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트랜지스터 (257)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
RM120N85T2 Rectron USA RM120N85T2 0.5300
RFQ
 ECAD 3830 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM120N85T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 85 v 120A (TC) 10V 5.3MOHM @ 60A, 10V 4.5V @ 250µA ± 20V 5500 pf @ 40 v - 160W (TC)
RM3003S6 Rectron USA RM3003S6 0.0980
RFQ
 ECAD 2601 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 RM3003 MOSFET (금속 (() 1.2W (TA) TSOT-23-6L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM3003S6tr 8541.10.0080 30,000 n 및 p 채널 30V 3.5A (TA), 2.7A (TA) 58mohm @ 3.5a, 10v, 100mohm @ 2.7a, 10v 1.3V @ 250µA, 2.5V @ 250µA 5NC @ 10V 210pf @ 15v, 199pf @ 15v -
RM20N650TI Rectron USA RM20N650TI 1.0400
RFQ
 ECAD 3696 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM20N650TI 8541.10.0080 5,000 n 채널 650 v 20A (TC) 10V 210mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA ± 30V 2600 pf @ 50 v - 33W (TC)
RM6A5P30S8 Rectron USA RM6A5P30S8 0.1900
RFQ
 ECAD 7721 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RM6A5 MOSFET (금속 (() 1.5W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM6A5P30S8tr 8541.10.0080 40,000 2 p 채널 (채널) 30V 6.5A (TA) 25mohm @ 6a, 10V 2.5V @ 250µA 12.6NC @ 4.5V 1345pf @ 15V -
RM6005S4 Rectron USA RM6005S4 0.1550
RFQ
 ECAD 1297 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM6005S4tr 8541.10.0080 30,000 n 채널 60 v 5A (TA) 4.5V, 10V 55mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 450 pf @ 25 v - 2W (TA)
RM150N30LT2 Rectron USA RM150N30LT2 0.2800
RFQ
 ECAD 9826 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM150N30LT2 8541.10.0080 5,000 n 채널 30 v 150A (TC) 4.5V, 10V 3MOHM @ 30A, 10V 3V @ 250µA ± 20V 3400 pf @ 25 v - 150W (TC)
RM130N100T2 Rectron USA RM130N100T2 0.6900
RFQ
 ECAD 9163 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM130N100T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 100 v 130A (TC) 10V 5.5mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 4570 pf @ 25 v - 120W (TC)
2N7002K36 Rectron USA 2N7002K36 0.0450
RFQ
 ECAD 2683 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 SOT-23-6 2N7002 MOSFET (금속 (() 350MW (TA) SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-2N7002K36TR 8541.10.0080 30,000 2 n 채널 (채널) 60V 250MA (TA) 3ohm @ 500ma, 10V 1.9V @ 250µA - - -
RM10N100LD Rectron USA RM10N100LD 0.1480
RFQ
 ECAD 2964 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM10N100LDTR 8541.10.0080 25,000 n 채널 100 v 10A (TC) 4.5V, 10V 130mohm @ 10a, 10V 2V @ 250µA ± 20V 730 pf @ 50 v - 40W (TC)
RM45N60DF Rectron USA RM45N60DF 0.4500
RFQ
 ECAD 9267 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM45N60DFTR 8541.10.0080 40,000 n 채널 60 v 45A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 20a, 10V 2.2V @ 250µA ± 20V 2180 pf @ 30 v - 60W (TC)
RM6N800T2 Rectron USA RM6N800T2 0.8200
RFQ
 ECAD 9372 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM6N800T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 800 v 6A (TC) 10V 900mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 1320 pf @ 50 v - 98W (TC)
RM4606S8 Rectron USA RM4606S8 0.1100
RFQ
 ECAD 4982 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RM4606 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM4606S8tr 8541.10.0080 40,000 n 및 p 채널 30V 6.5A (TA), 7A (TA) 30mohm @ 6a, 10v, 33mohm @ 6.5a, 10v 3V @ 250µA, 2.5V @ 250µA 13nc @ 10v, 9.2nc @ 10v 255pf @ 15v, 520pf @ 15v -
RM2004NE Rectron USA RM2004NE 0.0900
RFQ
 ECAD 9814 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 RM2004 MOSFET (금속 (() 1.25W (TA) SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM2004netr 8541.10.0080 30,000 2 n 채널 (채널) 20V 6A (TA) 24mohm @ 6a, 10V 1V @ 250µA 8NC @ 4.5V 650pf @ 10V -
RM12N650T2 Rectron USA RM12N650T2 0.6700
RFQ
 ECAD 2682 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM12N650T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 650 v 11.5A (TC) 10V 360mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 870 pf @ 50 v - 101W (TC)
RM2301 Rectron USA RM2301 0.0420
RFQ
 ECAD 2341 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm2301tr 8541.10.0080 30,000 p 채널 20 v 3A (TA) 2.5V, 4.5V 110mohm @ 3a, 4.5v 1V @ 250µA ± 12V 405 pf @ 10 v - 1W (TA)
RM17N800TI Rectron USA RM17N800TI 1.5300
RFQ
 ECAD 5642 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM17N800TI 8541.10.0080 5,000 n 채널 800 v 17A (TC) 10V 320mohm @ 8.5a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 2060 pf @ 50 v - 35W (TC)
RM30N100T2 Rectron USA RM30N100T2 0.3900
RFQ
 ECAD 2008 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM30N100T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 100 v 30A (TC) 10V 28mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 2000 pf @ 25 v - 75W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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