전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 전압 - 평가 | 작동 작동 | 응용 응용 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 입력 입력 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 구성 | FET 유형 | 현재 현재 (amp) | 테스트 테스트 | 소스 소스 (vds)으로 배수 | 25 ° C. | 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) | rds on (max) @ id, vgs | vgs (th) (max) @ id | 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs | VGS (Max) | 입력 입력 (ciss) (max) @ vds | FET 기능 | 전력 전력 (소실) | 역 역 시간 (TRR) | IGBT 유형 | 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) | 현재 -컬렉터 (IC) (최대) | 전류- 펄스 수집기 (ICM) | vce (on) (max) @ vge, ic | 에너지 에너지 | 게이트 게이트 | 25 ° C @ TD (오프/온) | 전압- v (V (BR) GSS) | 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) | 전압- v (vgs off) @ id | 현재- 컷오프 수집기 (최대) | 저항 -rds (on) | 트랜지스터 트랜지스터 | vce 포화 (max) @ ib, ic | DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce | 주파수 - 전환 | 전류 전류 (ID) - 최대 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDPF12N50T | 2.6100 | ![]() | 956 | 0.00000000 | 온세미 | unifet ™ | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FDPF12 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 2166-FDPF12N50T-488 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 500 v | 11.5A (TC) | 10V | 650mohm @ 6a, 10V | 5V @ 250µA | 30 nc @ 10 v | ± 30V | 1315 pf @ 25 v | - | 42W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTD4854NT4G | - | ![]() | 5682 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | NTD48 | MOSFET (금속 (() | DPAK | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 25 v | 15.7A (TA), 128A (TC) | 4.5V, 10V | 3.6MOHM @ 30A, 10V | 2.5V @ 250µA | 49.2 NC @ 4.5 v | ± 20V | 4600 pf @ 12 v | - | 1.43W (TA), 93.75W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS4835nt1g | - | ![]() | 3710 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS4835 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 13A (TA), 130A (TC) | 4.5V, 11.5V | 3.5mohm @ 30a, 10V | 2.5V @ 250µA | 52 NC @ 11.5 v | ± 20V | 3100 pf @ 12 v | - | 890MW (TA), 62.5W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBF170LT3 | - | ![]() | 4036 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBF17 | MOSFET (금속 (() | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | n 채널 | 60 v | 500MA (TA) | 10V | 5ohm @ 200ma, 10V | 3V @ 1mA | ± 20V | 60 pf @ 10 v | - | 225MW (TA) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMBT5550LT3G | 0.2100 | ![]() | 96 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBT5550 | 225 MW | SOT-23-3 (TO-236) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 140 v | 600 MA | 100NA | NPN | 250mv @ 5ma, 50ma | 60 @ 10ma, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPF4393G | - | ![]() | 6815 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | MPF439 | 350 MW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 1,000 | n 채널 | 30 v | 10pf @ 15V (VGS) | 30 v | 5 ma @ 15 v | 500 mV @ 10 NA | 100 옴 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC182B | - | ![]() | 3547 | 0.00000000 | 온세미 | - | 대부분 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 | BC182 | 350 MW | TO-92 (TO-226) | 다운로드 | rohs 비준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0075 | 5,000 | 50 v | 100 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5ma, 100ma | 180 @ 2MA, 5V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDD3860 | 1.2200 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FDD386 | MOSFET (금속 (() | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n 채널 | 100 v | 6.2A (TA) | 10V | 36mohm @ 5.9a, 10V | 4.5V @ 250µA | 31 NC @ 10 v | ± 20V | 1740 pf @ 50 v | - | 3.1W (TA), 69W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FQH8N100C | 5.5900 | ![]() | 8735 | 0.00000000 | 온세미 | QFET® | 튜브 | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | FQH8N100 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1000 v | 8A (TC) | 10V | 1.45ohm @ 4a, 10V | 5V @ 250µA | 70 nc @ 10 v | ± 30V | 3220 pf @ 25 v | - | 225W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS8570SDC | - | ![]() | 6326 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench®, SyncFet ™ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMS85 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 25 v | 28A (TA), 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 28a, 10V | 2.2v @ 1ma | 42 NC @ 10 v | ± 12V | 2825 pf @ 13 v | Schottky Diode (Body) | 3.3W (TA), 59W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDB38N30U | 3.3200 | ![]() | 244 | 0.00000000 | 온세미 | unifet ™ | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | FDB38N30 | MOSFET (금속 (() | d²pak (To-263) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 800 | n 채널 | 300 v | 38A (TC) | 10V | 120mohm @ 19a, 10V | 5V @ 250µA | 73 NC @ 10 v | ± 30V | 3340 pf @ 25 v | - | 313W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMA1430JP | - | ![]() | 5185 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 30V | 로드로드 | 표면 표면 | 6-vdfn d 패드 | FDMA14 | 6 x 2 (2x2) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2.9A | npn, p p | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | fgd3n60undf | 1.2700 | ![]() | 7823 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 | FGD3N60 | 기준 | 60 W. | TO-252AA | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400V, 3A, 10ohm, 15V | 21 ns | NPT | 600 v | 6 a | 9 a | 2.52V @ 15V, 3A | 52µJ (on), 30µJ (OFF) | 1.6 NC | 5.5ns/22ns | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPH6350-P-TL-E | 0.3202 | ![]() | 2788 | 0.00000000 | 온세미 | * | 테이프 & tr (TR) | sic에서 중단되었습니다 | - | - | CPH635 | - | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NTMFS4985NFT3G | - | ![]() | 6980 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS4985 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 17.5A (TA), 65A (TC) | 4.5V, 10V | 3.4mohm @ 30a, 10V | 2.3v @ 1ma | 30.5 nc @ 10 v | ± 20V | 2100 pf @ 15 v | - | 1.63W (TA), 22.73W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TF262-5-TL-H | - | ![]() | 8042 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 3-smd,, 리드 | TF262 | 100MW | VTFP | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 8,000 | n 채널 | 3.5pf @ 2v | 210 µa @ 2 v | 200 mV @ 1 µA | 1 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVMFD5877NLWFT3G | - | ![]() | 2988 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | NVMFD5877 | MOSFET (금속 (() | 3.2W | 8-DFN (5x6) 듀얼 플래그 (SO8FL-DUAL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 2 n 채널 (채널) | 60V | 6A | 39mohm @ 7.5a, 10V | 3V @ 250µA | 20NC @ 10V | 540pf @ 25V | 논리 논리 게이트 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVTFS4824NWFTWG | - | ![]() | 6474 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | NVTFS4824 | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n 채널 | 30 v | 18.2A (TA) | 4.5V, 10V | 4.7mohm @ 23a, 10V | 2.5V @ 250µA | 29 NC @ 10 v | ± 20V | 1740 pf @ 12 v | - | 3.2W (TA), 21W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NVTFS4C06NTAG | 1.6400 | ![]() | 6546 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powerwdfn | NVTFS4 | MOSFET (금속 (() | 8-wdfn (3.3x3.3) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 21A (TA) | 4.5V, 10V | 4.2MOHM @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 26 NC @ 10 v | ± 20V | 1683 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA), 37W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCPF290N80 | 6.4900 | ![]() | 773 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | FCPF290 | MOSFET (금속 (() | TO-220F-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 800 v | 17A (TC) | 10V | 290mohm @ 8.5a, 10V | 4.5V @ 1.7ma | 75 NC @ 10 v | ± 20V | 3205 pf @ 100 v | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FCH104N60F-F085 | 6.3300 | ![]() | 298 | 0.00000000 | 온세미 | 자동차, AEC-Q101, SUPERFET® II | 튜브 | 새로운 새로운 아닙니다 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-247-3 | FCH104 | MOSFET (금속 (() | TO-247-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 600 v | 37A (TC) | 10V | 104mohm @ 18.5a, 10V | 5V @ 250µA | 139 NC @ 10 v | ± 20V | 4302 pf @ 100 v | - | 357W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS86350ET80 | 6.3300 | ![]() | 8901 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMS86350 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 25A (TA), 198a (TC) | 8V, 10V | 2.4mohm @ 25a, 10V | 4.5V @ 250µA | 155 NC @ 10 v | ± 20V | 8030 pf @ 40 v | - | 3.3W (TA), 187W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS86550ET60 | 7.5300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 온세미 | Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn | FDMS86550 | MOSFET (금속 (() | 8-pqfn (5x6) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | fdms86550et60tr | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 60 v | 32A (TA), 245A (TC) | 8V, 10V | 1.65mohm @ 32a, 10V | 4.5V @ 250µA | 154 NC @ 10 v | ± 20V | 8235 pf @ 30 v | - | 3.3W (TA), 187W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | FDMS86368-F085 | - | ![]() | 7187 | 0.00000000 | 온세미 | Automotive, AEC-Q101, Powertrench® | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powervdfn | FDMS86368 | MOSFET (금속 (() | 56 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n 채널 | 80 v | 80A (TC) | 10V | 4.5mohm @ 80a, 10V | 4V @ 250µA | 75 NC @ 10 v | ± 20V | 4350 pf @ 40 v | - | 214W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | NDPL180N10BG | - | ![]() | 2637 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 175 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 | NDPL18 | MOSFET (금속 (() | TO-220-3 | - | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 50 | n 채널 | 100 v | 180A (TA) | 10V, 15V | 3MOHM @ 15V, 50A | 4V @ 1MA | 95 NC @ 10 v | ± 20V | 6950 pf @ 50 v | - | 2.1W (TA), 200W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ndul09n150cg | - | ![]() | 6512 | 0.00000000 | 온세미 | - | 튜브 | 쓸모없는 | 150 ° C (TJ) | 구멍을 구멍을 | TO-3P-3 p 팩 | ndul09 | MOSFET (금속 (() | to-3pf-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 30 | n 채널 | 1500 v | 9A (TA) | 10V | 3A @ 3A, 10V | 4V @ 1MA | 114 NC @ 10 v | ± 30V | 2025 pf @ 30 v | - | 3W (TA), 78W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ndtl01n60zt3g | - | ![]() | 5410 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-261-4, TO-261AA | NDTL01 | MOSFET (금속 (() | SOT-223 (TO-261) | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 4,000 | n 채널 | 600 v | 250MA (TC) | 10V | 15ohm @ 400ma, 10V | 4.5V @ 50µA | 4.9 NC @ 10 v | ± 30V | 92 pf @ 25 v | - | 2W (TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ntlus4c12ntbg | - | ![]() | 1690 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 6-udfn n 패드 | ntlus4 | MOSFET (금속 (() | 6-udfn (2x2) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n 채널 | 30 v | 6.8A (TA) | 3.3V, 10V | 9mohm @ 9a, 10V | 2.1V @ 250µA | 18 nc @ 10 v | ± 20V | 1172 pf @ 15 v | - | 630MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ntmfs4c01nt1g | - | ![]() | 6071 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS4 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 47A (TA), 303A (TC) | 4.5V, 10V | 0.9mohm @ 30a, 10V | 2.2V @ 250µA | 139 NC @ 10 v | ± 20V | 10144 pf @ 15 v | - | 3.2W (TA), 134W (TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ntmfs4c03nt1g | 2.0300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 온세미 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 8-powertdfn, 5 리드 | NTMFS4 | MOSFET (금속 (() | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.29.0095 | 1,500 | n 채널 | 30 v | 30A (TA), 136A (TC) | 4.5V, 10V | 2.1MOHM @ 30A, 10V | 2.2V @ 250µA | 45.2 NC @ 10 v | ± 20V | 3071 pf @ 15 v | - | 3.1W (TA), 64W (TC) |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고