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트랜지스터 (257)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실)
RM30P55LD Rectron USA RM30P55LD 0.3300
RFQ
 ECAD 9543 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM30P55LDTR 8541.10.0080 25,000 p 채널 55 v 30A (TC) 10V 40mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 3500 pf @ 30 v - 65W (TC)
RM3N700S4 Rectron USA RM3N700S4 0.2900
RFQ
 ECAD 2302 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-3 MOSFET (금속 (() SOT-223-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM3N700S4tr 8541.10.0080 30,000 n 채널 700 v 3A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 225 pf @ 100 v - 6.2W (TC)
RM80N30DN Rectron USA RM80N30DN 0.2900
RFQ
 ECAD 6630 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm80n30dntr 8541.10.0080 25,000 n 채널 30 v 80A (TC) 4.5V, 10V 3.8mohm @ 24a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 3190 pf @ 25 v - 66W (TC)
RM150N40DF Rectron USA RM150N40DF 0.5600
RFQ
 ECAD 3261 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM150N40DFTR 8541.10.0080 40,000 n 채널 40 v 150A (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 75a, 10V 2.2V @ 250µA ± 20V 7150 pf @ 20 v - 88W (TC)
RM4N650IP Rectron USA RM4N650IP 0.3300
RFQ
 ECAD 6734 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() TO-251 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM4N650IP 8541.10.0080 4,000 n 채널 650 v 4A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250µA ± 30V 280 pf @ 50 v - 46W (TC)
RM21N700T2 Rectron USA RM21N700T2 1.3300
RFQ
 ECAD 4395 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM21N700T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 700 v 21A (TC) 10V 190mohm @ 10.5a, 10V 3.5V @ 250µA ± 30V 1950 pf @ 50 v - 200W (TC)
RM20N150LD Rectron USA RM20N150LD 0.2600
RFQ
 ECAD 1142 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM20N150LDTR 8541.10.0080 25,000 n 채널 150 v 20A (TA) 10V 65mohm @ 10a, 10V 4.5V @ 250µA ± 20V 600 pf @ 75 v - 68W (TA)
RM80N20DN Rectron USA RM80N20DN 0.2600
RFQ
 ECAD 3119 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn MOSFET (금속 (() 8-ppak (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm80n20dntr 8541.10.0080 25,000 n 채널 20 v 80A (TC) 1.8V, 4.5V 3.5mohm @ 15a, 4.5v 1V @ 250µA ± 12V 5500 pf @ 10 v - 66W (TC)
RM35N30DN Rectron USA RM35N30DN 0.2500
RFQ
 ECAD 1173 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN-EP (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm35n30dntr 8541.10.0080 25,000 n 채널 30 v 35A (TC) 4.5V, 10V 5.5mohm @ 12a, 10V 3V @ 250µA ± 20V 1265 pf @ 15 v - 35W (TC)
RM830 Rectron USA RM830 0.2400
RFQ
 ECAD 2168 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM830 8541.10.0080 5,000 n 채널 500 v 5A (TC) 10V 1.4ohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 900 pf @ 25 v - 87.5W (TC)
RM50N60T2 Rectron USA RM50N60T2 0.2400
RFQ
 ECAD 2291 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM50N60T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 20MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 2050 pf @ 30 v - 85W (TC)
RM12N100LD Rectron USA RM12N100LD 0.1600
RFQ
 ECAD 6776 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM12N100LDTR 8541.10.0080 25,000 n 채널 100 v 12A (TC) 4.5V, 10V 112MOHM @ 10A, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 1535 pf @ 15 v - 34.7W (TC)
RM5N800IP Rectron USA RM5N800IP 0.6900
RFQ
 ECAD 4172 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() TO-251 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM5N800IP 8541.10.0080 4,000 n 채널 800 v 5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250µA ± 30V 680 pf @ 50 v - 81W (TC)
RM2A3P60S4 Rectron USA RM2A3P60S4 0.1000
RFQ
 ECAD 2753 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM2A3P60S4tr 8541.10.0080 30,000 p 채널 60 v 2.3A (TA) 4.5V, 10V 180mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 600 pf @ 15 v - 1.5W (TA)
RM80N60LD Rectron USA RM80N60LD 0.3100
RFQ
 ECAD 7058 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MOSFET (금속 (() TO-252-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM80N60LDTR 8541.10.0080 25,000 n 채널 60 v 80A (TC) 10V 8.5mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 4000 pf @ 30 v - 110W (TC)
