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트랜지스터 (257)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 저항 -r (R1) | 저항- 터베이스 이미 (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RM8N650LD | 0.5200 |  | 4458 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM8N650LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | n 채널 | 650 v | 8A (TC) | 10V | 540mohm @ 4a, 10V | 3.5V @ 250µA | ± 30V | 680 pf @ 50 v | - | 80W (TC) | |||||||||||||||
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| RM35P100T2 | 0.4700 | | 6451 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM35P100T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | p 채널 | 100 v | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 50mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 6516 pf @ 25 v | - | 104W (TC) | |||||||||||||||
| RM180N100T2 | 1.5100 | | 5783 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM180N100T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | n 채널 | 100 v | 180A (TC) | 10V | 3MOHM @ 100A, 10V | 4.5V @ 250µA | ± 20V | 1150 pf @ 50 v | - | 300W (TC) | |||||||||||||||
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| RM27P30LDV | 0.1600 | | 2318 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252-2 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM27P30LDVTR | 8541.10.0080 | 25,000 | p 채널 | 30 v | 27A (TC) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 12a, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 930 pf @ 15 v | - | 40W (TC) | |||||||||||||||
| RM3010 | 0.1300 | | 6757 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-rm3010tr | 8541.10.0080 | 40,000 | n 채널 | 30 v | 10A (TA) | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 10A, 10V | 3V @ 250µA | ± 20V | 1550 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | |||||||||||||||
| RM115N65T2 | 0.4600 | | 7143 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM115N65T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | n 채널 | 65 v | 115A (TC) | 4.5V, 10V | 4.7mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | +20V, -12V | 5900 pf @ 30 v | - | 160W (TC) | |||||||||||||||
| RM60N75LD | 0.4100 | | 3866 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM60N75LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | n 채널 | 75 v | 60A (TC) | 10V | 8.5mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | ± 20V | 4400 pf @ 25 v | - | 140W (TC) | |||||||||||||||
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| RM75N60LD | 0.2900 | | 6542 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM75N60LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | n 채널 | 60 v | 75A (TC) | 10V | 11.5mohm @ 30a, 10V | 4V @ 250µA | ± 20V | 2350 pf @ 25 v | - | 110W (TC) | |||||||||||||||
 | RM11N800TI | 1.4400 | | 3242 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | MOSFET (금속 (() | TO-220F | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM11N800TI | 8541.10.0080 | 5,000 | n 채널 | 800 v | 11A (TJ) | 10V | 420mohm @ 5.5a, 10V | 4V @ 250µA | ± 30V | 2600 pf @ 50 v | - | 33.8W (TC) | |||||||||||||||
| RM4435 | 0.1400 | | 5534 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM4435TR | 8541.10.0080 | 40,000 | p 채널 | 30 v | 9.1A (TA), 11A (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 9.1a, 10V | 3V @ 250µA | ± 20V | 1600 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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