SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전압- v (V (BR) GSS) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 전류 전류 (ID) - 최대
NTD5865NL-1G onsemi NTD5865NL-1g -
RFQ
ECAD 8318 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NTD58 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 60 v 46A (TC) 4.5V, 10V 16MOHM @ 20A, 10V 2V @ 250µA 29 NC @ 10 v ± 20V 1400 pf @ 25 v - 71W (TC)
2SC6043-AE onsemi 2SC6043-AE -
RFQ
ECAD 6007 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) 2SC6043 1 W. TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 50 v 2 a 1µA (ICBO) NPN 300mv @ 50ma, 1a 200 @ 100ma, 2v 420MHz
TF252TH-5-TL-H onsemi TF252-5-TL-H -
RFQ
ECAD 7589 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 3-smd,, 리드 TF252 100MW 3-VTFP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 n 채널 3.1pf @ 2v 210 µa @ 2 v 1 V @ 1 µA 1 MA
PF5102 onsemi PF5102 -
RFQ
ECAD 8936 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) PF5102 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 16pf @ 15V 40 v 4 ma @ 15 v 700 mv @ 1 na
NVTFS5C471NLWFTAG onsemi NVTFS5C471NLWFTAG 1.6200
RFQ
ECAD 4474 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NVTFS5 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 40 v 41A (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 20µA 5.5 NC @ 4.5 v ± 20V 660 pf @ 25 v - 30W (TC)
MPSA63ZL1G onsemi MPSA63ZL1g -
RFQ
ECAD 6844 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) MPSA63 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 30 v 500 MA 100NA (ICBO) pnp- 달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 125MHz
KSP05TA onsemi KSP05TA -
RFQ
ECAD 7958 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 KSP05 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 60 v 500 MA 100NA NPN 250mv @ 10ma, 100ma 50 @ 100MA, 1V 100MHz
RFP3055 onsemi RFP3055 -
RFQ
ECAD 8757 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 RFP30 MOSFET (금속 (() TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 400 n 채널 60 v 12A (TC) 10V 150mohm @ 12a, 10V 4V @ 250µA 23 nc @ 20 v ± 20V 300 pf @ 25 v - 53W (TC)
TIP111 onsemi tip111 -
RFQ
ECAD 5683 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 tip111 2 w TO-220 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 80 v 2 a 2MA npn-달링턴 2.5V @ 8MA, 2A 1000 @ 1a, 4v -
2SK2169-AZ onsemi 2SK2169-AZ 0.0900
RFQ
ECAD 177 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1
FDH055N15A onsemi FDH055N15A 7.6000
RFQ
ECAD 26 0.00000000 온세미 Powertrench® 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FDH055 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 150 v 158A (TC) 10V 5.9mohm @ 120a, 10V 4V @ 250µA 92 NC @ 10 v ± 20V 9445 pf @ 75 v - 429W (TC)
NJVMJD31CT4G onsemi njvmjd31ct4g 0.7200
RFQ
ECAD 3674 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NJVMJD31 1.56 w DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 100 v 3 a 50µA NPN 1.2v @ 375ma, 3a 25 @ 1a, 4v 3MHz
FDMS4435BZ onsemi FDMS4435BZ 1.3700
RFQ
ECAD 1604 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn FDMS4435 MOSFET (금속 (() 8-pqfn (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 30 v 9A (TA), 18A (TC) 4.5V, 10V 20mohm @ 9a, 10V 3V @ 250µA 47 NC @ 10 v ± 25V 2050 pf @ 15 v - 2.5W (TA), 39W (TC)
FQA9N90C-F109 onsemi FQA9N90C-F109 -
RFQ
ECAD 6569 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA9 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 900 v 9A (TC) 10V 1.4ohm @ 4.5a, 10V 5V @ 250µA 58 NC @ 10 v ± 30V 2730 pf @ 25 v - 280W (TC)
NVC3S5A51PLZT1G onsemi NVC3S5A51PLZT1G -
RFQ
ECAD 1579 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NVC3S5 MOSFET (금속 (() 3-cph 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 60 v 1.8A (TA) 4V, 10V 250mohm @ 1a, 10V 2.6v @ 1ma 6 nc @ 10 v ± 20V 262 pf @ 20 v - 1.2W (TA)
NTD25P03LT4G onsemi NTD25P03LT4G 1.4300
RFQ
