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트랜지스터 (17799)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
NTD5C434NT4G onsemi NTD5C434NT4G -
RFQ
 ECAD 2688 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD5C434 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 33A (TA), 160A (TC) 10V 2.1mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 80.6 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 25 v - 4.7W (TA), 120W (TC)
BCV27 onsemi BCV27 0.3800
RFQ
 ECAD 2981 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCV27 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 1.2 a 100NA (ICBO) npn-달링턴 1V @ 100µa, 100ma 20000 @ 100MA, 5V 220MHz
BC556TF onsemi BC556TF -
RFQ
 ECAD 6047 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC556 500MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 110 @ 2MA, 5V 150MHz
PN2222ATF onsemi PN2222ATF 0.4200
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PN2222 625 MW To-92-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 40 v 1 a 10NA (ICBO) NPN 1V @ 50MA, 500MA 100 @ 150ma, 10V 300MHz
NTR4503NT3 onsemi ntr4503nt3 -
RFQ
 ECAD 8217 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NTR450 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 n 채널 30 v 1.5A (TA) 4.5V, 10V 110mohm @ 2.5a, 10V 3V @ 250µA 7 nc @ 10 v ± 20V 250 pf @ 24 v - 420MW (TA)
2N4400TF onsemi 2N4400TF -
RFQ
 ECAD 2684 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 2N4400 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 40 v 600 MA - NPN 750mv @ 50ma, 500ma 50 @ 150ma, 1V -
SSH22N50A onsemi SSH22N50A -
RFQ
 ECAD 8189 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 SSH22 MOSFET (금속 (() to-3p 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 500 v 22A (TC) 10V 250mohm @ 11a, 10V 4V @ 250µA 236 NC @ 10 v ± 30V 5120 pf @ 25 v - 278W (TC)
FDD120AN15A0 onsemi FDD120AN15A0 0.9100
RFQ
 ECAD 4813 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD120 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 2.8A (TA), 14A (TC) 6V, 10V 120mohm @ 4a, 10V 4V @ 250µA 14.5 nc @ 10 v ± 20V 770 pf @ 25 v - 65W (TC)
FQD2N40TF onsemi FQD2N40TF -
RFQ
 ECAD 8328 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD2 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,000 n 채널 400 v 1.4A (TC) 10V 5.8ohm @ 700ma, 10V 5V @ 250µA 5.5 nc @ 10 v ± 30V 150 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 25W (TC)
NTP60N06LG onsemi NTP60N06LG -
RFQ
 ECAD 2826 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 NTP60N MOSFET (금속 (() TO-220 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 60 v 60A (TA) 5V 16mohm @ 30a, 5V 2V @ 250µA 65 nc @ 5 v ± 15V 3075 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 150W (TJ)
NTD6414AN-1G onsemi NTD6414AN-1G -
RFQ
 ECAD 4137 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NTD64 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 100 v 32A (TC) 10V 37mohm @ 32a, 10V 4V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 20V 1450 pf @ 25 v - 100W (TC)
FDC2612 onsemi FDC2612 0.7700
RFQ
 ECAD 7585 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6 FDC2612 MOSFET (금속 (() SUPERSOT ™ -6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 200 v 1.1A (TA) 10V 725mohm @ 1.1a, 10V 4.5V @ 250µA 11 NC @ 10 v ± 20V 234 pf @ 100 v - 1.6W (TA)
5LN01SS-TL-H onsemi 5LN01SS-TL-H -
RFQ
 ECAD 3420 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-81 5LN01 MOSFET (금속 (() 3-SSFP 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 8,000 n 채널 50 v 100MA (TA) 1.5V, 4V 7.8ohm @ 50ma, 4v - 1.57 NC @ 10 v ± 10V 6.6 pf @ 10 v - 150MW (TA)
FQB12P10TM onsemi FQB12P10TM -
RFQ
 ECAD 7796 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FQB1 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 100 v 11.5A (TC) 10V 290mohm @ 5.75a, 10V 4V @ 250µA 27 NC @ 10 v ± 30V 800 pf @ 25 v - 3.75W (TA), 75W (TC)
BCW65CLT1 onsemi BCW65CLT1 -
RFQ
 ECAD 1015 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCW65 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 32 v 800 MA 20NA NPN 700mv @ 50ma, 500ma 250 @ 100MA, 1V 100MHz
