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트랜지스터 (225)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
GSFP0255 Good-Ark Semiconductor GSFP0255 0.5400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (3.1x3.05) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 20 v 55A (TC) 1.8V, 4.5V 8.3mohm @ 12a, 4.5v 1V @ 250µA 45 NC @ 4.5 v ± 10V 5000 pf @ 10 v - 51W (TC)
GSFD0650 Good-Ark Semiconductor GSFD0650 0.6600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 2,500 n 채널 65 v 50A (TC) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1210 pf @ 30 v - 53W (TC)
GSFK0300 Good-Ark Semiconductor GSFK0300 0.3900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (금속 (() 275MW (TC) SC-88 (SC-70-6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 2 n 채널 30V 800ma (TC) 450mohm @ 300ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 5.2NC @ 4.5V 146pf @ 15V 기준
GSGN0648 Good-Ark Semiconductor GSGN0648 0.6300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 65 v 48A (TC) 4.5V, 10V 10.8mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 30.6 NC @ 10 v +20V, -12V 1890 pf @ 30 v - 42W (TC)
GSFC0306 Good-Ark Semiconductor GSFC0306 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 30 v 5.5A (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 250µA 7 NC @ 4.5 v ± 20V 520 pf @ 15 v - 1.56W (TC)
GSBCP51-16 Good-Ark Semiconductor GSBCP51-16 0.4300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1.5 w SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 2,500 45 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 100MHz
GSFP3984 Good-Ark Semiconductor GSFP3984 0.8500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (5.1x5.71) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 30 v 150A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 7600 pf @ 15 v - 122W (TC)
GSFL1004 Good-Ark Semiconductor GSFL1004 0.4500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 100 v 3A (TC) 4.5V, 10V 185mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 250µA 21 NC @ 10 v ± 20V 1190 pf @ 50 v - 1.78W (TC)
SSFN3907 Good-Ark Semiconductor SSFN3907 0.5900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 30 v 30A (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 17 NC @ 4.5 v ± 20V 2500 pf @ 15 v - 27W (TC)
GSFK06002 Good-Ark Semiconductor GSFK06002 0.3500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (금속 (() 900MW (TA) SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 45,000 2 n 채널 50V 300MA (TA) 2ohm @ 300ma, 10V 1.4V @ 250µA 580NC @ 4.5V 12pf @ 30V 기준
MMBT589 Good-Ark Semiconductor MMBT589 0.3000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 310 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 30 v 1 a 100NA PNP 650MV @ 200MA, 2A 100 @ 500ma, 2v 100MHz
MMBT596-DV4 Good-Ark Semiconductor MMBT596-DV4 0.2400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 200 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 25 v 700 MA 100NA (ICBO) NPN 600mv @ 70ma, 700ma 110 @ 100MA, 1V 170MHz
PZT2222A Good-Ark Semiconductor PZT2222A 0.4000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA 1 W. SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 2,500 40 v 600 MA 10NA NPN 300mv @ 15ma, 150ma 100 @ 150ma, 10V 300MHz
SSFB2309L Good-Ark Semiconductor SSFB2309L 0.5100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 MOSFET (금속 (() 6-DFN (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 20 v 8.5A (TC) 1.8V, 4.5V 28mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 25 nc @ 4.5 v ± 10V 2100 pf @ 15 v - 3.3W (TC)
GSFH9506 Good-Ark Semiconductor GSFH9506 2.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 좋은 좋은 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4786-GSFH9506 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 950 v 5A (TJ) 10V 1.2ohm @ 2a, 10V 3.9V @ 250µA 14.9 NC @ 10 v ± 30V 878 pf @ 50 v - 83W (TJ)
BSS84AKW Good-Ark Semiconductor BSS84AKW 0.1600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 60 v 300MA (TA) 4.5V, 10V 4ohm @ 300ma, 10V 2V @ 250µA ± 20V 41 pf @ 25 v - 270MW (TA)
GSF0500AT Good-Ark Semiconductor GSF0500AT 0.2300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-523 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 50 v 360MA (TA) 2.5V, 10V 1.6ohm @ 500ma, 10V 1.5V @ 250µA 4.7 NC @ 10 v ± 20V 27 pf @ 25 v - 150MW (TA)
SSF02N15 Good-Ark Semiconductor SSF02N15 0.4800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 150 v 1.4A (TC) 6V, 10V 480mohm @ 1a, 10V 4V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 700 pf @ 25 v - 1.56W (TC)
GSFU6522 Good-Ark Semiconductor GSFU6522 2.5300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 좋은 좋은 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4786-GSFU6522 귀 99 8541.21.0080 50 n 채널 650 v 20A (TC) 10V 190mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA 70 nc @ 10 v ± 30V 2100 pf @ 100 v - 45W (TC)
GSFP0356 Good-Ark Semiconductor GSFP0356 0.4500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 30 v 55A (TC) 4.5V, 10V 7.9mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 23 nc @ 10 v ± 20V 1350 pf @ 15 v - 47W (TC)
MMBT5551 Good-Ark Semiconductor MMBT5551 0.1200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 160 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 200mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 5V 300MHz
SSFN3903 Good-Ark Semiconductor SSFN3903 0.6300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 30 v 50a 4.5V, 10V 8.5mohm @ 10a, 10V 2.5V @ 250µA 35 NC @ 4.5 v ± 20V 3300 pf @ 15 v - 2.2W (TA), 59W (TC)
SSFP4960 Good-Ark Semiconductor SSFP4960 0.9100
RFQ
 ECAD 1662 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 6,000 n 채널 40 v 100A (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 25a, 10V 2.5V @ 250µA 80 nc @ 4.5 v ± 20V 7800 pf @ 25 v - 135W (TC)
GSBCX53-16 Good-Ark Semiconductor GSBCX53-16 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 500MW SOT-89-3L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 1,000 80 v 1 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 63 @ 150ma, 2V 50MHz
SSFQ3905 Good-Ark Semiconductor SSFQ3905 0.5800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 30 v 10A 4.5V, 10V 15.5mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 14.6 NC @ 4.5 v ± 20V 1730 pf @ 15 v - 2.5W
GSBC817-25 Good-Ark Semiconductor GSBC817-25 0.1300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 45 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 160 @ 100MA, 1V 100MHz
SSF3714 Good-Ark Semiconductor SSF3714 0.4900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() 2W (TC) SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 및 p 채널 30V 4A (TC), 3A (TC) 30mohm @ 4a, 10v, 65mohm @ 3a, 10v 2.5V @ 250µA 8NC @ 4.5V 500pf @ 25V 기준
GSFN0345 Good-Ark Semiconductor GSFN0345 0.5400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 30 v 45A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 50 nc @ 10 v ± 20V 3000 pf @ 15 v - 46W (TC)
SSF6670 Good-Ark Semiconductor SSF6670 0.4100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 2.4W 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 4,000 2 n 채널 60V 3.5a 90mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA 7NC @ 4.5V 500pf @ 25V 기준
GSFH06100 Good-Ark Semiconductor GSFH06100 1.3600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 좋은 좋은 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4786-GSFH06100 귀 99 8541.21.0080 50 n 채널 60 v 100A (TC) 10V 6.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA 85 NC @ 10 v ± 20V 4800 pf @ 30 v - 170W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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