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트랜지스터 (257)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 |
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 | CMBT2907A-T | 0.0240 | | 2763 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 MW | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-CMBT2907A-TTR | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 60 v | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50MA, 500MA | 100 @ 10ma, 10V | 200MHz | |||||||||||||||
| RM25P30S8 | 0.3500 | | 8986 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM25P30S8tr | 8541.10.0080 | 40,000 | p 채널 | 30 v | 25A (TA) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 15a, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 3960 pf @ 15 v | - | 3.5W (TA) | |||||||||||||
| RM2305 | 0.0490 | | 2178 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-rm2305tr | 8541.10.0080 | 30,000 | p 채널 | 20 v | 3A (TA), 4.1A (TC) | 2.5V, 4.5V | 52mohm @ 4.1a, 4.5v | 1V @ 250µA | ± 12V | 740 pf @ 4 v | - | 1.7W (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
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