SIC
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트랜지스터 (6028)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
ZVN4424GTC Diodes Incorporated ZVN4424GTC -
RFQ
 ECAD 8381 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 n 채널 240 v 500MA (TA) 2.5V, 10V 5.5ohm @ 500ma, 10V 1.8V @ 1mA ± 40V 200 pf @ 25 v - 2.5W (TA)
DMN6070SY-13 Diodes Incorporated DMN6070SY-13 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA DMN6070 MOSFET (금속 (() SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 4.1A (TA) 4.5V, 10V 85mohm @ 2.5a, 10V 3V @ 250µA 12.3 NC @ 10 v ± 20V 588 pf @ 30 v - 2.1W (TA)
DMN2004WK-7 Diodes Incorporated DMN2004WK-7 0.4300
RFQ
 ECAD 381 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMN2004 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 540MA (TA) 1.8V, 4.5V 550mohm @ 540ma, 4.5V 1V @ 250µA ± 8V 150 pf @ 16 v - 200MW (TA)
DMN3071LFR4-7R Diodes Incorporated DMN3071LFR4-7R 0.0810
RFQ
 ECAD 6170 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-xfdfn DMN3071 MOSFET (금속 (() X2-DFN1010-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN3071LFR4-7RDI 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 3.4A (TA) 4.5V, 10V 65mohm @ 3.2a, 10V 2.5V @ 250µA 4.5 nc @ 10 v ± 20V 190 pf @ 15 v - 500MW
ZVP0545A Diodes Incorporated ZVP0545A 1.5900
RFQ
 ECAD 4507 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) ZVP0545 MOSFET (금속 (() To-92 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZVP0545A-NDR 귀 99 8541.21.0095 4,000 p 채널 450 v 45MA (TA) 10V 150ohm @ 50ma, 10V 4.5V @ 1mA ± 20V 120 pf @ 25 v - 700MW (TA)
DMTH8012LPSW-13 Diodes Incorporated DMTH8012LPSW-13 0.3560
RFQ
 ECAD 5697 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn DMTH8012 MOSFET (금속 (() PowerDI5060-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 80 v 53.7a (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA 34 NC @ 10 v ± 20V 1949 pf @ 40 v - 3.1W (TA)
DMTH8028LPSWQ-13 Diodes Incorporated DMTH8028LPSWQ-13 0.2452
RFQ
 ECAD 9351 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (유형 ux) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH8028LPSWQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 80 v 41.7A (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 10.4 NC @ 10 v ± 20V 641 pf @ 25 v - 3.9W (TA), 65W (TC)
DMTH61M8SPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH61M8SPSQ-13 1.0002
RFQ
 ECAD 4951 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (k) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMTH61M8SPSQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 60 v 215A (TC) 10V 1.6MOHM @ 30A, 10V 4V @ 250µA 130.6 NC @ 10 v ± 20V 8306 pf @ 30 v - 3.2W (TA), 167W (TC)
DMN2004DWK-7 Diodes Incorporated DMN2004DWK-7 0.4900
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 DMN2004 MOSFET (금속 (() 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 20V 540ma 550mohm @ 540ma, 4.5V 1V @ 250µA - 150pf @ 16V 논리 논리 게이트
BC847BT-7 Diodes Incorporated BC847BT-7 -
RFQ
 ECAD 5354 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 BC847 150 MW SOT-523 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
DMP58D1LVQ-7 Diodes Incorporated DMP58D1LVQ-7 0.0770
RFQ
 ECAD 8133 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 MOSFET (금속 (() 490MW (TA) SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 31-DMP58D1LVQ-7TR 귀 99 8541.21.0095 3,000 2 p 채널 50V 220MA (TA) 8ohm @ 100ma, 5V 2V @ 250µA 1.2NC @ 10V 37pf @ 25v 기준
MMBT5401-7-F Diodes Incorporated MMBT5401-7-F 0.2000
RFQ
 ECAD 925 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT5401 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 150 v 600 MA 50NA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50ma 60 @ 10ma, 5V 300MHz
DMN2041UFDB-13 Diodes Incorporated DMN2041UFDB-13 0.2867
RFQ
 ECAD 7168 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMN2041 MOSFET (금속 (() 1.4W u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN2041UFDB-13DI 귀 99 8541.29.0095 10,000 2 n 채널 (채널) 20V 4.7a 4.2A, 4.5V 40mohm 1.4V @ 250µA 15nc @ 8v 713pf @ 10V -
ZVN3306FTA Diodes Incorporated zvn3306fta 0.4100
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ZVN3306 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 150MA (TA) 10V 5ohm @ 500ma, 10V 2.4V @ 1mA ± 20V 35 pf @ 18 v - 330MW (TA)
DMN2100UDM-7 Diodes Incorporated DMN2100UDM-7 0.5200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 DMN2100 MOSFET (금속 (() SOT-26 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 20 v 3.3A (TA) 1.5V, 4.5V 55mohm @ 6a, 4.5v 1V @ 250µA ± 8V 555 pf @ 10 v - 1W (TA)
