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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | SSFP3806 | 0.8100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 46W (TC) | 8-ppak (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n 채널 | 30V | 40A (TC) | 6.5mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 22NC @ 4.5V | 1750pf @ 25v | 기준 | |||||||||||||
![]() | 2N2222A | 1.9700 | ![]() | 696 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 대부분 | 활동적인 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 | 500MW | TO-18 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 4786-2N222A | 귀 99 | 8541.21.0095 | 500 | 40 v | 800 MA | 10NA | NPN | 1V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | 300MHz | ||||||||||||||
![]() | GSF0304 | 0.3500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 4.1A (TA) | 4.5V, 10V | 65mohm @ 4.1a, 10V | 2.1V @ 250µA | 13 nc @ 10 v | ± 20V | 650 pf @ 15 v | - | 1.4W (TA) | |||||||||||
![]() | SSFL0956 | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 4A (TC) | 4.5V, 10V | 120mohm @ 4a, 10V | 2.5V @ 250µA | 40 nc @ 10 v | ± 20V | - | 5.2W (TC) | ||||||||||||
![]() | GSFC0603 | 0.4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 3A (TA) | 4.5V, 10V | 95mohm @ 2a, 10V | 2.5V @ 250µA | 15 nc @ 10 v | ± 20V | 1178 pf @ 30 v | - | 1.56W (TA) | |||||||||||
![]() | GSFD1550 | 1.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n 채널 | 150 v | 50A (TC) | 10V | 25A, 25A, 10V | 4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 3450 pf @ 75 v | - | 133W (TC) | |||||||||||
![]() | SSFL0954 | 0.4800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 1.7A (TC) | 4.5V, 10V | 310mohm @ 1a, 10V | 2.5V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 800 pf @ 25 v | - | 1.76W (TC) | |||||||||||
![]() | GSFN0988 | 0.5400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-ppak (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 16A (TC) | 4.5V, 10V | 38mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 12 nc @ 10 v | +20V, -12V | 740 pf @ 20 v | - | 32.5W (TC) | |||||||||||
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![]() | SSFH6538 | 2.9500 | ![]() | 991 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 4786-SSFH6538 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 500 | n 채널 | 650 v | 38A (TC) | 10V | 99mohm @ 19a, 10V | 4V @ 250µA | 55 NC @ 10 v | ± 30V | 3200 pf @ 50 v | - | 322W (TC) | ||||||||||
![]() | SSFQ3910 | 0.4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 10A (TC) | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 12 nc @ 4.5 v | ± 20V | 900 pf @ 25 v | - | 2.1W (TC) | |||||||||||
![]() | SSFQ4810 | 0.5300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 2W (TA) | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n 채널 | 40V | 8A (TA) | 18mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 21.6NC @ 10V | 1450pf @ 25v | 기준 | |||||||||||||
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![]() | GSFP03602 | 0.7400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 52W (TC) | 8-ppak (5x5.8) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 5,000 | 2 n 채널 | 30V | 60A (TC) | 7mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 23.5NC @ 10V | 1335pf @ 15V | 기준 | |||||||||||||
![]() | GSFW0202 | 0.2200 | ![]() | 20 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | MOSFET (금속 (() | SOT-883 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 10,000 | n 채널 | 20 v | 1.4A (TA) | 1.8V, 4.5V | 230mohm @ 550ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 2 nc @ 4.5 v | ± 8V | 43 pf @ 10 v | - | 700MW (TA) | |||||||||||
![]() | SSF2215 | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | 1.25W (TA) | SOT-23-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 p 채널 | 20V | 3A (TA) | 85mohm @ 3a, 4.5v | 1V @ 250µA | 8NC @ 4.5V | 510pf @ 15V | 기준 | |||||||||||||
![]() | SSF2300 | 0.3000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 4.5A | 2.5V, 4.5V | 55mohm @ 3.6a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 4 NC @ 4.5 v | ± 12V | 300 pf @ 10 v | - | 1.3W | |||||||||||
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![]() | GSFC0204 | 0.3300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 4A (TC) | 1.8V, 4.5V | 65mohm @ 3a, 4.5v | 1V @ 250µA | 7.2 NC @ 4.5 v | ± 10V | 360 pf @ 15 v | - | 1.56W (TC) | |||||||||||
![]() | GSBCP54-16 | 0.4300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | 1.5 w | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 2,500 | 45 v | 1 a | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 50ma, 500ma | 63 @ 150ma, 2V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | GSFF0308 | 0.3500 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-723 | MOSFET (금속 (() | SOT-723 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 8,000 | n 채널 | 30 v | 780MA (TA) | 2.5V, 4.5V | 450mohm @ 300ma, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 5.2 NC @ 4.5 v | ± 12V | 146 pf @ 15 v | - | 446MW (TA) | |||||||||||
![]() | GSFC02501 | 0.1900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | MOSFET (금속 (() | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | p 채널 | 25 v | 850MA (TA) | 1.8V, 4.5V | 640mohm @ 550ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 0.8 nc @ 4.5 v | ± 8V | 58 pf @ 10 v | - | 690MW (TA) | |||||||||||
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![]() | GS2N7002KW | 0.2400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | MOSFET (금속 (() | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 340MA (TA) | 4.5V, 10V | 2.5ohm @ 300ma, 10V | 2.5V @ 250µA | 2.4 NC @ 10 v | ± 20V | 18 pf @ 30 v | - | 350MW (TA) | |||||||||||
![]() | GSFH0970 | 3.1000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 튜브 | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 4786-GSFH0970 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 50 | n 채널 | 100 v | 160A (TC) | 10V | 3.5mohm @ 20a, 10V | 3.5V @ 250µA | 450 NC @ 10 v | ± 20V | 26000 pf @ 25 v | - | 208W (TC) | ||||||||||
![]() | GSFN3904 | 0.6300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-ppak (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 24a, 10V | 2.5V @ 250µA | 34 NC @ 4.5 v | ± 20V | 3190 pf @ 25 v | - | 66W (TC) | |||||||||||
![]() | GSFK0501 | 0.3900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (금속 (() | 300MW (TA) | SOT-363 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | - | 50V | 130MA (TA) | 10ohm @ 100ma, 5V | 2V @ 1mA | - | 56pf @ 20V | 기준 | |||||||||||||
![]() | GSFP0341 | 0.5400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-ppak (5.1x5.71) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 17.8mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 25 nc @ 10 v | ± 20V | 1650 pf @ 15 v | - | 53W (TC) | |||||||||||
![]() | GSFB0305 | 0.4400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | MOSFET (금속 (() | 1.9W (TA), 7.4W (TC) | 6-ppak (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 p 채널 | 30V | 4.2A (TA), 8A (TC) | 75mohm @ 3a, 10V | 2.5V @ 250µA | 10NC @ 4.5V | 820pf @ 15V | - |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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