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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
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![]() | DMJ70H900HJ3 | - | ![]() | 9650 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | 자동차, AEC-Q101 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA | DMJ70 | MOSFET (금속 (() | TO-251 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받습니다 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 75 | n 채널 | 700 v | 7A (TC) | 10V | 900mohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250µA | 18.4 NC @ 10 v | ± 30V | 603 pf @ 50 v | - | 68W (TC) | |||||||||||||
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![]() | zvnl120astob | - | ![]() | 7520 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e-line-3 | MOSFET (금속 (() | e- 라인 (TO-92 호환) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 2,000 | n 채널 | 200 v | 180MA (TA) | 3V, 5V | 10ohm @ 250ma, 10V | 1.5V @ 1mA | ± 20V | 85 pf @ 25 v | - | 700MW (TA) | ||||||||||||||||
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![]() | DMT3009UFVW-13 | 0.1719 | ![]() | 8266 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powervdfn | DMT3009 | MOSFET (금속 (() | PowerDI3333-8 (SWP) 유형 UX | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 31-DMT3009UFVW-13TR | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 10.6A (TA), 30A (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 11a, 10V | 1.8V @ 250µA | 7.4 NC @ 10 v | ± 12V | 894 pf @ 15 v | - | 1.2W (TA), 2.6W (TC) | ||||||||||||
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![]() | DMN2009UFDF-13 | 0.1273 | ![]() | 2001 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 대부분 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | DMN2009 | MOSFET (금속 (() | u-dfn2020-6 (f 형) | - | 31-DMN2009UFDF-13 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 10,000 | n 채널 | 20 v | 12.8A (TA) | 2.5V, 4.5V | 9mohm @ 8.5a, 4.5v | 1.4V @ 250µA | 27.9 NC @ 10 v | ± 12V | 1083 pf @ 10 v | - | 1.3W (TA) | |||||||||||||||
![]() | ZTX618STOB | - | ![]() | 2702 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | e-line-3,-된 리드 | ZTX618 | 1 W. | e- 라인 (TO-92 호환) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 20 v | 3.5 a | 100NA | NPN | 255MV @ 50MA, 3.5A | 300 @ 200ma, 2v | 140MHz | ||||||||||||||||||
DMN24H3D5L-7 | 0.5500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 다이오드가 다이오드가 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DMN24 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 240 v | 480MA (TA) | 3.3V, 10V | 3.5ohm @ 300ma, 10V | 2.5V @ 250µA | 6.6 NC @ 10 v | ± 20V | 188 pf @ 25 v | - | 760MW (TA) |
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