SIC
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트랜지스터 (257)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
DTC123JCA Rectron USA DTC123JCA 0.0410
RFQ
 ECAD 1173 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC123 200 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-DTC123Jcatr 귀 99 8541.10.0080 30,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 300MV @ 250µA, 5MA 80 @ 10ma, 5V 250MHz 2.2 Kohms 46.2 KOHMS
RM2304 Rectron USA RM2304 0.0450
RFQ
 ECAD 4923 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm2304tr 8541.10.0080 30,000 n 채널 30 v 3.6A (TA) 4.5V, 10V 58mohm @ 3.6a, 10V 2.2V @ 250µA ± 20V 230 pf @ 15 v - 1.7W (TA)
RM6005AR Rectron USA RM6005AR 0.1400
RFQ
 ECAD 3382 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA MOSFET (금속 (() SOT-223-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM6005ARTR 8541.10.0080 30,000 n 채널 60 v 5A (TA) 10V 35mohm @ 5a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 979 pf @ 30 v - 2W (TA)
RMA7P20ED1 Rectron USA rma7p20ed1 0.0290
RFQ
 ECAD 7509 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-101, SOT-883 MOSFET (금속 (() DFN1006-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rma7p20ed1tr 8541.10.0080 40,000 p 채널 20 v 700ma (TC) 2.5V, 4.5V 420mohm @ 500ma, 4.5v 1V @ 250µA ± 8V 52 pf @ 4 v - 900MW (TA)
CMBT2907A-T Rectron USA CMBT2907A-T 0.0240
RFQ
 ECAD 2763 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-CMBT2907A-TTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 60 v 600 MA 50NA PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 10ma, 10V 200MHz
RM5N800TI Rectron USA RM5N800TI 0.6700
RFQ
 ECAD 6037 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM5N800TI 8541.10.0080 5,000 n 채널 800 v 5A (TC) 10V 1.2ohm @ 2a, 10V 4.5V @ 250µA ± 30V 1320 pf @ 50 v - 32.4W (TC)
RMD0A8P20ES9 Rectron USA RMD0A8P20ES9 0.0600
RFQ
 ECAD 7140 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RMD0A8 MOSFET (금속 (() 800MW (TA) SOT-363-6L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rmd0a8p20es9tr 8541.10.0080 30,000 2 p 채널 (채널) 20V 800MA (TA) 1.2ohm @ 500ma, 4.5v 1V @ 250µA 0.0018C @ 4.5V 87pf @ 10V -
RM120N40T2 Rectron USA RM120N40T2 0.5100
RFQ
 ECAD 6176 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM120N40T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 40 v 120A (TC) 4.5V, 10V 4MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 5400 pf @ 20 v - 130W (TC)
RM10N30D2 Rectron USA RM10N30D2 0.0720
RFQ
 ECAD 9869 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-wdfn n 패드 MOSFET (금속 (() 6-pqfn (2x2) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm10n30d2tr 8541.10.0080 25,000 n 채널 30 v 10A (TA) 4.5V, 10V 12mohm @ 11a, 10V 2V @ 250µA ± 20V 1415 pf @ 15 v - 730MW (TA)
RM3401 Rectron USA RM3401 0.0440
RFQ
 ECAD 3553 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM3401TR 8541.10.0080 30,000 p 채널 30 v 4.2A (TA) 2.5V, 10V 55mohm @ 4.2a, 10V 1.3V @ 250µA ± 12V 880 pf @ 15 v - 1.2W (TA)
RM2303 Rectron USA RM2303 0.0450
RFQ
 ECAD 2195 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm2303tr 8541.10.0080 30,000 p 채널 30 v 2A (TA) 4.5V, 10V 130mohm @ 2a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 226 pf @ 15 v - 1W (TA)
RM9926 Rectron USA RM9926 0.0840
RFQ
 ECAD 7144 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RM99 MOSFET (금속 (() 1.25W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM9926TR 8541.10.0080 40,000 2 n 채널 (채널) 20V 6A (TA) 28mohm @ 6a, 4.5v 1.2V @ 250µA 10NC @ 4.5V 640pf @ 10V -
RM150N100T2 Rectron USA RM150N100T2 0.8400
RFQ
 ECAD 2825 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM150N100T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 100 v 150A (TC) 10V 4.2MOHM @ 70A, 10V 4V @ 250µA +20V, -12V 6680 pf @ 50 v - 275W (TC)
RM24N200TI Rectron USA RM24N200TI 0.4400
RFQ
 ECAD 3535 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM24N200TI 8541.10.0080 5,000 n 채널 220 v 24A (TA) 10V 80mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 4200 pf @ 25 v - 45W (TA)
RM3404 Rectron USA RM3404 0.0480
RFQ
 ECAD 3718 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM3404TR 8541.10.0080 30,000 n 채널 30 v 5.8A (TA) 4.5V, 10V 31mohm @ 5a, 10V 2.4V @ 250µA ± 20V 255 pf @ 15 v - 1.4W (TA)
RM25P30S8 Rectron USA RM25P30S8 0.3500
RFQ
