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트랜지스터 (257)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
RMA7N20ED1 Rectron USA rma7n20ed1 0.0290
RFQ
 ECAD 9077 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 MOSFET (금속 (() DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rma7n20ed1tr 8541.10.0080 40,000 n 채널 20 v 700ma (TC) 2.5V, 4.5V 260mohm @ 500ma, 4.5v 1.2V @ 250µA ± 8V 40 pf @ 10 v - 550MW (TA)
RM110N150HD Rectron USA RM110N150HD 1.4400
RFQ
 ECAD 8528 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM110N150HDTR 8541.10.0080 8,000 n 채널 150 v 113A (TC) 10V 8.8mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 4362 pf @ 75 v - 273W (TC)
RM150N60HD Rectron USA RM150N60HD 0.6700
RFQ
 ECAD 5813 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM150N60HDTR 8541.10.0080 8,000 n 채널 60 v 150A (TC) 10V 4.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 6500 pf @ 25 v - 220W (TC)
RM1505S Rectron USA RM1505S 0.3900
RFQ
 ECAD 3397 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP - Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM1505STR 8541.10.0080 40,000 n 채널 150 v 5.1A (TA) 10V 65mohm @ 5.1a, 10V 4.5V @ 250µA ± 20V 730 pf @ 75 v - 3W (TA), 5W (TC)
RM1002 Rectron USA RM1002 0.0440
RFQ
 ECAD 9360 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM1002TR 8541.10.0080 30,000 n 채널 100 v 2A (TA) 10V 220mohm @ 1a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 190 pf @ 50 v - 1.1W (TA)
RM2302 Rectron USA RM2302 0.0420
RFQ
 ECAD 7094 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm2302tr 8541.10.0080 30,000 n 채널 20 v 4A (TA) 2.5V, 4.5V 45mohm @ 2.9a, 4.5v 1.2V @ 250µA ± 12V 300 pf @ 10 v - 1W (TA)
RM4077S8 Rectron USA RM4077S8 0.2600
RFQ
 ECAD 3036 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RM4077 MOSFET (금속 (() 2.5W (TC) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM4077S8tr 8541.10.0080 40,000 n 및 p 채널 40V 6.7A (TC), 7.2A (TC) 32mohm @ 5a, 10v, 40mohm @ 4a, 10v 2.5V @ 250µA 5.6nc @ 4.5v, 16nc @ 4.5v 800pf @ 15V, 1600pf @ 15V -
RM40N100LD Rectron USA RM40N100LD 0.3800
RFQ
 ECAD 7839 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM40N100LDTR 8541.10.0080 25,000 n 채널 100 v 40A (TC) 10V 17mohm @ 28a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 3400 pf @ 30 v - 140W (TC)
RM4N700LD Rectron USA RM4N700LD 0.3500
RFQ
 ECAD 4905 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM4N700LDTR 8541.10.0080 25,000 n 채널 700 v 4A (TC) 10V 1.4ohm @ 2a, 10V 3.5V @ 250µA ± 30V 280 pf @ 50 v - 46W (TC)
RM2333 Rectron USA RM2333 0.0520
RFQ
 ECAD 7834 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM2333TR 8541.10.0080 30,000 p 채널 12 v 6A (TA) 2.5V, 4.5V 30mohm @ 6a, 4.5v 1V @ 250µA ± 12V 1100 pf @ 6 v - 1.8W (TA)
RM180N60T2 Rectron USA RM180N60T2 0.7300
RFQ
 ECAD 2096 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM180N60T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 60 v 180A (TC) 10V 2.9mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 4500 pf @ 30 v - 220W (TC)
RM150N100ADF Rectron USA RM150N100ADF 0.8000
RFQ
 ECAD 8337 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) - Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM150N100ADFTR 8541.10.0080 40,000 n 채널 100 v 128A (TC) 10V 4.2MOHM @ 20A, 10V 2.4V @ 250µA ± 20V 3650 pf @ 50 v - 125W (TC)
RM50P30DF Rectron USA RM50P30DF 0.4200
RFQ
 ECAD 2671 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm50p30dftr 8541.10.0080 25,000 p 채널 30 v 50A (TC) 10V 7mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 250µA ± 20V 3590 pf @ 15 v - 35W (TC)
RM90N40DF Rectron USA RM90N40DF 0.4100
RFQ
 ECAD 8078 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM90N40DFTR 8541.10.0080 40,000 n 채널 40 v 90A (TC) 4.5V, 10V 4MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 5400 pf @ 20 v - 65W (TC)
RM50P30D3 Rectron USA RM50P30D3 0.2300
RFQ
 ECAD 3274 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN-EP (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm50p30d3tr 8541.10.0080 25,000 p 채널 30 v 50A (TC) 4.5V, 10V 8.7mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 3448 pf @ 15 v - 38W (TC)
