- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
트랜지스터 (257)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 다른 다른 | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RM80N30LD | 0.1900 |  | 3404 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM80N30LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | n 채널 | 30 v | 80A (TC) | 5V, 10V | 6.5mohm @ 30a, 10V | 3V @ 250µA | ± 20V | 2330 pf @ 15 v | - | 83W (TC) | ||||||||||||||
 | RM185N30DF | 0.7300 | | 8931 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM185N30DFTR | 8541.10.0080 | 40,000 | n 채널 | 30 v | 185A (TC) | 4.5V, 10V | 1.4mohm @ 95a, 10V | 2V @ 250µA | ± 20V | 8800 pf @ 15 v | - | 95W (TC) | ||||||||||||||
 | RM12N100S8 | 0.3800 | | 9381 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM12N100S8tr | 8541.10.0080 | 40,000 | n 채널 | 100 v | 12A (TA) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 12a, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 2250 pf @ 50 v | - | 3.1W (TA) | ||||||||||||||
 | RM6N100S4V | 0.1600 | | 9753 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM6N100S4VTR | 8541.10.0080 | 30,000 | n 채널 | 100 v | 6A (TA) | 10V | 140mohm @ 5a, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 690 pf @ 25 v | - | 3W (TA) | ||||||||||||||
 | RM120N30T2 | 0.3300 | | 1989 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM120N30T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 120A (TA) | 10V | 3.5mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | ± 20V | 3550 pf @ 25 v | - | 120W (TA) | ||||||||||||||
 | RM5N40S2 | 0.0690 | | 2036 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM5N40S2TR | 8541.10.0080 | 30,000 | n 채널 | 40 v | 5A (TA) | 4.5V, 10V | 32mohm @ 4a, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 593 pf @ 15 v | - | 1.25W (TA) | ||||||||||||||
| RM15P30S8 | 0.2400 | | 4839 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM15P30S8tr | 8541.10.0080 | 40,000 | p 채널 | 30 v | 15A (TA) | 10V | 12MOHM @ 15A, 10V | 2.2V @ 250µA | ± 20V | 2900 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) | ||||||||||||||
 | RM7N600IP | 0.5500 | | 9307 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | MOSFET (금속 (() | TO-251 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM7N600IP | 8541.10.0080 | 4,000 | n 채널 | 600 v | 7A (TC) | 10V | 580mohm @ 3a, 10V | 4V @ 250µA | ± 30V | 587 pf @ 50 v | - | 63W (TC) | ||||||||||||||
| RM75N60T2 | 0.3600 | | 9812 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM75N60T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 75A (TC) | 10V | 11.5mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | ± 20V | 2350 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | ||||||||||||||
| RM5N700IP | 0.4700 | | 8989 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | MOSFET (금속 (() | TO-251 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM5N700IP | 8541.10.0080 | 4,000 | n 채널 | 700 v | 5A (TC) | 10V | 950mohm @ 2.5a, 10V | 3.5V @ 250µA | ± 30V | 460 pf @ 50 v | - | 49W (TC) | ||||||||||||||
| RM5N800LD | 0.6900 | | 2148 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM5N800LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | n 채널 | 800 v | 5A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 2.5a, 10V | 3.5V @ 250µA | ± 30V | 680 pf @ 50 v | - | 81W (TC) | ||||||||||||||
| RM8N700LD | 0.4700 | | 1520 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM8N700LD | 8541.10.0080 | 4,000 | n 채널 | 700 v | 8A (TC) | 10V | 600mohm @ 4a, 10V | 4V @ 250µA | ± 30V | 590 pf @ 50 v | - | 69W (TC) | ||||||||||||||
| RM17N800T2 | 1.5300 | | 9008 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM17N800T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | n 채널 | 800 v | 17A (TA) | 10V | 320mohm @ 8.5a, 10V | 4V @ 250µA | ± 30V | 2060 pf @ 50 v | - | 260W (TC) | ||||||||||||||
 | RM1216 | 0.1200 | | 9882 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-wdfn n 패드 | MOSFET (금속 (() | 6-DFN (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM1216TR | 8541.10.0080 | 25,000 | p 채널 | 12 v | 16A (TC) | 2.5V, 4.5V | 18mohm @ 6.7a, 4.5v | 1V @ 250µA | ± 12V | 2700 pf @ 10 v | - | 18W (TC) | ||||||||||||||
| RM5N150S8 | 0.4000 | | 8016 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM5N150S8 | 8541.10.0080 | 300 | n 채널 | 150 v | 4.6A (TA) | 4.5V, 10V | 75mohm @ 5a, 10V | 3V @ 250µA | ± 20V | 625 pf @ 75 v | - | 3.1W (TA) | ||||||||||||||
