SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
DXT2222ATC Diodes Incorporated DXT2222ATC -
RFQ
ECAD 8331 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - rohs 준수 1 (무제한) 31-DXT2222ATCTR 쓸모없는 3,000
DMN4025LSD-13 Diodes Incorporated DMN4025LSD-13 -
RFQ
ECAD 5381 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 - DMN4025 MOSFET (금속 (() - - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMN4025LSD-13DI 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 7.4A (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 7.4a, 10V 1.8V @ 250µA 37.6 NC @ 10 v ± 20V 1790 pf @ 20 v - -
DMP32D4SFB-7B Diodes Incorporated DMP32D4SFB-7B 0.4100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn DMP32 MOSFET (금속 (() X1-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 30 v 400MA (TA) 2.5V, 10V 2.4ohm @ 200ma, 10V 2.3V @ 250µA 1.3 NC @ 10 v ± 20V 51 pf @ 15 v - 500MW (TA)
ZVP3306FTC Diodes Incorporated zvp3306ftc -
RFQ
ECAD 1947 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 p 채널 60 v 90MA (TA) 10V 14ohm @ 200ma, 10V 3.5V @ 1mA ± 20V 50 pf @ 18 v - 330MW (TA)
DMTH4004SK3Q-13 Diodes Incorporated DMTH4004SK3Q-13 0.7521
RFQ
ECAD 1881 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMTH4004 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 100A (TC) 10V 3.2MOHM @ 90A, 10V 4V @ 250µA 68.6 NC @ 10 v ± 20V 4305 pf @ 25 v - 3.9W (TA), 180W (TC)
DMP1046UFDB-7 Diodes Incorporated DMP1046UFDB-7 0.4600
RFQ
ECAD 32 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMP1046 MOSFET (금속 (() 1.4W u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 (채널) 12V 3.8a 61mohm @ 3.6a, 4.5v 1V @ 250µA 17.9NC @ 8V 915pf @ 6v -
BC846AS-7 Diodes Incorporated BC846AS-7 0.4500
RFQ
ECAD 327 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BC846 200MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65V 100ma 15NA 2 NPN (() 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
DMP21D5UFD-7 Diodes Incorporated DMP21D5UFD-7 -
RFQ
ECAD 4244 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-udfn DMP21 MOSFET (금속 (() X1-DFN1212-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 20 v 600MA (TA) 1.2V, 4.5V 1ohm @ 100ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.8 nc @ 8 v ± 8V 46.1 pf @ 10 v - 400MW (TA)
ZXT4M322TA Diodes Incorporated ZXT4M322TA 0.3300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 컷 컷 (CT) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 ZXT4M322CT 귀 99 8541.29.0075 3,000
ZXTN2040FTA-79 Diodes Incorporated ZXTN2040FTA-79 -
RFQ
ECAD 6710 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 - 31-ZXTN2040FTA-79 귀 99 8541.21.0075 1 40 v 1 a 100NA NPN 500mv @ 100ma, 1a 300 @ 500ma, 5V 150MHz
BC848B-7-F Diodes Incorporated BC848B-7-F 0.0349
RFQ
ECAD 2225 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
DDC114EH-7 Diodes Incorporated DDC114EH-7 0.3500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 DDC114 150MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10kohms 10kohms
DMTH10H032LPSW-13 Diodes Incorporated DMTH10H032LPSW-13 0.5900
RFQ
ECAD 1758 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면, 마운트 측면 8-powertdfn DMTH10 MOSFET (금속 (() PowerDi5060-8 (유형 ux) - Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 33A (TC) 4.5V, 10V 32mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 11.9 NC @ 10 v ± 20V 683 pf @ 50 v - 3.4W (TA), 68W (TC)
MMBT3904Q-7-F-52 Diodes Incorporated MMBT3904Q-7-F-52 0.0253
RFQ
ECAD 4974 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 다운로드 31-MMBT3904Q-7-F-52 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 MA 50NA NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
DMN3065LW-7 Diodes Incorporated DMN3065LW-7 0.4500
RFQ
ECAD 4240 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 DMN3065 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 4A (TA) 2.5V, 10V 52mohm @ 4a, 10V 1.5V @ 250µA 11.7 NC @ 10 v ± 12V 465 pf @ 15 v - 770MW (TA)
ZTX601QSTZ Diodes Incorporated ZTX601QSTZ 0.3902
RFQ
ECAD 1511 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 활동적인 -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3,-된 리드 1 W. e- 라인 (TO-92 호환) - 영향을받지 영향을받지 31-ZTX601QSTZTB 귀 99 8541.29.0075 4,000 160 v 1 a 10µA npn-달링턴 1.2v @ 10ma, 1a 2000 @ 500ma, 10V 250MHz