RM5A1P30S6 Rectron USA RM5A1P30S6 0.0760
RFQ
 ECAD 4647 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 MOSFET (금속 (() SOT-23-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM5A1P30S6tr 8541.10.0080 30,000 p 채널 30 v 5.1A (TA) 4.5V, 10V 32mohm @ 4a, 10V 2.2V @ 250µA ± 20V 1280 pf @ 15 v - 1.56W (TA)
RM12P30S8 Rectron USA RM12P30S8 0.1650
RFQ
 ECAD 7635 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM12P30S8tr 8541.10.0080 40,000 p 채널 30 v 12A (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 10a, 10V 3V @ 250µA ± 20V 1750 pf @ 15 v - 3W (TA)
RM20N650HD Rectron USA RM20N650HD 1.0400
RFQ
 ECAD 5912 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM20N650HDTR 8541.10.0080 8,000 n 채널 650 v 20A (TC) 10V 210mohm @ 10a, 10V 5V @ 250µA ± 30V 2600 pf @ 50 v - 180W (TC)
RM50N60IP Rectron USA RM50N60IP 0.2200
RFQ
 ECAD 1701 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() TO-251 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM50N60IP 8541.10.0080 4,000 n 채널 60 v 50A (TC) 10V 20MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 900 pf @ 25 v - 80W (TC)
RM50N200T2 Rectron USA RM50N200T2 1.2200
RFQ
 ECAD 3702 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM50N200T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 200 v 51A (TC) 10V 32mohm @ 10a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 1598 pf @ 100 v - 214W (TC)
RM110N82T2 Rectron USA RM110N82T2 0.4400
RFQ
 ECAD 9356 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM110N82T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 82 v 110A (TC) 10V 7mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 6400 pf @ 40 v - 200W (TC)
RM12N650IP Rectron USA RM12N650IP 0.5400
RFQ
 ECAD 5130 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드 리드, IPAK MOSFET (금속 (() TO-251 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM12N650IP 8541.10.0080 40,000 n 채널 650 v 11.5A (TC) 10V 360mohm @ 7a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 870 pf @ 50 v - 101W (TC)
RM45P20D3 Rectron USA RM45P20D3 0.2500
RFQ
 ECAD 9074 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN-EP (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm45p20d3tr 8541.10.0080 25,000 p 채널 19 v 45A (TC) 1.8V, 4.5V 7mohm @ 20a, 4.5v 1V @ 250µA ± 12V 3500 pf @ 10 v - 80W (TC)
RM2305B Rectron USA RM2305B 0.0390
RFQ
 ECAD 9804 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm2305btr 8541.10.0080 30,000 p 채널 20 v 3A (TA), 4.1A (TC) 1.8V, 4.5V 52mohm @ 4.1a, 4.5v 1V @ 250µA ± 12V 740 pf @ 4 v - 1.7W (TA)
RM4N650T2 Rectron USA RM4N650T2 0.4500
RFQ
 ECAD 6988 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM4N650T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 650 v 4A (TC) 10V 1.2ohm @ 2.5a, 10V 3.5V @ 250µA ± 30V 280 pf @ 50 v - 46W (TC)
RM2308 Rectron USA RM2308 0.0690
RFQ
 ECAD 1219 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm2308tr 8541.10.0080 30,000 n 채널 60 v 3A (TA) 4.5V, 10V 105mohm @ 3a, 10V 1.9V @ 250µA ± 20V 247 pf @ 30 v - 1.7W (TA)
RM2306E Rectron USA RM2306E 0.0550
RFQ
 ECAD 7571 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm2306etr 8541.10.0080 30,000 n 채널 30 v 5.3A (TA) 4.5V, 10V 31mohm @ 6.7a, 10V 3V @ 250µA ± 20V 370 pf @ 15 v - 1.39W (TA)
RM8N650TI Rectron USA RM8N650TI 0.5200
RFQ
 ECAD 1596 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM8N650TI 8541.10.0080 5,000 n 채널 650 v 8A (TJ) 10V 450mohm @ 4a, 10V 3.5V @ 250µA ± 30V 680 pf @ 50 v - 31.7W (TC)
RM4N700S4 Rectron USA RM4N700S4 0.3200
RFQ
 ECAD 2116 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-3 MOSFET (금속 (() SOT-223-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM4N700S4tr 8541.10.0080 30,000 n 채널 700 v 4A (TC) 10V 1.3ohm @ 2a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 304 pf @ 50 v - 5.2W (TC)
RM11N800T2 Rectron USA RM11N800T2 1.4400
RFQ
 ECAD 7116 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM11N800T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 800 v 11A (TC) 10V 420mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250µA ± 30V 2600 pf @ 50 v - 188W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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