SIC
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트랜지스터 (6028)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
ZTX717STOA Diodes Incorporated ZTX717STOA -
RFQ
 ECAD 4241 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX717 e- 라인 (TO-92 호환) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 12 v 3 a - PNP - - -
ZXTN25060BZQTA Diodes Incorporated ZXTN25060BZQTA 0.3040
RFQ
 ECAD 6692 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA ZXTN25060 1.1 w SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 5 a 50NA (ICBO) NPN 305MV @ 500MA, 5A 100 @ 10ma, 2v 185MHz
DMT10H010LK3-13 Diodes Incorporated DMT10H010LK3-13 1.2100
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMT10 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 68.8A (TC) 6V, 10V 8.8mohm @ 13a, 10V 3V @ 250µA 53.7 NC @ 10 v ± 20V 2592 pf @ 50 v - 3W (TA)
ZTX557STZ Diodes Incorporated ZTX557STZ -
RFQ
 ECAD 9537 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX557 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 300 v 500 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 5ma, 50ma 50 @ 50MA, 10V 75MHz
DDTA123ECA-7-F Diodes Incorporated DDTA123ECA-7-F 0.2200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTA123 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 20ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 2.2 Kohms
BC847BLP-7 Diodes Incorporated BC847BLP-7 0.3800
RFQ
 ECAD 625 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn BC847 250 MW X1-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
ZTX951STOB Diodes Incorporated ZTX951STOB -
RFQ
 ECAD 2703 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX951 1.2 w e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 60 v 4 a 50NA (ICBO) PNP 300mv @ 400ma, 4a 100 @ 1a, 1v 120MHz
DMN2400UFB4-7B Diodes Incorporated DMN2400UFB4-7B -
RFQ
 ECAD 3856 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMN2400 MOSFET (금속 (() X2-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN2400UFB4-7BDI 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 750MA (TA) 1.8V, 4.5V 550mohm @ 600ma, 4.5v 900MV @ 250µA 0.5 nc @ 4.5 v ± 12V 36 pf @ 16 v - 470MW (TA)
ZXTP749FTA Diodes Incorporated zxtp749fta 0.3600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZXTP749 725 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 25 v 3 a 50NA (ICBO) PNP 350mv @ 300ma, 3a 200 @ 100ma, 2v -
DMMT3906W-7 Diodes Incorporated DMMT3906W-7 -
RFQ
 ECAD 5807 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMMT3906 200MW SOT-363 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 200ma - 2 pnp (() 일치하는 쌍 쌍 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
BCW68HTC Diodes Incorporated BCW68HTC -
RFQ
 ECAD 6612 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW68 330 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 800 MA 20NA PNP 300mv @ 10ma, 100ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
FMMT593TA Diodes Incorporated FMMT593TA 0.4400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT593 500MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 100 v 1 a 100NA PNP 300mv @ 50ma, 500ma 100 @ 500ma, 5V 50MHz
DDTA123TUA-7 Diodes Incorporated DDTA123TUA-7 -
RFQ
 ECAD 2892 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTA123 200 MW SOT-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms
ZXTP2009ZTA Diodes Incorporated ZXTP2009ZTA 0.8700
RFQ
 ECAD 8291 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA ZXTP2009 2.1 w SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 40 v 5.5 a 20NA PNP 185MV @ 550MA, 5.5A 200 @ 500ma, 2v 152MHz
BCX5516TA Diodes Incorporated BCX5516TA 0.4300
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA BCX5516 1 W. SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 60 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 100 @ 150ma, 2v 150MHz
DMMT3906W-7-F Diodes Incorporated DMMT3906W-7-F 0.3700
RFQ
 ECAD 277 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMMT3906 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40V 200ma - 2 pnp (() 일치하는 쌍 쌍 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 250MHz
DSS4540X-13 Diodes Incorporated DSS4540X-13 0.4400
RFQ
 ECAD 1348 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA DSS4540 900 MW SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,500 40 v 4 a 100NA NPN 355mv @ 500ma, 5a 250 @ 2A, 2V 70MHz
DMP6110SSD-13 Diodes Incorporated DMP6110SSD-13 0.5900
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMP6110 MOSFET (금속 (() 1.2W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 2 p 채널 (채널) 60V 3.3a 105mohm @ 4.5a, 10V 3V @ 250µA 17.2NC @ 10V 969pf @ 30v -
ZVP0120ASTOB Diodes Incorporated ZVP0120ASTOB -
RFQ
 ECAD 5221 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 e-line-3 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 p 채널 200 v 110MA (TA) 10V 32ohm @ 125ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 100 pf @ 25 v - 700MW (TA)
DDA114TK-7-F Diodes Incorporated DDA114TK-7-F -
RFQ
 ECAD 9584 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-23-6 DDA114 300MW SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma - 2 pnp--바이어스 (듀얼) 300mv @ 100µa, 1ma 100 @ 1ma, 5V 250MHz 10kohms -
ZXM62P03GTA Diodes Incorporated ZXM62P03GTA -
RFQ
 ECAD 3720 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 30 v 2.9A (TA), 4A (TC) 4.5V, 10V 150mohm @ 1.6a, 10V 1V @ 250µA 10.2 NC @ 10 v ± 20V 330 pf @ 25 v - 2W (TA)
ZTX790ASTOA Diodes Incorporated ztx790astoa -
RFQ
 ECAD 3248 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 ZTX790A 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 40 v 2 a 100NA (ICBO) PNP 750MV @ 50MA, 2A 300 @ 10ma, 2v 100MHz
ZX5T869GTA Diodes Incorporated ZX5T869GTA -
RFQ
 ECAD 1283 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ZX5T869 3 w SOT-223-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 25 v 7 a 20NA (ICBO) NPN 220MV @ 150MA, 6.5A 300 @ 1a, 1v 150MHz
DDTC122TE-7-F Diodes Incorporated DDTC122TE-7-F 0.3200
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 DDTC122 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
FMMT489TA Diodes Incorporated FMMT489TA 0.4400
RFQ
 ECAD 93 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT489 500MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 1 a 100NA NPN 600mv @ 200ma, 2a 100 @ 1a, 2v 150MHz
DDTC122TU-7-F Diodes Incorporated DDTC122TU-7-F -
RFQ
 ECAD 5476 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-70, SOT-323 DDTC122 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 200MHz 220 옴
ZX5T849ZTA Diodes Incorporated ZX5T849ZTA -
RFQ
 ECAD 8044 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA ZX5T849 2.1 w SOT-89-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 30 v 6 a 20NA (ICBO) NPN 190mv @ 300ma, 6.5a 100 @ 1a, 1v 140MHz
DSS5320T-7 Diodes Incorporated DSS5320T-7 0.3600
RFQ
 ECAD 5697 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DSS5320 600MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 20 v 2 a 100NA PNP 300mv @ 300ma, 3a 200 @ 1a, 2v 180MHz
BC847BLP4-7B Diodes Incorporated BC847BLP4-7B 0.4900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn BC847 250 MW X2-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
ZXMN6A11DN8TA Diodes Incorporated zxmn6a11dn8ta 0.8900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ZXMN6 MOSFET (금속 (() 1.8W 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 2 n 채널 (채널) 60V 2.5A 120mohm @ 2.5a, 10V 1V @ 250µA (Min) 5.7nc @ 10V 330pf @ 40v 논리 논리 게이트
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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