 ECAD 8986 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) MOSFET (금속 (() 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM25P30S8tr 8541.10.0080 40,000 p 채널 30 v 25A (TA) 4.5V, 10V 9mohm @ 15a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 3960 pf @ 15 v - 3.5W (TA)
RM2305 Rectron USA RM2305 0.0490
RFQ
 ECAD 2178 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm2305tr 8541.10.0080 30,000 p 채널 20 v 3A (TA), 4.1A (TC) 2.5V, 4.5V 52mohm @ 4.1a, 4.5v 1V @ 250µA ± 12V 740 pf @ 4 v - 1.7W (TA)
RM130N200HD Rectron USA RM130N200HD 3.8400
RFQ
 ECAD 4700 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM130N200HDTR 8541.10.0080 8,000 n 채널 200 v 132A (TC) 10V 10.7mohm @ 20a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 4970 pf @ 100 v - 429W (TC)
RM3075S8(N) Rectron USA RM3075S8 (N) 0.1700
RFQ
 ECAD 1414 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) RM3075 MOSFET (금속 (() 2W (TA) 8-SOP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM3075S8 (N) TR 8541.10.0080 40,000 n 및 p 채널 30V 6.8A (TA), 4.6A (TA) 27mohm @ 6.8a, 10V 2.3V @ 10µA 14nc @ 10v, 16nc @ 10v 383pf @ 15V -
RM42P30DN Rectron USA RM42P30DN 0.1550
RFQ
 ECAD 4027 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN-EP (3x3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM42P30DNTR 8541.10.0080 25,000 p 채널 30 v 42A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 2215 pf @ 15 v - 37W (TC)
RM3134 Rectron USA RM3134 0.0600
RFQ
 ECAD 2255 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RM313 MOSFET (금속 (() 150MW SOT-363-6L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM3134TR 8541.10.0080 30,000 2 n 채널 (채널) 20V 750MA (TA) 380mohm @ 650ma, 4.5v 1.1V @ 250µA 0.75NC @ 4.5V 120pf @ 16V -
2N7002DS6 Rectron USA 2N7002DS6 0.0480
RFQ
 ECAD 9024 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 2N7002 MOSFET (금속 (() 350MW (TA) SOT-363-6L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-2n7002ds6tr 8541.10.0080 30,000 2 n 채널 (채널) 60V 250MA (TA) 5ohm @ 500ma, 10V 1.9V @ 250µA - - -
RM002N30DF Rectron USA RM002N30DF 0.3200
RFQ
 ECAD 9560 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powervdfn MOSFET (금속 (() 8-DFN (5x6) - Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM002N30DFTR 8541.10.0080 40,000 n 채널 30 v 85A (TC) 4.5V, 10V 2.4mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V 4345 pf @ 15 v - 187W (TC)
RM2P60S2 Rectron USA RM2P60S2 0.0390
RFQ
 ECAD 2132 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM2P60S2TR 8541.10.0080 30,000 p 채널 60 v 1.9A (TA) 4.5V, 10V 215mohm @ 1.8a, 10V 3V @ 250µA ± 20V 358 pf @ 30 v - 1.4W (TA)
RM60P60HD Rectron USA RM60P60HD 0.5400
RFQ
 ECAD 1158 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB MOSFET (금속 (() TO-263-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM60P60HDTR 8541.10.0080 8,000 p 채널 60 v 61A (TA) 6V, 10V 22mohm @ 15a, 10V 4V @ 250µA ± 20V 3200 pf @ 25 v - 171W (TA)
RM21N650T7 Rectron USA RM21N650T7 1.6000
RFQ
 ECAD 1597 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 MOSFET (금속 (() TO-247 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM21N650T7 8541.10.0080 1,800 n 채널 650 v 21A (TC) 10V 180mohm @ 10.5a, 10V 3.5V @ 250µA ± 30V 1950 pf @ 50 v - 200W (TC)
RM2309 Rectron USA RM2309 0.0360
RFQ
 ECAD 2872 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 - Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM2309tr 8541.10.0080 30,000 p 채널 30 v 3.1A (TA) 4.5V, 10V 70mohm @ 3a, 10V 3V @ 250µA ± 20V 226 pf @ 15 v - 1W (TA)
RM140N150T2 Rectron USA RM140N150T2 1.5100
RFQ
 ECAD 2150 0.00000000 Rectron USA - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM140N150T2 8541.10.0080 5,000 n 채널 150 v 140A (TC) 10V 6.2MOHM @ 70A, 10V 4V @ 250µA ± 20V 5900 pf @ 75 v - 320W (TC)
RM2020ES9 Rectron USA RM2020ES9 0.0550
RFQ
 ECAD 9570 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 RM2020 MOSFET (금속 (() 150MW (TA), 800MW (TA) SOT-363-6L 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-rm2020es9tr 8541.10.0080 30,000 n 및 p 채널 20V 750ma (TA), 800ma (TA) 1.2ohm @ 500ma, 4.5v, 380mohm @ 650ma, 4.5v 1V @ 250µA, 1.1V @ 250µA 0.0018NC @ 10V, 0.75NC @ 4.5V 87pf @ 10v, 120pf @ 16v -
RM2309E Rectron USA RM2309E 0.0540
RFQ
 ECAD 4943 0.00000000 Rectron USA - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (금속 (() SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 2516-RM2309etr 8541.10.0080 30,000 p 채널 30 v - 4.5V, 10V 38mohm @ 1a, 10V 2.5V @ 250µA ± 20V - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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