PN3643_D75Z onsemi PN3643_D75Z -
RFQ
 ECAD 4759 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 PN364 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 30 v 500 MA 50NA NPN 220mv @ 15ma, 150ma 100 @ 150ma, 10V -
SCH1335-TL-H onsemi SCH1335-TL-H -
RFQ
 ECAD 6011 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-563, SOT-666 SCH133 MOSFET (금속 (() 6-sch - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 5,000 p 채널 12 v 2.5A (TA) 1.8V, 4.5V 112mohm @ 1a, 4.5v - 3.1 NC @ 4.5 v ± 10V 270 pf @ 6 v - 800MW (TA)
KST56MTF onsemi KST56MTF -
RFQ
 ECAD 8099 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 KST56 350 MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 80 v 500 MA 100NA PNP 250mv @ 10ma, 100ma 50 @ 100MA, 1V 50MHz
FJN3302RBU onsemi fjn3302rbu -
RFQ
 ECAD 1403 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) fjn330 300MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 50 v 100 MA 100NA (ICBO) npn-사전- 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 5MA, 5V 250MHz 10 KOHMS 10 KOHMS
BFL4004 onsemi BFL4004 -
RFQ
 ECAD 3479 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 BFL40 MOSFET (금속 (() TO-220FI (LS) - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 800 v 4.3A (TA) 10V 2.5ohm @ 3.25a, ​​10V 4V @ 1MA 36 nc @ 10 v ± 30V 710 pf @ 30 v - 2W (TA), 36W (TC)
NTD20N03L27-001 onsemi NTD20N03L27-001 -
RFQ
 ECAD 1038 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA NTD20 MOSFET (금속 (() i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 n 채널 30 v 20A (TA) 4V, 5V 27mohm @ 10a, 5V 2V @ 250µA 18.9 NC @ 10 v ± 20V 1260 pf @ 25 v - 1.75W (TA), 74W (TC)
MPS6515_D27Z onsemi MPS6515_D27Z -
RFQ
 ECAD 8995 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 MPS651 625 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 2,000 25 v 200 MA 50NA (ICBO) NPN 500mv @ 5ma, 50ma 250 @ 2MA, 10V -
FQA13N50CF_F109 onsemi FQA13N50CF_F109 -
RFQ
 ECAD 2080 0.00000000 온세미 FRFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA1 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 500 v 15A (TC) 10V 480mohm @ 7.5a, 10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 30V 2055 PF @ 25 v - 218W (TC)
FDG330P onsemi fdg330p -
RFQ
 ECAD 1659 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 FDG330 MOSFET (금속 (() SC-88 (SC-70-6) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 12 v 2A (TA) 1.8V, 4.5V 110mohm @ 2a, 4.5v 1.5V @ 250µA 7 NC @ 4.5 v ± 8V 477 pf @ 6 v - 750MW (TA)
FQD630TM onsemi FQD630TM -
RFQ
 ECAD 9199 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FQD6 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 200 v 7A (TC) 10V 400mohm @ 3.5a, 10V 4V @ 250µA 25 nc @ 10 v ± 25V 550 pf @ 25 v - 2.5W (TA), 46W (TC)
2SK3709 onsemi 2SK3709 2.6200
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 MOSFET (금속 (() TO-220ML 다운로드 Rohs3 준수 귀 99 8541.29.0095 100 n 채널 100 v 37A (TA) 25mohm @ 19a, 10V - 117 NC @ 10 v 6250 pf @ 20 v - 2W (TA), 35W (TC)
NTK3134NT1H onsemi NTK3134NT1H -
RFQ
 ECAD 8740 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-723 NTK3134 - SOT-723 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 4,000 - 890MA (TA) 1.5V, 4.5V - - ± 6V - -
MJD44H11-001 onsemi MJD44H11-001 -
RFQ
 ECAD 7451 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MJD44 1.75 w i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MJD44H11-001OS 귀 99 8541.29.0075 75 80 v 8 a 1µA NPN 1V @ 400MA, 8A 40 @ 4a, 1v 85MHz
BD38010STU onsemi BD38010STU -
RFQ
 ECAD 2058 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 BD380 25 W. TO-126-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 60 80 v 2 a 2µA (ICBO) PNP 1V @ 100MA, 1A 63 @ 150ma, 2V -
BS108G onsemi BS108G -
RFQ
 ECAD 7347 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 BS108 MOSFET (금속 (() TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 1,000 n 채널 200 v 250MA (TA) 2V, 2.8V 8ohm @ 100ma, 2.8v 1.5V @ 1mA ± 20V 150 pf @ 25 v - 350MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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