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트랜지스터 (17799)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 전압 - 평가 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 빈도 기술 전원 - 최대 입력 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 현재 현재 (amp) 전원 - 출력 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 노이즈 노이즈 IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) vce (on) (max) @ vge, ic 현재- 컷오프 수집기 (최대) NTC 스터 서머 입력 입력 (cie) @ vce 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
BC550C onsemi BC550C -
RFQ
 ECAD 9570 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 BC550 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BC550COS 귀 99 8541.21.0075 5,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 250MHz
J210_D27Z onsemi J210_D27Z -
RFQ
 ECAD 8443 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 25 v 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 J210 - JFET To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 n 채널 15MA - - -
BCX71JLT1G onsemi BCX71JLT1G -
RFQ
 ECAD 1557 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX71 350 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 45 v 100 MA 20NA PNP 550MV @ 1.25ma, 50ma 250 @ 2MA, 5V -
BC327ZL1G onsemi BC327ZL1G -
RFQ
 ECAD 7808 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) BC327 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 800 MA 100NA PNP 700mv @ 50ma, 500ma 100 @ 100ma, 1v 260MHz
BCX71K_D87Z onsemi BCX71K_D87Z -
RFQ
 ECAD 2666 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX71 350 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 45 v 500 MA 20NA PNP 550MV @ 1.25ma, 50ma 380 @ 2MA, 5V -
KSC2331OTA onsemi KSC2331ota -
RFQ
 ECAD 8216 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) KSC2331 1 W. To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 60 v 700 MA 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 50ma, 500ma 70 @ 50MA, 2V 50MHz
BC183LC onsemi BC183LC -
RFQ
 ECAD 9435 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC183 350 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 40 @ 10µa, 5V 150MHz
KSB1151YSTU onsemi KSB1151YSTU 0.9500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 KSB1151 1.3 w TO-126-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 60 60 v 5 a 10µA (ICBO) PNP 300mv @ 200ma, 2a 160 @ 2a, 1V -
MJD44H11TF onsemi MJD44H11TF -
RFQ
 ECAD 4270 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MJD44 1.75 w D-PAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,000 80 v 8 a 10µA NPN 1V @ 400MA, 8A 40 @ 4a, 1v 50MHz
MBT3904DW1T3G onsemi MBT3904DW1T3G 0.2100
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MBT3904 150MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 40V 200ma - 2 NPN (() 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
15GN03CA-TB-E onsemi 15GN03CA-TB-E 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 15GN03 200MW 3-cp 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 13dB @ 0.4GHz 10V 70ma NPN 100 @ 10ma, 5V 1.5GHz 1.6dB @ 0.4GHz
FJC2098QTF onsemi FJC2098QTF -
RFQ
 ECAD 3528 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA fjc20 500MW SOT-89-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 4,000 20 v 5 a 500NA NPN 1V @ 100MA, 4A 120 @ 500ma, 2V -
PN3566_D75Z onsemi PN3566_D75Z -
RFQ
 ECAD 1226 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PN356 625 MW To-92-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 30 v 600 MA 50NA (ICBO) NPN 1V @ 10MA, 100MA 150 @ 10ma, 10V -
BD1396S onsemi BD1396S -
RFQ
 ECAD 2847 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 BD139 1.25 w TO-126-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 250 80 v 1.5 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v -
2N5087G onsemi 2N5087G -
RFQ
 ECAD 3756 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2N5087 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 50 v 50 MA 50NA (ICBO) PNP 300mv @ 1ma, 10ma 250 @ 100µa, 5V 40MHz
EMF5XV6T5G onsemi emf5xv6t5g -
RFQ
