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트랜지스터 (257)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 다른 다른 | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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| RM20P30D3 | 0.2300 | | 9069 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-DFN-EP (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-rm20p30d3tr | 8541.10.0080 | 25,000 | p 채널 | 30 v | 20A (TA) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 15a, 10V | 1.9V @ 250µA | ± 20V | 2130 pf @ 25 v | - | 35W (TA) | |||||
| RM3416 | 0.0580 | | 7064 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM3416TR | 8541.10.0080 | 30,000 | n 채널 | 20 v | 6.5A (TA) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 6.5a, 4.5v | 1V @ 250µA | ± 12V | 660 pf @ 10 v | - | 1.4W (TA) | |||||
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 | rma7n20ed1 | 0.0290 | | 9077 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-101, SOT-883 | MOSFET (금속 (() | DFN1006-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-rma7n20ed1tr | 8541.10.0080 | 40,000 | n 채널 | 20 v | 700ma (TC) | 2.5V, 4.5V | 260mohm @ 500ma, 4.5v | 1.2V @ 250µA | ± 8V | 40 pf @ 10 v | - | 550MW (TA) | |||||
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| RM150N60HD | 0.6700 | | 5813 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | TO-263-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM150N60HDTR | 8541.10.0080 | 8,000 | n 채널 | 60 v | 150A (TC) | 10V | 4.5mohm @ 75a, 10V | 4V @ 250µA | ± 20V | 6500 pf @ 25 v | - | 220W (TC) | |||||
| RM1505S | 0.3900 | | 3397 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM1505STR | 8541.10.0080 | 40,000 | n 채널 | 150 v | 5.1A (TA) | 10V | 65mohm @ 5.1a, 10V | 4.5V @ 250µA | ± 20V | 730 pf @ 75 v | - | 3W (TA), 5W (TC) | |||||
| RM1002 | 0.0440 | | 9360 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM1002TR | 8541.10.0080 | 30,000 | n 채널 | 100 v | 2A (TA) | 10V | 220mohm @ 1a, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 190 pf @ 50 v | - | 1.1W (TA) | |||||
| RM2302 | 0.0420 | | 7094 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-rm2302tr | 8541.10.0080 | 30,000 | n 채널 | 20 v | 4A (TA) | 2.5V, 4.5V | 45mohm @ 2.9a, 4.5v | 1.2V @ 250µA | ± 12V | 300 pf @ 10 v | - | 1W (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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