SIC
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트랜지스터 (225)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환
GSFN3904 Good-Ark Semiconductor GSFN3904 0.6300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 24a, 10V 2.5V @ 250µA 34 NC @ 4.5 v ± 20V 3190 pf @ 25 v - 66W (TC)
2N2222A Good-Ark Semiconductor 2N2222A 1.9700
RFQ
 ECAD 696 0.00000000 좋은 좋은 - 대부분 활동적인 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-206AA, TO-18-3 금속 캔 500MW TO-18 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4786-2N222A 귀 99 8541.21.0095 500 40 v 800 MA 10NA NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
GSFU9506 Good-Ark Semiconductor GSFU9506 3.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 좋은 좋은 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4786-GSFU9506 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 950 v 6A (TJ) 10V 750mohm @ 3a, 10V 3.9V @ 250µA 18.4 NC @ 10 v ± 30V 1250 pf @ 50 v - 32W (TJ)
GSFF0308 Good-Ark Semiconductor GSFF0308 0.3500
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 MOSFET (금속 (() SOT-723 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 8,000 n 채널 30 v 780MA (TA) 2.5V, 4.5V 450mohm @ 300ma, 4.5v 1.2V @ 250µA 5.2 NC @ 4.5 v ± 12V 146 pf @ 15 v - 446MW (TA)
SSFQ3910 Good-Ark Semiconductor SSFQ3910 0.4500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 30 v 10A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 12 nc @ 4.5 v ± 20V 900 pf @ 25 v - 2.1W (TC)
GSFP08150 Good-Ark Semiconductor GSFP08150 1.7600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (5.1x5.71) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 80 v 150A (TC) 10V 3.6MOHM @ 20A, 10V 4V @ 250µA 100 nc @ 10 v ± 20V 6900 pf @ 40 v - 192W (TC)
SSF6909 Good-Ark Semiconductor SSF6909 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 60 v 3.2A (TA) 4.5V, 10V 105mohm @ 3a, 10V - 15 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 30 v - 2W (TA)
GSFP0446 Good-Ark Semiconductor GSFP0446 0.5800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (3.1x3.05) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 40 v 45A (TC) 4.5V, 10V 7.2MOHM @ 8A, 10V 2.5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 20 v - 33W (TC)
SSFN4903 Good-Ark Semiconductor SSFN4903 0.5800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 40 v 38A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 4000 pf @ 25 v - 52W (TC)
GSFP1036 Good-Ark Semiconductor GSFP1036 0.6200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (5.1x5.71) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 100 v 35A (TC) 4.5V, 10V 22mohm @ 12a, 10V 2.5V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 20V 1030 pf @ 50 v - 68W (TC)
SSF2320Y Good-Ark Semiconductor ssf2320y 0.2600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOT-523 MOSFET (금속 (() SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 20 v 800MA (TC) 1.2V, 4.5V 300mohm @ 500ma, 4.5v 1V @ 250µA 1 NC @ 4.5 v ± 8V 75 pf @ 10 v - 312MW (TC)
SSFL0956 Good-Ark Semiconductor SSFL0956 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 100 v 4A (TC) 4.5V, 10V 120mohm @ 4a, 10V 2.5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V - 5.2W (TC)
SSFB12N05 Good-Ark Semiconductor SSFB12N05 0.4700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 MOSFET (금속 (() 1.9W (TA) 6-DFN (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 4,000 n 보완 p 채널 및 12V 5A (TA) 32mohm @ 5a, 4.5v, 74mohm @ 4.5a, 4.5v 1V @ 250µA 6.6nc @ 4.5v, 9.2nc @ 4.5v 495pf @ 6v, 520pf @ 6v 기준
SSFU6511 Good-Ark Semiconductor SSFU6511 1.7100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 좋은 좋은 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4786-SSFU6511 귀 99 8541.21.0080 50 n 채널 650 v 11.5A (TC) 10V 360mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA 19 NC @ 10 v ± 30V 870 pf @ 50 v - 32.6W (TC)
GSFH0970 Good-Ark Semiconductor GSFH0970 3.1000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 좋은 좋은 - 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4786-GSFH0970 귀 99 8541.21.0080 50 n 채널 100 v 160A (TC) 10V 3.5mohm @ 20a, 10V 3.5V @ 250µA 450 NC @ 10 v ± 20V 26000 pf @ 25 v - 208W (TC)
