- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
트랜지스터 (257)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 다른 다른 | HTSUS | 표준 표준 | FET 유형 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RM17N800HD | 1.5300 |  | 8118 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | TO-263-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM17N800HDTR | 8541.10.0080 | 8,000 | n 채널 | 800 v | 17A (TA) | 10V | 320mohm @ 8.5a, 10V | 4V @ 250µA | ± 30V | 2060 pf @ 50 v | - | 260W (TC) | |
| RM8N650HD | 0.5200 | | 3581 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | TO-263-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM8N650HDTR | 8541.10.0080 | 8,000 | n 채널 | 650 v | 8A (TC) | 10V | 450mohm @ 4a, 10V | 3.5V @ 250µA | ± 30V | 680 pf @ 50 v | - | 80W (TC) | |
 | RMD1N25ES9 | 0.0600 | | 7475 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET (금속 (() | SOT-363-6L | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-rmd1n25es9tr | 8541.10.0080 | 30,000 | n 채널 | 25 v | 1.1A (TA) | 2.5V, 4.5V | 600mohm @ 500ma, 4.5v | 1.1V @ 250µA | ± 12V | 30 pf @ 10 v | - | 800MW (TA) | |
 | RM2333A | 0.0680 | | 4902 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM2333AT | 8541.10.0080 | 30,000 | p 채널 | 12 v | 6A (TA) | 2.5V, 4.5V | 30mohm @ 6a, 4.5v | 1V @ 250µA | ± 12V | 1100 pf @ 6 v | - | 1.8W (TA) | |
| RM3010S6 | 0.0640 | | 2549 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM3010S6tr | 8541.10.0080 | 30,000 | n 채널 | 30 v | 10A (TA) | 4.5V, 10V | 12MOHM @ 10A, 10V | 3V @ 250µA | ± 20V | 1550 pf @ 15 v | - | 2.5W (TA) | |
| RM6N800HD | 0.7900 | | 3479 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | TO-263-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM6N800HDTR | 8541.10.0080 | 8,000 | n 채널 | 800 v | 6A (TC) | 10V | 900mohm @ 4a, 10V | 4V @ 250µA | ± 30V | 1320 pf @ 50 v | - | 98W (TC) | |
 | RM80N100AT2 | 0.5500 | | 8599 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM80N100AT2 | 8541.10.0080 | 5,000 | n 채널 | 100 v | 80A (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 40a, 10V | 4V @ 250A | ± 20V | 5480 pf @ 50 v | - | 125W (TC) | |
| RM120N60T2 | 0.5500 | | 2318 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM120N60T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | n 채널 | 60 v | 120A (TC) | 4.5V, 10V | 4mohm @ 60a, 10V | 2.4V @ 250µA | ± 20V | 4000 pf @ 30 v | - | 180W (TC) | |
| RM3415 | 0.0560 | | 8856 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM3415TR | 8541.10.0080 | 30,000 | p 채널 | 20 v | 4A (TA) | 2.5V, 4.5V | 45mohm @ 4a, 4.5v | 900MV @ 250µA | ± 10V | 950 pf @ 10 v | - | 1.4W (TA) | |
| RM21N650T2 | 1.2500 | | 7279 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM21N650T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | n 채널 | 650 v | 21A (TC) | 10V | 180mohm @ 10.5a, 10V | 4V @ 250µA | ± 30V | 2600 pf @ 50 v | - | 188W (TC) | |
 | RM45N600T7 | 2.9000 | | 7621 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | MOSFET (금속 (() | TO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM45N600T7 | 8541.10.0080 | 1,800 | n 채널 | 600 v | 44.5A (TJ) | 10V | 90mohm @ 15.6a, 10V | 4V @ 250µA | ± 30V | 2808 pf @ 100 v | - | 431W | |
 | RM4N700IP | 0.3500 | | 1818 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-251-3 1 리드 리드, IPAK | MOSFET (금속 (() | TO-251 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM4N700IP | 8541.10.0080 | 4,000 | n 채널 | 700 v | 4A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 2a, 10V | 3.5V @ 250µA | ± 30V | 280 pf @ 50 v | - | 46W (TC) | |
| RM110N85T2 | 0.5800 | | 5450 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM110N85T2 | 8541.10.0080 | 4,000 | n 채널 | 85 v | 110A (TC) | 10V | 6MOHM @ 55A, 10V | 4.5V @ 250µA | ± 20V | 3870 pf @ 40 v | - | 145W (TC) | |
 | RM6N100S4 | 0.1400 | | 9965 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM6N100S4tr | 8541.10.0080 | 30,000 | n 채널 | 100 v | 6A (TA) | 10V | 140mohm @ 5a, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 690 pf @ 25 v | - | 3W (TA) | |
 | RM16P60LD | 0.2600 | | 3845 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM16P60LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | p 채널 | 60 v | 16A (TC) | 4.5V, 10V | 48mohm @ 8a, 10V | 25µa @ 2.2v | ± 20V | 1810 pf @ 30 v | - | 25W (TC) | |
 | RM25N30DN | 0.1400 | | 8606 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-DFN-EP (3x3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-rm25n30dntr | 8541.10.0080 | 25,000 | n 채널 | 30 v | 25A (TC) | 4.5V, 10V | 10MOHM @ 10A, 10V | 3V @ 250µA | ± 20V | 1530 pf @ 15 v | - | 25W (TC) | |
