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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
GSF7002DW Good-Ark Semiconductor GSF7002DW 0.2400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (금속 (() 150MW (TA) SC-88 (SC-70-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 2 n 채널 60V 340MA (TA) 5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 1mA - 40pf @ 10V 기준
GSGP03150 Good-Ark Semiconductor GSGP03150 1.1300
RFQ
ECAD 4965 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 5,000 n 채널 30 v 150A (TC) 4.5V, 10V 1.9mohm @ 75a, 10V 2.2V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 20V 3372 pf @ 15 v - 85W (TC)
BC857B Good-Ark Semiconductor BC857B 0.1000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 150MHz
SSFD3906 Good-Ark Semiconductor SSFD3906 0.4100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 2,500 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 6MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA 11.1 NC @ 4.5 v ± 20V 1160 pf @ 25 v - 54W (TC)
SSF2314 Good-Ark Semiconductor SSF2314 0.4000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 20 v 5.8A (TC) 1.8V, 4.5V 25mohm @ 4a, 4.5v - 11 NC @ 4.5 v ± 10V 775 pf @ 10 v - 1.56W (TC)
GSFC0202 Good-Ark Semiconductor GSFC0202 0.3200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 20 v 1.45A (TA) 1.2V, 4.5V 300mohm @ 500ma, 4.5v 1V @ 250µA 2 nc @ 4.5 v ± 8V 75 pf @ 10 v - 1W (TA)
SSFB2310L Good-Ark Semiconductor SSFB2310L 0.4100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-udfn n 패드 MOSFET (금속 (() 6-DFN (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 20 v 9.9A (TA) 1.8V, 4.5V 13mohm @ 5a, 4.5v 1V @ 250µA 26 NC @ 4.5 v ± 10V 1480 pf @ 10 v - 2.01W (TA)
GSBCP53-10 Good-Ark Semiconductor GSBCP53-10 0.4300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.5 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 2,500 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 100MHz
GSBCX56-16 Good-Ark Semiconductor GSBCX56-16 0.4200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 500MW SOT-89-3L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 130MHz
BC846B Good-Ark Semiconductor BC846B 0.1000
RFQ
ECAD 735 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 300MHz
GSBC817-40W Good-Ark Semiconductor GSBC817-40W 0.1300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
PZT2907A Good-Ark Semiconductor PZT2907A 0.4000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1 W. SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 2,500 60 v 600 MA 10NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
SSF6092G1 Good-Ark Semiconductor SSF6092G1 0.4200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 60 v 2.7a 10V 92mohm @ 2.7a, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v ± 20V 641 pf @ 25 v - 1.25W
GSFQ4701 Good-Ark Semiconductor GSFQ4701 0.5100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 2.5W (TC) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 보완 p 채널 및 40V 6.7A (TC), 7.2A (TC) 32mohm @ 5a, 10v, 40mohm @ 4a, 10v 2.5V @ 250µA 5.6nc @ 4.5v, 16nc @ 4.5v 800pf @ 15V, 1600pf @ 15V 기준
SSFQ3907 Good-Ark Semiconductor SSFQ3907 0.5000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 30 v 8A (TC) 4.5V, 10V 23mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 1820 pf @ 15 v - 2.1W (TC)
GSF7002AT Good-Ark Semiconductor GSF7002AT 0.2000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 60 v 115MA (TA) 5V, 10V 7.5ohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 50 pf @ 25 v - 150MW (TA)
SSFK2219 Good-Ark Semiconductor SSFK2219 0.4700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (금속 (() 278MW (TA) SC-88 (SC-70-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 2 p 채널 20V 540MA (TA) 600mohm @ 300ma, 4.5v 1V @ 250µA 2NC @ 4.5V 78pf @ 10V 기준
SSF2116 Good-Ark Semiconductor SSF2116 0.4600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() 1.25W (TC) SOT-23-6L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 보완 p 채널 및 20V 3.8A (TC), 2.5A (TC) 40mohm @ 3a, 4.5v, 100mohm @ 3a, 4.5v 1V @ 250µA 10NC @ 4.5V 600pf @ 15V 기준
GSFH5010 Good-Ark Semiconductor GSFH5010 1.1278
RFQ
ECAD 1 0.00000000 좋은 좋은 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 50 n 채널 500 v 9A (TC) 10V 800mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 42 NC @ 10 v ± 30V 1800 pf @ 25 v - 89W (TC)
SSFN6907 Good-Ark Semiconductor SSFN6907 0.4500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 60 v 14A (TC) 4.5V, 10V 68mohm @ 8a, 10V 2.2V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1260 pf @ 30 v - 33.8W (TC)
SSF3341 Good-Ark Semiconductor SSF3341 0.3900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 30 v 4.2A 2.5V, 10V 50mohm @ 4.2a, 10V 1.3V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 12V 712 pf @ 15 v - 1.4W
GSFU9006 Good-Ark Semiconductor GSFU9006 3.4500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 좋은 좋은 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4786-GSFU9006 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 900 v 6A (TJ) 10V 750mohm @ 3a, 10V 3.9V @ 250µA 18.4 NC @ 10 v ± 30V 1250 pf @ 50 v - 32W (TJ)
SSFB3909 Good-Ark Semiconductor SSFB3909 0.4500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 MOSFET (금속 (() 6-DFN (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 30 v 6.1A (TA), 12A (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 4a, 10V 2.2V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V 1280 pf @ 15 v - 7.1W (TC)
MMBT3904AT Good-Ark Semiconductor MMBT3904AT 0.1500
RFQ
ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 40 v 200 MA 50NA NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
SSFQ4903 Good-Ark Semiconductor SSFQ4903 0.5800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 40 v 10A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 40 nc @ 4.5 v ± 20V 4000 pf @ 25 v - 4.2W (TC)
GSFR0308 Good-Ark Semiconductor GSFR0308 0.4200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() SOT-23-6L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 30 v 7A (TA) 4.5V, 10V 26mohm @ 4a, 10V 2V @ 250µA 6.4 NC @ 10 v ± 20V 460 pf @ 15 v - 2W (TA)
GSFC1208 Good-Ark Semiconductor GSFC1208 0.3000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 p 채널 20 v 850MA (TA) 1.8V, 4.5V 640mohm @ 550ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.8 nc @ 4.5 v ± 8V 58 pf @ 10 v - 690MW (TA)
GSFQ6806 Good-Ark Semiconductor GSFQ6806 0.6600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 2.1W (TC) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 2 n 채널 60V 20A (TC) 28mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 42NC @ 10V 2440pf @ 20V 기준
GSFC0213 Good-Ark Semiconductor GSFC0213 0.4800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 20 v 5.8A (TC) 1.5V, 4.5V 33mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 10V 2100 pf @ 15 v - 1.56W (TC)
2N7002K Good-Ark Semiconductor 2N7002K 0.1400
RFQ
ECAD 22 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 60 v 300MA (TA) 10V, 5V 300mohm @ 500ma, 4.5v, 600mohm @ 300ma, 4.5v 2.5V @ 250µA 0.4 nc @ 4.5 v ± 20V 30 pf @ 25 v - 430MW
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고