SSF2341E Good-Ark Semiconductor SSF2341E 0.4000
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 20 v 4A (TC) 1.8V, 4.5V 43mohm @ 4a, 4.5v 1V @ 250µA 10 nc @ 4.5 v ± 8V 939 pf @ 10 v - 1.4W
GSFP03101 Good-Ark Semiconductor GSFP03101 1.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (5.1x5.71) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 30 v 100A (TC) 4.5V, 10V 3.3mohm @ 30a, 10V 2.2V @ 250µA 210 nc @ 10 v ± 20V 12000 pf @ 25 v - 138W (TC)
GSFP0341 Good-Ark Semiconductor GSFP0341 0.5400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (5.1x5.71) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 30 v 40A (TC) 4.5V, 10V 17.8mohm @ 8a, 10V 2.5V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1650 pf @ 15 v - 53W (TC)
SSFP3806 Good-Ark Semiconductor SSFP3806 0.8100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 46W (TC) 8-ppak (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 2 n 채널 30V 40A (TC) 6.5mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 22NC @ 4.5V 1750pf @ 25v 기준
GSFK0501E Good-Ark Semiconductor GSFK0501E 0.4200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MOSFET (금속 (() 300MW (TA) SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 2 p 채널 50V 180MA (TA) 4ohm @ 150ma, 10V 3V @ 250µA 530pc @ 10V 25.2pf @ 25V 기준
GS2N7002KW Good-Ark Semiconductor GS2N7002KW 0.2400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 MOSFET (금속 (() SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 60 v 340MA (TA) 4.5V, 10V 2.5ohm @ 300ma, 10V 2.5V @ 250µA 2.4 NC @ 10 v ± 20V 18 pf @ 30 v - 350MW (TA)
GSFW0202 Good-Ark Semiconductor GSFW0202 0.2200
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 MOSFET (금속 (() SOT-883 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 10,000 n 채널 20 v 1.4A (TA) 1.8V, 4.5V 230mohm @ 550ma, 4.5v 1V @ 250µA 2 nc @ 4.5 v ± 8V 43 pf @ 10 v - 700MW (TA)
SSF2145CH6 Good-Ark Semiconductor SSF2145CH6 0.4300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 MOSFET (금속 (() 1.7W 6TSOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 - 20V 4.8A (TC), 2.9A (TC) 55mohm @ 3.6a, 4.5v, 80mohm @ 3a, 4.5v 1V @ 250µA - 420pf @ 10V 기준
GSFB0305 Good-Ark Semiconductor GSFB0305 0.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 MOSFET (금속 (() 1.9W (TA), 7.4W (TC) 6-ppak (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 2 p 채널 30V 4.2A (TA), 8A (TC) 75mohm @ 3a, 10V 2.5V @ 250µA 10NC @ 4.5V 820pf @ 15V -
SSF8970 Good-Ark Semiconductor SSF8970 2.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 좋은 좋은 - 튜브 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4786-SSF8970 귀 99 8541.21.0080 50 n 채널 80 v 200a (TC) 10V 2.6MOHM @ 20A, 10V 3.5V @ 250µA 360 NC @ 10 v ± 20V 23000 pf @ 30 v - 208W (TC)
GSFP1040 Good-Ark Semiconductor GSFP1040 0.6600
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (5.1x5.71) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 n 채널 100 v 40A (TC) 10V 18mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 v ± 20V 1300 pf @ 50 v - 83W (TC)
SSFN2603 Good-Ark Semiconductor SSFN2603 0.5800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 20 v 60A (TC) 1.8V, 4.5V 8mohm @ 8a, 4.5v 1V @ 250µA 80 nc @ 4.5 v ± 12V 8000 f @ 15 v - 62.5W (TC)
GSF2301 Good-Ark Semiconductor GSF2301 0.2600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 3,000 p 채널 20 v 3A (TA) 2.5V, 4.5V 110mohm @ 3a, 4.5v 1V @ 250µA 12 nc @ 2.5 v ± 12V 405 pf @ 10 v - 1W (TA)
GSFD0646 Good-Ark Semiconductor GSFD0646 0.7000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 2,500 n 채널 60 v 45A (TC) 4.5V, 10V 12MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA 59 NC @ 10 v ± 20V 3050 pf @ 25 v - 63W (TC)
SSFD20N08 Good-Ark Semiconductor SSFD20N08 0.6300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252 (DPAK) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0080 2,500 n 채널 200 v 8A (TC) 10V 300mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 250µA 16 nc @ 10 v ± 20V 540 pf @ 25 v - 55W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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