, 160MA N- 채널														PNP, N-,
DMP4025SFGQ-13	0.5900	RFQ	90	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-powervdfn	DMP4025	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000		p 채널		40 v	7.2A (TA)	4.5V, 10V	25mohm @ 3a, 10V	1.8V @ 250µA	33.7 NC @ 10 v	± 20V	1643 PF @ 20 v	-	810MW (TA)
DMP2066LVT-13	-	RFQ	9118	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	DMP2066	MOSFET (금속 (()		TSOT-23-6	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMP2066LVT-13DITR	귀 99	8541.29.0095	10,000		p 채널		20 v	4.5A (TA)	2.5V, 4.5V	45mohm @ 4.5a, 4.5v	1.5V @ 250µA	14.4 NC @ 4.5 v	± 8V	1496 pf @ 15 v	-	1.2W (TA)
DMN2005UFG-13	0.5700	RFQ	102	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-powervdfn	DMN2005	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		20 v	18.1A (TC)	2.5V, 4.5V	4.6mohm @ 13.5a, 4.5v	1.2V @ 250µA	164 NC @ 10 v	± 12V	6495 pf @ 10 v	-	1.05W (TA)
DMT6010LFG-7	0.8600	RFQ	1013	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-powervdfn	DMT6010	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,000		n 채널		60 v	13A (TA), 30A (TC)	4.5V, 10V	7.5mohm @ 20a, 10V	2V @ 250µA	41.3 NC @ 10 v	± 20V	2090 pf @ 30 v	-	2.2W (TA), 41W (TC)
DMP2023UFDF-13	0.2321	RFQ	8598	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	6-udfn n 패드	DMP2023	MOSFET (금속 (()		u-dfn2020-6 (f 형)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMP2023UFDF-13DI	귀 99	8541.21.0095	10,000		p 채널		20 v	7.6A (TA)	1.5V, 4.5V	27mohm @ 7a, 4.5v	1V @ 250µA	27 NC @ 4.5 v	± 8V	1837 pf @ 15 v	-	730MW (TA)
DMN2028UFDF-13	0.1218	RFQ	7849	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	6-udfn n 패드	DMN2028	MOSFET (금속 (()		u-dfn2020-6 (f 형)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	DMN2028UFDF-13DI	귀 99	8541.21.0095	10,000		n 채널		20 v	7.9A (TA)	1.5V, 4.5V	25mohm @ 4a, 4.5v	1V @ 250µA	18 nc @ 8 v	± 8V	907 pf @ 10 v	-	660MW (TA)
ZXMN6A08GQTC	0.3587	RFQ	6408	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	ZXMN6	MOSFET (금속 (()		SOT-223-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	4,000		n 채널		60 v	3.8A (TA)	4.5V, 10V	80mohm @ 4.8a, 10V	1V @ 250µA	5.8 nc @ 10 v	± 20V	459 pf @ 40 v	-	2W (TA)
DMT3004LFG-13	0.3350	RFQ	4833	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	8-powervdfn	DMT3004	MOSFET (금속 (()		PowerDI3333-8	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	10.4A (TA), 25A (TC)	4.5V, 10V	4.5mohm @ 20a, 10V	3V @ 250µA	44 NC @ 10 v	+20V, -16V	2370 pf @ 15 v	-	2.1W (TA), 42W (TC)
DTM3A25P20NFDB-7	0.4100	RFQ	115	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	25V PNP, 20 N 채널		범용	표면 표면	6-udfn n 패드	DTM3A25			u-dfn2020-6 (유형 b)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			3A														PNP, N-,
DMN3025LFDF-7	0.5000	RFQ	3	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	6-udfn n 패드	DMN3025	MOSFET (금속 (()		u-dfn2020-6 (f 형)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000		n 채널		30 v	9.9A (TA)	4.5V, 10V	20.5mohm @ 7a, 10V	2V @ 250µA	13.2 NC @ 10 v	± 20V	641 pf @ 15 v	-	2.1W (TA)
DMP32D4S-13	0.3900	RFQ	30	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DMP32	MOSFET (금속 (()		SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	10,000		p 채널		30 v	300MA (TA)	4.5V, 10V	2.4ohm @ 300ma, 10V	2.4V @ 250µA	0.6 nc @ 4.5 v	± 20V	51.16 pf @ 15 v	-	370MW (TA)
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FZT491AQTA	0.3400	RFQ	9511	다이오드가 다이오드가	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-261-4, TO-261AA	FZT491		3 w	SOT-223	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0075	1,000														40 v	1 a	100NA	NPN	500mv @ 100ma, 1a	300 @ 500ma, 5V	150MHz
ZXMN15A27KTC	-	RFQ	4430	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)		표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63		MOSFET (금속 (()		TO-252-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8541.29.0095	2,500		n 채널		150 v	1.7A (TA)	10V	650mohm @ 2.15a, 10V	4V @ 250µA	6.6 NC @ 10 v	± 25V	169 pf @ 25 v	-	2.2W (TA)
LMN200B02-7	-	RFQ	3394	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	50V PNP, 60V N- 채널		로드로드	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	LMN200			SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			200MA PNP, 115MA N- 채널														pnp 바이어스 사전, n- 채널 사전 바이어스
LMN400E01-7	-	RFQ	4574	다이오드가 다이오드가	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	50V PNP, 60V N- 채널		로드로드	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	LMN400			SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000			400MA PNP, 115MA														pnp 바이어스 사전, n- 채널 사전 바이어스

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (6028)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²