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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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![]() | GSFH0970 | 3.1000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 튜브 | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 4786-GSFH0970 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 50 | n 채널 | 100 v | 160A (TC) | 10V | 3.5mohm @ 20a, 10V | 3.5V @ 250µA | 450 NC @ 10 v | ± 20V | 26000 pf @ 25 v | - | 208W (TC) | ||||||||||
![]() | GSFP03101 | 1.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-ppak (5.1x5.71) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 3.3mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250µA | 210 nc @ 10 v | ± 20V | 12000 pf @ 25 v | - | 138W (TC) | |||||||||||
![]() | SSFP3806 | 0.8100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 46W (TC) | 8-ppak (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 n 채널 | 30V | 40A (TC) | 6.5mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | 22NC @ 4.5V | 1750pf @ 25v | 기준 | |||||||||||||
![]() | GSFD1550 | 1.9800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n 채널 | 150 v | 50A (TC) | 10V | 25A, 25A, 10V | 4V @ 250µA | 60 nc @ 10 v | ± 20V | 3450 pf @ 75 v | - | 133W (TC) | |||||||||||
![]() | GSFD0646 | 0.7000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n 채널 | 60 v | 45A (TC) | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 59 NC @ 10 v | ± 20V | 3050 pf @ 25 v | - | 63W (TC) | |||||||||||
![]() | GSF3404B | 0.3000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 5.8A (TA) | 4.5V, 10V | 31mohm @ 5a, 10V | 2V @ 250µA | 5.2 NC @ 10 v | ± 20V | 255 pf @ 15 v | - | 1.4W (TA) | |||||||||||
![]() | GSFQ6903 | 0.5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 8.5A (TC) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 88 NC @ 10 v | ± 20V | 3900 pf @ 25 v | - | 4.1W (TC) | |||||||||||
![]() | SSFT04N15 | 0.5000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n 채널 | 150 v | 4A (TA) | 10V | 160mohm @ 4a, 10V | 2.5V @ 250µA | 19 NC @ 10 v | ± 20V | 900 pf @ 25 v | - | - | |||||||||||
![]() | PZT2222A | 0.4000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | 1 W. | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 2,500 | 40 v | 600 MA | 10NA | NPN | 300mv @ 15ma, 150ma | 100 @ 150ma, 10V | 300MHz | |||||||||||||||
![]() | GSFP3984 | 0.8500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-ppak (5.1x5.71) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 150A (TC) | 4.5V, 10V | 2.4mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 110 NC @ 10 v | ± 20V | 7600 pf @ 15 v | - | 122W (TC) | |||||||||||
![]() | SSFN3907 | 0.5900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-ppak (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | p 채널 | 30 v | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 8a, 10V | 2.5V @ 250µA | 17 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2500 pf @ 15 v | - | 27W (TC) | |||||||||||
![]() | SSF6912 | 0.4300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 2.9A (TA) | 4.5V, 10V | 75mohm @ 2a, 10V | 2.5V @ 250µA | 14 nc @ 10 v | ± 20V | 725 pf @ 15 v | - | 1W (TA) | |||||||||||
![]() | SSF3912 | 0.4600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 6.5A (TC) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 6a, 10V | 2.5V @ 250µA | 8 NC @ 4.5 v | ± 20V | 500 pf @ 25 v | - | 1.56W (TC) | |||||||||||
![]() | GSBC857CW | 0.1700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | 150 MW | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 45 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 420 @ 2MA, 5V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | SSF3611E | 0.5300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 4,000 | p 채널 | 30 v | 12A (TC) | 4.5V, 10V | 13mohm @ 10a, 10V | 2V @ 250µA | 55 NC @ 10 v | ± 20V | 3224 pf @ 15 v | - | 2W (TC) | |||||||||||
![]() | GSFD0460 | 0.7300 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252 (DPAK) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 2,500 | n 채널 | 40 v | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 6.7mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 32 NC @ 4.5 v | ± 20V | 2500 pf @ 25 v | - | 62W (TC) | |||||||||||