DMT6012LFV-7 Diodes Incorporated DMT6012LFV-7 0.2478
RFQ
ECAD 5904 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn DMT6012 MOSFET (금속 (() PowerDI3333-8 (유형 UX) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DMT6012LFV-7DI 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 60 v 43.3A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 22.2 NC @ 10 v ± 20V 1522 pf @ 30 v - 1.95W (TA), 33.78W (TC)
DDTA122TU-7-F Diodes Incorporated DDTA122TU-7-F 0.2500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 DDTA122 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000
2N7002T-7-F Diodes Incorporated 2N7002T-7-F 0.4000
RFQ
ECAD 40 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 2N7002 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 60 v 115MA (TA) 5V, 10V 7.5ohm @ 50ma, 5V 2V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 150MW (TA)
ZVN2106ASTZ Diodes Incorporated zvn2106astz 0.2741
RFQ
ECAD 7483 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 e-line-3 ZVN2106 MOSFET (금속 (() e- 라인 (TO-92 호환) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 n 채널 60 v 450MA (TA) 10V 2ohm @ 1a, 10V 2.4V @ 1mA ± 20V 75 pf @ 18 v - 700MW (TA)
DMTH10H025LK3-13 Diodes Incorporated DMTH10H025LK3-13 0.3023
RFQ
ECAD 6670 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DMTH10 MOSFET (금속 (() TO-252, (D-PAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 100 v 51.7A (TC) 4.5V, 10V 22MOHM @ 20A, 10V 3V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 1477 pf @ 50 v - 3.1W (TA)
ZXMP4A16KTC Diodes Incorporated ZXMP4A16KTC 1.2500
RFQ
ECAD 38 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 ZXMP4A16 MOSFET (금속 (() TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 40 v 6.6A (TA) 4.5V, 10V 60mohm @ 3.8a, 10V 1V @ 250µA 29.6 NC @ 10 v ± 20V 965 pf @ 20 v - 2.15W (TA)
DDTA143XCA-7 Diodes Incorporated DDTA143XCA-7 -
RFQ
ECAD 3557 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SOT-23-3 3 리드 DDTA143 200 MW SOT-23F 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA pnp- 사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
DMC2025UFDBQ-13 Diodes Incorporated DMC2025UFDBQ-13 0.1137
RFQ
ECAD 1486 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 DMC2025 MOSFET (금속 (() 700MW (TA) u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DMC2025UFDBQ-13TR 귀 99 8541.29.0095 10,000 n 보완 p 채널 및 20V 6A (TA), 3.5A (TA) 25mohm @ 4a, 4.5v, 75mohm @ 2.9a, 4.5v 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA 12.3nc @ 10v, 15nc @ 8v 486pf @ 10v, 642pf @ 10v -
DMP6110SSS-13 Diodes Incorporated DMP6110SSS-13 0.5500
RFQ
ECAD 70 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) DMP6110 MOSFET (금속 (() 도 8- 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 60 v 4.5A (TA) 4.5V, 10V 110mohm @ 4.5a, 10V 3V @ 250µA 19.4 NC @ 10 v ± 20V 1030 pf @ 30 v - 1.5W (TA)
DDTC142TE-7 Diodes Incorporated DDTC142TE-7 -
RFQ
ECAD 4870 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SOT-523 DDTC142 150 MW SOT-523 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 100 @ 1ma, 5V 200MHz 470 옴
FZT717TC Diodes Incorporated FZT717TC -
RFQ
ECAD 6770 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA FZT717 2 w SOT-223-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.29.0075 4,000 12 v 3 a 100NA (ICBO) PNP 320MV @ 50MA, 3A 300 @ 100MA, 2V 110MHz
DDTC143XE-7 Diodes Incorporated DDTC143XE-7 -
RFQ
ECAD 7590 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 SOT-523 DDTC143 150 MW SOT-523 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10ma, 5V 250MHz 4.7 Kohms 10 KOHMS
FMMT5179TC Diodes Incorporated FMMT5179TC -
RFQ
ECAD 4729 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FMMT5179 330MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 15db 12V 50ma NPN 25 @ 3MA, 1V 2GHz 4.5dB @ 200MHz
DMN2600UFB-7 Diodes Incorporated DMN2600UFB-7 0.3600
RFQ
ECAD 26 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-ufdfn DMN2600 MOSFET (금속 (() X1-DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 25 v 1.3A (TA) 1.8V, 4.5V 350mohm @ 200ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.85 nc @ 4.5 v ± 8V 70.13 pf @ 15 v - 540MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고