| RM50N200HD | 1.2200 | | 3890 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | TO-263-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM50N200HDTR | 8541.10.0080 | 8,000 | n 채널 | 200 v | 51A (TC) | 10V | 32mohm @ 10a, 10V | 4V @ 250µA | ± 20V | 1598 pf @ 100 v | - | 214W (TC) | |
| RM5N60S4 | 0.1500 | | 5893 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM5N60S4tr | 8541.10.0080 | 30,000 | n 채널 | 60 v | 5A (TA) | 4.5V, 10V | 55mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 450 pf @ 25 v | - | 2W (TA) | |
| RM30N100LD | 0.3500 | | 2353 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM30N100LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | n 채널 | 100 v | 30A (TC) | 10V | 31mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 2000 pf @ 25 v | - | 85W (TC) | |
| RM20N60LD | 0.1400 | | 3021 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM20N60LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | n 채널 | 60 v | 20A (TC) | 10V | 35mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 500 pf @ 30 v | - | 45W (TC) | |
 | RM120N30DF | 0.3800 | | 2658 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | MOSFET (금속 (() | 8-DFN (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM120N30DFTR | 8541.10.0080 | 40,000 | n 채널 | 30 v | 120A (TC) | 4.5V, 10V | 2.35mohm @ 60a, 10V | 2.2V @ 250µA | ± 20V | 4200 pf @ 15 v | - | 75W (TC) | |
 | RM10N100S8 | 0.3100 | | 1648 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM10N100S8tr | 8541.10.0080 | 40,000 | n 채널 | 100 v | 10A (TA) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 10a, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 1640 pf @ 50 v | - | 3.1W (TA) | |
| RM4P20ES6 | 0.0690 | | 2421 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOT-23-6 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-6 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-rm4p20es6tr | 8541.10.0080 | 30,000 | p 채널 | 20 v | 3A (TA), 4.1A (TC) | 2.5V, 4.5V | 52mohm @ 4.1a, 4.5v | 1V @ 250µA | ± 12V | 740 pf @ 4 v | - | 1.7W (TA) | |
| RM135N100HD | 0.9400 | | 5381 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | MOSFET (금속 (() | TO-263-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM135N100HDTR | 8541.10.0080 | 8,000 | n 채널 | 100 v | 135A (TC) | 10V | 4.6mohm @ 60a, 10V | 4.5V @ 250µA | ± 20V | 6400 pf @ 50 v | - | 210W (TC) | |
| RM80N30LD | 0.1900 | | 3404 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | MOSFET (금속 (() | TO-252-2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM80N30LDTR | 8541.10.0080 | 25,000 | n 채널 | 30 v | 80A (TC) | 5V, 10V | 6.5mohm @ 30a, 10V | 3V @ 250µA | ± 20V | 2330 pf @ 15 v | - | 83W (TC) | |
| RM12N100S8 | 0.3800 | | 9381 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM12N100S8tr | 8541.10.0080 | 40,000 | n 채널 | 100 v | 12A (TA) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 12a, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 2250 pf @ 50 v | - | 3.1W (TA) | |
| RM6N100S4V | 0.1600 | | 9753 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (금속 (() | SOT-223-3 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM6N100S4VTR | 8541.10.0080 | 30,000 | n 채널 | 100 v | 6A (TA) | 10V | 140mohm @ 5a, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 690 pf @ 25 v | - | 3W (TA) | |
| RM120N30T2 | 0.3300 | | 1989 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM120N30T2 | 8541.10.0080 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 120A (TA) | 10V | 3.5mohm @ 20a, 10V | 3V @ 250µA | ± 20V | 3550 pf @ 25 v | - | 120W (TA) | |
| RM5N40S2 | 0.0690 | | 2036 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (금속 (() | SOT-23 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM5N40S2TR | 8541.10.0080 | 30,000 | n 채널 | 40 v | 5A (TA) | 4.5V, 10V | 32mohm @ 4a, 10V | 2.5V @ 250µA | ± 20V | 593 pf @ 15 v | - | 1.25W (TA) | |
| RM15P30S8 | 0.2400 | | 4839 | 0.00000000 | Rectron USA | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) | MOSFET (금속 (() | 8-SOP | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 2516-RM15P30S8tr | 8541.10.0080 | 40,000 | p 채널 | 30 v | 15A (TA) | 10V | 12MOHM @ 15A, 10V | 2.2V @ 250µA | ± 20V | 2900 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA) |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)