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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | GSF7002DW | 0.2400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (금속 (() | 150MW (TA) | SC-88 (SC-70-6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n 채널 | 60V | 340MA (TA) | 5ohm @ 500ma, 10V | 2.5V @ 1mA | - | 40pf @ 10V | 기준 | |||||||||||||
![]() | GSGP03150 | 1.1300 | ![]() | 4965 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-ppak (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 150A (TC) | 4.5V, 10V | 1.9mohm @ 75a, 10V | 2.2V @ 250µA | 55 NC @ 10 v | ± 20V | 3372 pf @ 15 v | - | 85W (TC) | |||||||||||
![]() | BC857B | 0.1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 125 @ 2MA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||
![]() | SSFD3906 | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n 채널 | 30 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 6MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 11.1 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1160 pf @ 25 v | - | 54W (TC) | |||||||||||
![]() | SSF2314 | 0.4000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 5.8A (TC) | 1.8V, 4.5V | 25mohm @ 4a, 4.5v | - | 11 NC @ 4.5 v | ± 10V | 775 pf @ 10 v | - | 1.56W (TC) | |||||||||||
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![]() | BC846B | 0.1000 | ![]() | 735 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 110 @ 2MA, 5V | 300MHz | |||||||||||||||
![]() | GSBC817-40W | 0.1300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | 200 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50ma, 500ma | 250 @ 100MA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | PZT2907A | 0.4000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | 1 W. | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 2,500 | 60 v | 600 MA | 10NA (ICBO) | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | 200MHz | |||||||||||||||
![]() | SSF6092G1 | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 2.7a | 10V | 92mohm @ 2.7a, 10V | 2.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | ± 20V | 641 pf @ 25 v | - | 1.25W | |||||||||||
![]() | GSFQ4701 | 0.5100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 2.5W (TC) | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 보완 p 채널 및 | 40V | 6.7A (TC), 7.2A (TC) | 32mohm @ 5a, 10v, 40mohm @ 4a, 10v | 2.5V @ 250µA | 5.6nc @ 4.5v, 16nc @ 4.5v | 800pf @ 15V, 1600pf @ 15V | 기준 | |||||||||||||
![]() | SSFQ3907 | 0.5000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 8A (TC) | 4.5V, 10V | 23mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 17 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1820 pf @ 15 v | - | 2.1W (TC) | |||||||||||
![]() | GSF7002AT | 0.2000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-523 | MOSFET (금속 (() | SOT-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 115MA (TA) | 5V, 10V | 7.5ohm @ 500ma, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 50 pf @ 25 v | - | 150MW (TA) | ||||||||||||
![]() | SSFK2219 | 0.4700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (금속 (() | 278MW (TA) | SC-88 (SC-70-6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 p 채널 | 20V | 540MA (TA) | 600mohm @ 300ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 2NC @ 4.5V | 78pf @ 10V | 기준 | |||||||||||||
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![]() | GSFH5010 | 1.1278 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 50 | n 채널 | 500 v | 9A (TC) | 10V | 800mohm @ 4a, 10V | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 v | ± 30V | 1800 pf @ 25 v | - | 89W (TC) | |||||||||||
![]() | SSFN6907 | 0.4500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-ppak (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 14A (TC) | 4.5V, 10V | 68mohm @ 8a, 10V | 2.2V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1260 pf @ 30 v | - | 33.8W (TC) | |||||||||||
![]() | SSF3341 | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 4.2A | 2.5V, 10V | 50mohm @ 4.2a, 10V | 1.3V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 12V | 712 pf @ 15 v | - | 1.4W | |||||||||||
![]() | GSFU9006 | 3.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 4786-GSFU9006 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 900 v | 6A (TJ) | 10V | 750mohm @ 3a, 10V | 3.9V @ 250µA | 18.4 NC @ 10 v | ± 30V | 1250 pf @ 50 v | - | 32W (TJ) | ||||||||||
![]() | SSFB3909 | 0.4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | MOSFET (금속 (() | 6-DFN (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 6.1A (TA), 12A (TC) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 4a, 10V | 2.2V @ 250µA | 15 nc @ 4.5 v | ± 20V | 1280 pf @ 15 v | - | 7.1W (TC) | |||||||||||
![]() | MMBT3904AT | 0.1500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-523 | 150 MW | SOT-523 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 40 v | 200 MA | 50NA | NPN | 300mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 1v | 300MHz | |||||||||||||||
![]() | SSFQ4903 | 0.5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | p 채널 | 40 v | 10A (TC) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 40 nc @ 4.5 v | ± 20V | 4000 pf @ 25 v | - | 4.2W (TC) | |||||||||||
![]() | GSFR0308 | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-6L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 7A (TA) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 4a, 10V | 2V @ 250µA | 6.4 NC @ 10 v | ± 20V | 460 pf @ 15 v | - | 2W (TA) | |||||||||||
![]() | GSFC1208 | 0.3000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | MOSFET (금속 (() | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 850MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 640mohm @ 550ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 0.8 nc @ 4.5 v | ± 8V | 58 pf @ 10 v | - | 690MW (TA) | |||||||||||
![]() | GSFQ6806 | 0.6600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 2.1W (TC) | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n 채널 | 60V | 20A (TC) | 28mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 42NC @ 10V | 2440pf @ 20V | 기준 | |||||||||||||
![]() | GSFC0213 | 0.4800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 5.8A (TC) | 1.5V, 4.5V | 33mohm @ 4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 25 nc @ 4.5 v | ± 10V | 2100 pf @ 15 v | - | 1.56W (TC) | |||||||||||
![]() | 2N7002K | 0.1400 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 300MA (TA) | 10V, 5V | 300mohm @ 500ma, 4.5v, 600mohm @ 300ma, 4.5v | 2.5V @ 250µA | 0.4 nc @ 4.5 v | ± 20V | 30 pf @ 25 v | - | 430MW |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고