ECAD 8931 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD25 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 30 v 25A (TA) 4V, 5V 80mohm @ 25a, 5V 2V @ 250µA 20 nc @ 5 v ± 15V 1260 pf @ 25 v - 75W (TJ)
BC337 onsemi BC337 -
RFQ
ECAD 7005 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC337 625 MW To-92-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 45 v 800 MA 100NA NPN 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 210MHz
NTMFS4836NT1G onsemi NTMFS4836nt1g -
RFQ
ECAD 2521 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 30 v 11A (TA), 90A (TC) 4.5V, 11.5V 4mohm @ 30a, 10V 2.5V @ 250µA 28 NC @ 4.5 v ± 20V 2677 pf @ 12 v - 890MW (TA), 55.6W (TC)
NSVMUN5113DW1T3G onsemi NSVMUN5113DW1T3G 0.0931
RFQ
ECAD 2314 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NSVMUN5113 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50V 100ma 500NA 2 pnp--바이어스 (듀얼) 250MV @ 300µA, 10MA 80 @ 5ma, 1v - 47kohms 47kohms
FDB86566-F085 onsemi FDB86566-F085 2.9200
RFQ
ECAD 8105 0.00000000 온세미 Automotive, AEC-Q101, Powertrench® 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB86566 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 60 v 110A (TC) 10V 2.7mohm @ 80a, 10V 4V @ 250µA 110 NC @ 10 v ± 20V 6655 pf @ 30 v - 176W (TJ)
FQD6N40CTF onsemi fqd6n40ctf -
RFQ
ECAD 5461 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD6 MOSFET (금속 (() TO-252AA - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 400 v 4.5A (TC) 10V 1ohm @ 2.25a, ​​10V 4V @ 250µA 20 nc @ 10 v ± 30V 625 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 48W (TC)
KSP5179TA onsemi KSP5179TA -
RFQ
ECAD 8178 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 KSP51 200 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 12 v 50 MA 20NA (ICBO) NPN 400mv @ 1ma, 10ma 25 @ 3MA, 1V 2GHz
FJAF6806DYDTBTU onsemi fjaf6806dydtbtu -
RFQ
ECAD 8916 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3 p 팩 fjaf6806 50 W. to-3pf 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 750 v 6 a 1MA NPN 5V @ 1a, 4a 4 @ 4a, 5V -
BCW68G onsemi BCW68G -
RFQ
ECAD 6920 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW68 350 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 800 MA 20NA PNP 1.5V @ 30MA, 300MA 160 @ 100MA, 1V 100MHz
MJE5850G onsemi MJE5850G -
RFQ
ECAD 9394 0.00000000 온세미 스위치 스위치 ™ 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MJE5850 80 W. TO-220 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 300 v 8 a - PNP 5V @ 3A, 8A 5 @ 5a, 5V -
PCP1203-TD-H onsemi PCP1203-TD-H -
RFQ
ECAD 5140 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA PCP1203 1.3 w PCP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 30 v 1.5 a 100NA (ICBO) NPN 225mv @ 15ma, 750ma 200 @ 100ma, 2v 500MHz
PZT2907A onsemi PZT2907A -
RFQ
ECAD 3468 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-261-4, TO-261AA PZT290 1 W. SOT-223-4 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 4,000 60 v 800 MA 20NA (ICBO) PNP 1.6V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 200MHz
NST3946DP6T5G onsemi NST3946DP6T5G 0.4100
RFQ
ECAD 8594 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-963 NST3946 350MW SOT-963 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 40V 200ma - NPN, PNP 300mv @ 5ma, 50ma / 400mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 200MHz, 250MHz
NSVBC114YPDXV6T1G onsemi NSVBC114YPDXV6T1G 0.4100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-563, SOT-666 NSVBC114 500MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 250MV @ 300µA, 10MA 80 @ 5ma, 10V - 10kohms 47kohms
FQPF13N50CT onsemi FQPF13N50CT -
RFQ
ECAD 5106 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF1 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 500 v 13A (TC) 10V 480mohm @ 6.5a, 10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 30V 2055 PF @ 25 v - 48W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고