DDTC123YKA-7-F Diodes Incorporated DDTC123YKA-7-F -
RFQ
 ECAD 3378 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DDTC123 200 MW SC-59-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 33 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 10 KOHMS
DMN2053UWQ-13 Diodes Incorporated DMN2053UWQ-13 0.0635
RFQ
 ECAD 5101 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMN2053 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMN2053UWQ-13TR 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 20 v 2.9A (TA) 1.5V, 4.5V 56mohm @ 2a, 4.5v 1V @ 250µA 3.6 NC @ 4.5 v ± 12V 369 pf @ 10 v - 470MW (TA)
ZXTN5551ZTA Diodes Incorporated ZXTN5551ZTA 0.1440
RFQ
 ECAD 5926 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA ZXTN5551 1.2 w SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 160 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 80 @ 10ma, 5V 130MHz
DJT4030P-13 Diodes Incorporated DJT4030P-13 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA DJT4030 1.2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,500 40 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 300ma, 3a 200 @ 1a, 1v 150MHz
DMG10N60SCT Diodes Incorporated DMG10N60SCT -
RFQ
 ECAD 1881 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 DMG10 MOSFET (금속 (() TO-220AB - Rohs3 준수 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 12A (TC) 10V 750mohm @ 5a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 30V 1587 pf @ 16 v - 178W (TC)
DMTH3004LFG-7 Diodes Incorporated DMTH3004LFG-7 0.1518
RFQ
 ECAD 3160 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMTH3004 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 15A (TA), 75A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 20a, 10V 3V @ 250µA 44 NC @ 10 v ± 16V 2370 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 50W (TC)
DMP25H18DLFDE-13 Diodes Incorporated DMP25H18DLFDE-13 0.5376
RFQ
 ECAD 2226 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-powerudfn DMP25 MOSFET (금속 (() u-dfn2020-6 (e 형 e) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMP25H18DLFDE-13DI 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 250 v 260MA (TA) 3.5V, 10V 14ohm @ 200ma, 10V 2.5V @ 1mA 2.8 NC @ 10 v ± 40V 81 pf @ 25 v - 600MW (TA)
ZXMP7A17GTA Diodes Incorporated ZXMP7A17GTA 0.7700
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA ZXMP7A17 MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 1,000 p 채널 70 v 2.6A (TA) 4.5V, 10V 160mohm @ 2.1a, 10V 1V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 635 pf @ 40 v - 2W (TA)
DMN2300U-7 Diodes Incorporated DMN2300U-7 0.4600
RFQ
 ECAD 2118 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2300 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 20 v 1.24A (TA) 1.8V, 4.5V 175mohm @ 300ma, 4.5v 950MV @ 250µA 1.6 NC @ 4.5 v ± 8V 64.3 pf @ 25 v - 430MW (TA)
DMG7408SFG-7 Diodes Incorporated DMG7408SFG-7 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMG7408 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 30 v 7A (TA) 4.5V, 10V 23mohm @ 10a, 10V 2.4V @ 250µA 17 nc @ 10 v ± 20V 478.9 pf @ 15 v - 1W (TA)
ZXMP6A17N8TC Diodes Incorporated ZXMP6A17N8TC -
RFQ
 ECAD 1946 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) ZXMP6A17 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 2.7A (TA) 4.5V, 10V 125mohm @ 2.3a, 10V 1V @ 250µA 17.7 NC @ 10 v ± 20V 637 pf @ 30 v - 1.56W (TA)
ZXTP25020DZTA Diodes Incorporated ZXTP25020DZTA 0.5700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA ZXTP25020 2.4 w SOT-89-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 20 v 5 a 50NA (ICBO) PNP 265MV @ 500MA, 5A 300 @ 10ma, 2v 290MHz
DMN53D0U-7 Diodes Incorporated DMN53D0U-7 0.3300
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DMN53 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 50 v 300MA (TA) 1.8V, 5V 2ohm @ 50ma, 5V 1V @ 250µA 0.6 nc @ 4.5 v ± 12V 37.1 pf @ 25 v - 520MW (TA)
ADTC114ECAQ-7 Diodes Incorporated ADTC114ECAQ-7 0.2900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ADTC114 310 MW SOT-23-3 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
FZT717TA Diodes Incorporated FZT717TA 0.3536
RFQ
 ECAD 6878 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT717 2 w SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 1,000 12 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 320MV @ 50MA, 3A 300 @ 100MA, 2V 110MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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