RM5N650LD Rectron USA RM5N650LD 0.4500
RFQ
 ECAD 7945 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM5N650LDTR 8541.10.0080 25,000 n 채널 650 v 5A (TC) 10V 900mohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250µA ± 30V 460 pf @ 50 v - 49W (TC)
RM6A5N30S6 Rectron USA RM6A5N30S6 0.0520
RFQ
 ECAD 4369 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm6a5n30s6tr 8541.10.0080 30,000 n 채널 32 v 6.5A (TA) 4.5V, 10V 35mohm @ 500ma, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 325 pf @ 15 v - 2.7W (TA)
RM7N40S4 Rectron USA RM7N40S4 0.2200
RFQ
 ECAD 4861 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM7N40S4tr 8541.10.0080 30,000 n 채널 40 v 5A (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 4.5a, 10V 2V @ 250µA ± 20V 770 pf @ 40 v - 16W (TA)
RM50N30DN Rectron USA RM50N30DN 0.2400
RFQ
 ECAD 1488 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm50n30dntr 8541.10.0080 25,000 n 채널 30 v 50A (TA) 4.5V, 10V 6.5mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA ± 20V 1840 pf @ 25 v - 3.57W (TA)
RM15N650TI Rectron USA RM15N650TI 0.9200
RFQ
 ECAD 7598 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM15N650TI 8541.10.0080 5,000 n 채널 650 v 15A (TC) 10V 260mohm @ 8a, 10V 3.5V @ 250µA ± 30V 1360 pf @ 50 v - 33.5W (TC)
RM3407 Rectron USA RM3407 0.1200
RFQ
 ECAD 7167 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm3407tr 8541.10.0080 12,000 p 채널 30 v 4.3A (TA) 4.5V, 10V 52mohm @ 4a, 10V 3V @ 250µA ± 20V 700 pf @ 15 v - 1.5W (TA)
RM5N650IP Rectron USA RM5N650IP 0.4500
RFQ
 ECAD 6616 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() TO-251 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM5N650IP 8541.10.0080 4,000 n 채널 650 v 5A (TC) 10V 900mohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250µA ± 30V 460 pf @ 50 v - 49W (TC)
RM40N40D3 Rectron USA RM40N40D3 0.1540
RFQ
 ECAD 5285 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN-EP (3x3) - Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM40N40D3TR 8541.10.0080 25,000 n 채널 40 v 40A (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 2229 pf @ 20 v - 27W (TC)
RM60N30DF Rectron USA RM60N30DF 0.1400
RFQ
 ECAD 4964 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm60n30dftr 8541.10.0080 40,000 n 채널 30 v 58A (TC) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 1844 pf @ 15 v - 46W (TC)
RM6N800TI Rectron USA RM6N800TI 0.8200
RFQ
 ECAD 7478 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM6N800TI 8541.10.0080 5,000 n 채널 800 v 6A (TJ) 10V 900mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 1320 pf @ 50 v - 32.4W (TC)
RM8N700T2 Rectron USA RM8N700T2 0.6800
RFQ
 ECAD 4384 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM8N700T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 700 v 8A (TC) 10V 600mohm @ 4a, 10V 3.5V @ 250µA ± 30V 680 pf @ 50 v - 80W (TC)
RM130N30D3 Rectron USA RM130N30D3 0.2200
RFQ
 ECAD 2210 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN-EP (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm130n30d3tr 8541.10.0080 25,000 n 채널 30 v 130A (TC) 4.5V, 10V 3.2MOHM @ 30A, 10V 2.4V @ 250µA ± 20V 4200 pf @ 15 v - 45W (TC)
RM80N80HD Rectron USA RM80N80HD 0.5200
RFQ
 ECAD 6436 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM80N80HDTR 8541.10.0080 8,000 n 채널 80 v 80A (TA) 10V 8.5mohm @ 40a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 4400 pf @ 25 v - 170W (TA)
RM60N100DF Rectron USA RM60N100DF 0.4900
RFQ
 ECAD 7225 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM60N100DFTR 8541.10.0080 40,000 n 채널 100 v 60A (TC) 10V 8.5mohm @ 30a, 10V 4.5V @ 250µA ± 20V 3500 pf @ 50 v - 105W (TC)
DTC123JUA Rectron USA DTC123JUA 0.0410
RFQ
 ECAD 9963 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DTC123 200 MW SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-DTC123Juatr 귀 99 8541.10.0080 24,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- + 다이오드 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 46.2 KOHMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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