 ECAD 5636 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-563, SOT-666 emf5xv6 500MW SOT-563 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V, 12V 100ma, 500ma 500NA 1 npn 프리 n, 1 pnp 250mv @ 300µa, 10ma / 250mv @ 10ma, 200ma 80 @ 5ma, 10v / 270 @ 10ma, 2v - 47kohms 47kohms
MPSA93RLRMG onsemi MPSA93RLRMG -
RFQ
 ECAD 7511 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드) MPSA93 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 200 v 500 MA 250NA (ICBO) PNP 400mv @ 2ma, 20ma 25 @ 30MA, 10V 50MHz
FJP13009 onsemi FJP13009 -
RFQ
 ECAD 8338 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 FJP13009 100 W. TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,200 400 v 12 a - NPN 3v @ 3a, 12a 8 @ 5a, 5V 4MHz
KSB1149OS onsemi KSB1149OS -
RFQ
 ECAD 9818 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 KSB11 1.3 w TO-126-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 100 v 3 a 10µA (ICBO) pnp- 달링턴 1.2v @ 1.5ma, 1.5a 2000 @ 1.5a, 2v -
PN4249 onsemi PN4249 -
RFQ
 ECAD 6027 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) PN424 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 PN4249-NDR 귀 99 8541.21.0095 2,000 60 v 500 MA 10NA (ICBO) PNP 250mv @ 500µa, 10ma 100 @ 100µa, 5V -
FJNS3213RBU onsemi FJNS3213RBU -
RFQ
 ECAD 5688 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 짧은 몸 fjns32 300MW 92S 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 68 @ 5MA, 5V 250MHz 2.2 Kohms 47 Kohms
2SD1628F-TD-H onsemi 2SD1628F-TD-H -
RFQ
 ECAD 7610 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-243AA 2SD1628 500MW PCP 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 20 v 5 a 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 60ma, 3a 120 @ 500ma, 2V 120MHz
2N3904_J18Z onsemi 2N3904_J18Z -
RFQ
 ECAD 7927 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2N3904 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 40 v 200 MA - NPN 300mv @ 5ma, 50ma 100 @ 10ma, 1v 300MHz
NTMFS4C027NT3G onsemi NTMFS4C027NT3G -
RFQ
 ECAD 1844 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powertdfn, 5 리드 NTMFS4 MOSFET (금속 (() 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 5,000 n 채널 30 v 16.4A (TA), 52A (TC) 4.5V, 10V 4.8mohm @ 18a, 10V 2.1V @ 250µA 18.2 NC @ 10 v ± 20V 1670 pf @ 15 v - 2.51W (TA), 25.5W (TC)
NSBC124EPDP6T5G onsemi NSBC124EPDP6T5G 0.1042
RFQ
 ECAD 9162 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-963 NSBC124 250MW SOT-963 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 250MV @ 300µA, 10MA 60 @ 5MA, 10V - 22kohms 22kohms
NXH800A100L4Q2F2S2G onsemi NXH800A100L4Q2F2S2G 130.4500
RFQ
 ECAD 3321 0.00000000 온세미 - 쟁반 활동적인 -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 NXH800 714 w 기준 51-PIM/Q2pack (93x47) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-NXH800A100L4Q2F2S2G 귀 99 8541.29.0095 36 3 레벨 인버터 트렌치 트렌치 정지 1000 v 309 a 2.3V @ 15V, 400A 20 µA 예 49.7 NF @ 20 v
MPSW63 onsemi MPSW63 -
RFQ
 ECAD 5072 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 MPSW63 1 W. TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MPSW63OS 귀 99 8541.29.0075 5,000 30 v 500 MA 100NA (ICBO) pnp- 달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 10000 @ 100MA, 5V 125MHz
2N4237 onsemi 2N4237 -
RFQ
 ECAD 6075 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-205AD, TO-39-3 금속 캔 2N423 800MW To-39 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 200 40 v 1 a 1MA NPN 600mv @ 100ma, 1a 30 @ 250ma, 1V -
NTMFS4C705NT1G onsemi NTMFS4C705NT1G -
RFQ
 ECAD 6622 0.00000000 온세미 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 NTMFS4 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500
FDD6780A onsemi FDD6780A -
RFQ
 ECAD 9943 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD678 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 25 v 16.4A (TA), 30A (TC) 4.5V, 10V 8.6mohm @ 16.4a, 10V 3V @ 250µA 24 nc @ 10 v ± 20V 1235 pf @ 13 v - 3.7W (TA), 32.6W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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