| RM50N150DF | 0.6400 | | 1275 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM50N150DFTR | 8541.10.0080 | 40,000 | n 채널 | 150 v | 50A (TC) | 10V | 19mohm @ 30a, 10V | 4.5V @ 250µA | ± 20V | 5200 pf @ 50 v | - | 100W (TC) | ||||||||||||||
 | RM40N200TI | 0.7600 | | 2452 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM40N200TI | 8541.10.0080 | 5,000 | n 채널 | 200 v | 40A (TA) | 10V | 41mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | ± 20V | 6500 pf @ 25 v | - | 60W (TA) | ||||||||||||||
| RM8N700TI | 0.6800 | | 7906 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM8N700TI | 8541.10.0080 | 5,000 | n 채널 | 700 v | 8A (TJ) | 10V | 600mohm @ 4a, 10V | 3.5V @ 250µA | ± 30V | 680 pf @ 50 v | - | 31.7W (TC) | ||||||||||||||
| rm2n650ip | 0.3000 | | 7388 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | MOSFET (금속 (() | TO-251 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM2N650IP | 8541.10.0080 | 40,000 | n 채널 | 650 v | 2A (TC) | 10V | 2.5ohm @ 1a, 10V | 3.5V @ 250µA | ± 30V | 190 pf @ 50 v | - | 23W (TC) | ||||||||||||||
| RM3400 | 0.4100 | | 7462 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM3400tr | 8541.10.0080 | 30,000 | n 채널 | 30 v | 5.8A (TA) | 2.5V, 10V | 41mohm @ 5.8a, 10V | 1.4V @ 250µA | ± 12V | 820 pf @ 15 v | - | 1.4W (TA) | ||||||||||||||
 | RM130N200T7 | 4.3000 | | 8471 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM130N200T7 | 8541.10.0080 | 1,800 | n 채널 | 200 v | 132A (TC) | 10V | 10.9mohm @ 20a, 10V | 4V @ 250µA | ± 20V | 4970 pf @ 100 v | - | 429W (TC) | ||||||||||||||
| RM2312 | 0.0440 | | 5226 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM2312TR | 8541.10.0080 | 30,000 | n 채널 | 20 v | 4.5A (TA) | 1.8V, 4.5V | 33mohm @ 4.5a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | ± 12V | 500 pf @ 8 v | - | 1.25W (TA) | ||||||||||||||
| RM40N600T7 | 1.3200 | | 1226 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | RM40N | 기준 | 306 W. | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM40N600T7 | 8541.10.0080 | 300 | 400V, 40A, 10ohm, 15V | 151 ns | 트렌치 트렌치 정지 | 600 v | 80 a | 160 a | 2V @ 15V, 40A | 1.12mj (on), 610µj (OFF) | 149 NC | 21ns/203ns | ||||||||||||
 | RM130N100HD | 0.7000 | | 4397 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | TO-263-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM130N100HDTR | 8541.10.0080 | 8,000 | n 채널 | 100 v | 130A (TC) | 10V | 5.5mohm @ 50a, 10V | 4V @ 250µA | ± 20V | 4570 pf @ 25 v | - | 120W (TC) | ||||||||||||||
| RM21N700TI | 1.3300 | | 9246 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM21N700TI | 8541.10.0080 | 5,000 | n 채널 | 700 v | 21A (TC) | 10V | 190mohm @ 10.5a, 10V | 3.5V @ 250µA | ± 30V | 1950 pf @ 50 v | - | 34W (TC) | ||||||||||||||
| RM50N60DF | 0.5600 | | 3189 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM50N60DFTR | 8541.10.0080 | 40,000 | n 채널 | 60 v | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 20a, 10V | 1.8V @ 250µA | ± 20V | 4000 pf @ 30 v | - | 75W (TC) | ||||||||||||||
| RM150N100HD | 0.9500 | | 1451 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | TO-263-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM150N100HDTR | 8541.10.0080 | 8,000 | n 채널 | 100 v | 150A (TC) | 10V | 4.2MOHM @ 70A, 10V | 4V @ 250µA | +20V, -12V | 6680 pf @ 50 v | - | 275W (TC) | ||||||||||||||
| rm27p30ld | 0.1500 | | 5544 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-rm27p30ldtr | 8541.10.0080 | 25,000 | p 채널 | 30 v | 27A (TC) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 12a, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 930 pf @ 15 v | - | 31.3W (TC) | ||||||||||||||
| RM120N60T2 | 0.5500 | | 2318 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM120N60T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 120A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 60a, 10V | 2.4V @ 250µA | ± 20V | 4000 pf @ 30 v | - | 180W (TC) | ||||||||||||||
| RM3415 | 0.0560 | | 8856 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM3415TR | 8541.10.0080 | 30,000 | p 채널 | 20 v | 4A (TA) | 2.5V, 4.5V | 45mohm @ 4a, 4.5v | 900MV @ 250µA | ± 10V | 950 pf @ 10 v | - | 1.4W (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)