![]() | SSFP6904 | 0.6600 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-ppak (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 10A, 10V | 2.5V @ 250µA | 59 NC @ 10 v | ± 20V | 3050 pf @ 25 v | - | 96W (TC) | |||||||||||
![]() | MMBTA06 | 0.2100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 80 v | 500 MA | 100NA | NPN | 250mv @ 10ma, 100ma | 100 @ 100ma, 1V | 100MHz | |||||||||||||||
![]() | GSFP0876 | 0.9300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-ppak (5.1x5.71) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 7mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | 45 NC @ 10 v | ± 20V | 2580 pf @ 40 v | - | 98W (TC) | |||||||||||
![]() | GSGA6R015 | 5.0600 | ![]() | 882 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 4786-GSGA6R015 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 150 v | 175A (TC) | 10V | - | 3.9V @ 250µA | 81 NC @ 10 v | ± 20V | 5400 pf @ 25 v | - | 500W (TA) | ||||||||||
![]() | GSFU9504 | 2.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 4786-GSFU9504 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 950 v | 5A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2a, 10V | 3.9V @ 250µA | 14.9 NC @ 10 v | ± 30V | 878 pf @ 50 v | - | 31W (TC) | ||||||||||
![]() | SSFB2309L | 0.5100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | MOSFET (금속 (() | 6-DFN (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | p 채널 | 20 v | 8.5A (TC) | 1.8V, 4.5V | 28mohm @ 4a, 4.5v | 1V @ 250µA | 25 nc @ 4.5 v | ± 10V | 2100 pf @ 15 v | - | 3.3W (TC) | |||||||||||
![]() | BSS84AKW | 0.1600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | MOSFET (금속 (() | SOT-323 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | p 채널 | 60 v | 300MA (TA) | 4.5V, 10V | 4ohm @ 300ma, 10V | 2V @ 250µA | ± 20V | 41 pf @ 25 v | - | 270MW (TA) | ||||||||||||
![]() | GSFH9506 | 2.8300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 4786-GSFH9506 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n 채널 | 950 v | 5A (TJ) | 10V | 1.2ohm @ 2a, 10V | 3.9V @ 250µA | 14.9 NC @ 10 v | ± 30V | 878 pf @ 50 v | - | 83W (TJ) | ||||||||||
![]() | GSFL1004 | 0.4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 100 v | 3A (TC) | 4.5V, 10V | 185mohm @ 2a, 10V | 2.5V @ 250µA | 21 NC @ 10 v | ± 20V | 1190 pf @ 50 v | - | 1.78W (TC) | |||||||||||
![]() | MMBT596-DV4 | 0.2400 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 200 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 25 v | 700 MA | 100NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 70ma, 700ma | 110 @ 100MA, 1V | 170MHz | |||||||||||||||
![]() | GSFP06120 | 1.0500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | MOSFET (금속 (() | 8-ppak (5.1x5.71) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 65 v | 120A (TC) | 4.5V, 10V | 3.5mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 78 NC @ 10 v | ± 20V | 3600 pf @ 30 v | - | 125W (TC) | |||||||||||
![]() | GSFP3944 | 0.4800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-ppak (3.1x3.05) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 45A (TC) | 4.5V, 10V | 7.9mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | 23 nc @ 10 v | ± 20V | 1350 pf @ 15 v | - | 30W (TC) | |||||||||||
![]() | BC856B | 0.1000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 350 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 65 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | PNP | 650MV @ 5MA, 100MA | 125 @ 2MA, 5V | 150MHz | |||||||||||||||
![]() | SSF2219Y | 0.3700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 좋은 좋은 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET (금속 (() | 312MW (TC) | SOT-563 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0080 | 3,000 | 2 p 채널 | 20V | 400MA (TC) | 600mohm @ 300ma, 4.5v | 1V @ 250µA | 2NC @ 4.5V | 78pf @ 10V | 기준 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
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