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트랜지스터 (225)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
SSFQ6810 Good-Ark Semiconductor SSFQ6810 0.5100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 2.1W (TC) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 2 n 채널 60V 5A (TC) 54mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 21NC @ 10V 1300pf @ 25V 기준
S3134K Good-Ark Semiconductor S3134K 0.2200
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 MOSFET (금속 (() SOT-723 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 8,000 n 채널 20 v 750MA (TA) 1.8V, 4.5V 380mohm @ 650ma, 4.5v 1.1V @ 250µA ± 12V 120 pf @ 16 v - 150MW (TA)
MMBTA92 Good-Ark Semiconductor MMBTA92 0.2000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 300 v 200 MA 250NA (ICBO) PNP 200mv @ 2ma, 20ma 100 @ 10ma, 10V 50MHz
SSF2215 Good-Ark Semiconductor SSF2215 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() 1.25W (TA) SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 2 p 채널 20V 3A (TA) 85mohm @ 3a, 4.5v 1V @ 250µA 8NC @ 4.5V 510pf @ 15V 기준
BSS84 Good-Ark Semiconductor BSS84 0.1500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 50 v 130MA (TA) 5V, 10V 10ohm @ 100ma, 5V 2V @ 250µA ± 20V 30 pf @ 5 v - 225MW
GSFK0502 Good-Ark Semiconductor GSFK0502 0.3800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (금속 (() 900MW (TA) SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 2 n 채널 50V 300MA (TA) 4ohm @ 300ma, 10V 1.5V @ 250µA 0.58NC @ 4.5V 12pf @ 30V 기준
GSBCP54-16 Good-Ark Semiconductor GSBCP54-16 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.5 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 2,500 45 v 1 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 100MHz
SSFL0954 Good-Ark Semiconductor SSFL0954 0.4800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 100 v 1.7A (TC) 4.5V, 10V 310mohm @ 1a, 10V 2.5V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 800 pf @ 25 v - 1.76W (TC)
GSFP1080 Good-Ark Semiconductor GSFP1080 1.1000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (4.9x5.75) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 5,000 n 채널 100 v 80A (TA) 10V 7mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 53 NC @ 10 v ± 20V 3070 pf @ 50 v - 105W (TA)
GSFC0603 Good-Ark Semiconductor GSFC0603 0.4600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 60 v 3A (TA) 4.5V, 10V 95mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 250µA 15 nc @ 10 v ± 20V 1178 pf @ 30 v - 1.56W (TA)
SSFH6538 Good-Ark Semiconductor SSFH6538 2.9500
RFQ
 ECAD 991 0.00000000 좋은 좋은 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4786-SSFH6538 귀 99 8541.21.0080 500 n 채널 650 v 38A (TC) 10V 99mohm @ 19a, 10V 4V @ 250µA 55 NC @ 10 v ± 30V 3200 pf @ 50 v - 322W (TC)
GSFC0204 Good-Ark Semiconductor GSFC0204 0.3300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 20 v 4A (TC) 1.8V, 4.5V 65mohm @ 3a, 4.5v 1V @ 250µA 7.2 NC @ 4.5 v ± 10V 360 pf @ 15 v - 1.56W (TC)
GSFP03602 Good-Ark Semiconductor GSFP03602 0.7400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 52W (TC) 8-ppak (5x5.8) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 5,000 2 n 채널 30V 60A (TC) 7mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 23.5NC @ 10V 1335pf @ 15V 기준
GSFN3904 Good-Ark Semiconductor GSFN3904 0.6300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 24a, 10V 2.5V @ 250µA 34 NC @ 4.5 v ± 20V 3190 pf @ 25 v - 66W (TC)
2N2222A Good-Ark Semiconductor 2N2222A 1.9700
RFQ
 ECAD 696 0.00000000 좋은 좋은 - 대부분 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 500MW TO-18 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4786-2N222A 귀 99 8541.21.0095 500 40 v 800 MA 10NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
GSFC02501 Good-Ark Semiconductor GSFC02501 0.1900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 25 v 850MA (TA) 1.8V, 4.5V 640mohm @ 550ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.8 nc @ 4.5 v ± 8V 58 pf @ 10 v - 690MW (TA)
GSFL1003 Good-Ark Semiconductor GSFL1003 0.5000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 100 v 2A (TA) 4.5V, 10V 200mohm @ 2a, 10V 2.2V @ 250µA 30 nc @ 10 v ± 20V 2000 pf @ 50 v - 1.78W (TA)
BC856S Good-Ark Semiconductor BC856S 0.1900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 200MW SC-88 (SC-70-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 65V 100ma 15NA (ICBO) 2 PNP 300mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
GSFU9506 Good-Ark Semiconductor GSFU9506 3.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 좋은 좋은 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4786-GSFU9506 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 950 v 6A (TJ) 10V 750mohm @ 3a, 10V 3.9V @ 250µA 18.4 NC @ 10 v ± 30V 1250 pf @ 50 v - 32W (TJ)
SSFQ3910 Good-Ark Semiconductor SSFQ3910 0.4500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 30 v 10A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 20V 900 pf @ 25 v - 2.1W (TC)
GSFK0501 Good-Ark Semiconductor GSFK0501 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (금속 (() 300MW (TA) SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 - 50V 130MA (TA) 10ohm @ 100ma, 5V 2V @ 1mA - 56pf @ 20V 기준
GSFN0207 Good-Ark Semiconductor GSFN0207 0.5500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 25W (TC) 8-ppak (3.15x3.1) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 p 채널 20V 7.5A (TC) 33mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 25NC @ 4.5V 2100pf @ 15V -
SSF2300 Good-Ark Semiconductor SSF2300 0.3000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 20 v 4.5A 2.5V, 4.5V 55mohm @ 3.6a, 4.5v 1.2V @ 250µA 4 NC @ 4.5 v ± 12V 300 pf @ 10 v - 1.3W
SSFQ6907 Good-Ark Semiconductor SSFQ6907 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 60 v 5A (TC) 4.5V, 10V 72mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1260 pf @ 30 v - 4W (TC)
GSFN0988 Good-Ark Semiconductor GSFN0988 0.5400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 100 v 16A (TC) 4.5V, 10V 38mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 10 v +20V, -12V 740 pf @ 20 v - 32.5W (TC)
MMBT3904 Good-Ark Semiconductor MMBT3904 0.1000
RFQ
 ECAD 628 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 40 v 200 MA 50NA NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
SSFQ3903 Good-Ark Semiconductor SSFQ3903 0.5900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 30 v 13A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 56 NC @ 4.5 v ± 20V 4800 pf @ 15 v - 4.2W (TC)
SSF3402 Good-Ark Semiconductor SSF3402 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 30 v 5A (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA 15 nc @ 4.5 v ± 20V 1050 pf @ 25 v - 1.38W (TA)
SSF0910S Good-Ark Semiconductor SSF0910S 0.3800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 100 v 2A (TC) 4.5V, 10V 200mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 1190 pf @ 50 v - 1.56W (TC)
GSFP6901 Good-Ark Semiconductor GSFP6901 1.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (5.1x5.71) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 60 v 72A (TC) 4.5V, 10V 8.6mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 210 nc @ 10 v ± 20V 12930 pf @ 25 v - 142W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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