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트랜지스터 (225)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SSF3714 | 0.4900 |  | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | 2W (TC) | SOT-23-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 및 p 채널 | 30V | 4A (TC), 3A (TC) | 30mohm @ 4a, 10v, 65mohm @ 3a, 10v | 2.5V @ 250µA | 8NC @ 4.5V | 500pf @ 25V | 기준 | |||||||||||||
 | GSFCP0212 | 0.6300 | | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | MOSFET (금속 (() | 2W (TA) | 6CSP (2.15x1.66) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 5,000 | - | 20V | 12A (TA) | 6.8mohm @ 3a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | 34.7NC @ 6V | 2609pf @ 10V | 기준 | |||||||||||||
 | SSFK9120 | 0.4700 | | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (금속 (() | 275MW (TC) | SC-88 (SC-70-6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 보완 p 채널 및 | 20V | 800MA (TC), 400MA (TC) | 300mohm @ 500ma, 4.5v, 600mohm @ 300ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 2NC @ 4.5V | 75pf @ 10v, 78pf @ 10v | 기준 | |||||||||||||
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 | MMBT5551 | 0.1200 | | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 160 v | 600 MA | 50NA (ICBO) | NPN | 200mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 5V | 300MHz | |||||||||||||||
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| SSFP4960 | 0.9100 | | 1662 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-ppak (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 6,000 | n 채널 | 40 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 25a, 10V | 2.5V @ 250µA | 80 nc @ 4.5 v | ± 20V | 7800 pf @ 25 v | - | 135W (TC) | |||||||||||
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| MMDT3904 | 0.2100 | | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 200MW | SC-88 (SC-70-6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 40V | 200ma | 50NA | 2 NPN | 300mv @ 5ma, 50ma | 100 @ 10ma, 1v | 300MHz | |||||||||||||||
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| GSFD0982 | 0.8500 | | 2 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 10.8mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 39 NC @ 10 v | ± 20V | 2145 pf @ 50 v | - | 78W (TC) | |||||||||||
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 | MMBT4401 | 0.1300 | | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 300MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 40 v | 600 MA | 100NA | NPN | 1.2v @ 50ma, 500ma | 100 @ 150ma, 1V | 250MHz | |||||||||||||||
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| GSFN0205 | 0.5900 | | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-Wfdfn d 패드 패드 | MOSFET (금속 (() | 1.56W (TA) | 6-DFN (2x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | - | 20V | 5.5A (TA) | 33mohm @ 4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 25NC @ 4.5V | 2100pf @ 15V | 기준 | |||||||||||||
 | GSFP10140 | 1.7600 | | 3 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-ppak (5.1x5.71) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 140A (TC) | 4.5V, 10V | 3.6MOHM @ 20A, 10V | 2.5V @ 250µA | 100 nc @ 10 v | ± 20V | 6000 pf @ 50 v | - | 192W (TC) | |||||||||||
 | GSFN2306 | 0.5000 | | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-ppak (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 65A (TC) | 1.8V, 4.5V | 5.4mohm @ 20a, 4.5v | 1V @ 250µA | 45 NC @ 4.5 v | ± 10V | 2790 pf @ 10 v | - | 44.6W (TC) | |||||||||||
| SSF2318E | 0.3500 | | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 20 v | 6.5A | 1.8V, 4.5V | 22mohm @ 6.5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 10 nc @ 4.5 v | ± 8V | 1160 pf @ 10 v | - | 1.4W | |||||||||||
| GSFB0205 | 0.4400 | | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | MOSFET (금속 (() | 1.25W (TA) | 6-ppak (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 p 채널 | 20V | 4A (TA) | 49mohm @ 1.5a, 4.5v | 1V @ 250µA | 9NC @ 4.5V | 810pf @ 10V | 기준 | |||||||||||||
| GSFC0304 | 0.3900 | | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 5.3A (TA) | 2.5V, 4.5V | 36mohm @ 4a, 4.5v | 900MV @ 250µA | 12 nc @ 4.5 v | ± 12V | 1000 pf @ 10 v | - | 1.56W (TA) | |||||||||||
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| GSFD1028 | 4.0700 | | 2 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 21mohm @ 14a, 10V | 2.5V @ 250µA | 20 nc @ 10 v | ± 20V | 1030 pf @ 50 v | - | 53W (TC) | |||||||||||
| SSF3913S | 0.3700 | | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 4A (TC) | 4.5V, 10V | 75mohm @ 4a, 10V | 2.2V @ 250µA | 8 NC @ 4.5 v | ± 20V | 810 pf @ 15 v | - | 1.56W (TC) | |||||||||||
| GSFP0380 | 0.5900 | | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-ppak (5.1x5.71) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 11.1 NC @ 4.5 v | ± 20V | 1210 pf @ 25 v | - | 74W (TC) | |||||||||||
| SSFB3910L | 0.4500 | | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | MOSFET (금속 (() | 6-DFN (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 10A | 4.5V, 10V | 13mohm @ 6a, 10V | 2.5V @ 250µA | 7.4 NC @ 4.5 v | ± 20V | 620 pf @ 25 v | - | 2.01W (TC) | |||||||||||
| GSBC817-40 | 0.1300 | | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 45 v | 500 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 700mv @ 50ma, 500ma | 250 @ 100MA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||
| GSF3407 | 0.3100 | | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 4.1A (TA) | 4.5V, 10V | 55mohm @ 4.1a, 10V | 2.4V @ 250µA | 6.8 NC @ 10 v | ± 20V | 580 pf @ 15 v | - | 1.2W (TA) | |||||||||||
| MMBT2907A | 0.1200 | | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 150ma, 10V | 200MHz | |||||||||||||||
| GSFP1526 | 0.8500 | | 3 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-ppak (5.1x5.71) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 150 v | 25A (TC) | 10V | 51mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1620 pf @ 80 v | - | 101W (TC) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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