SIC
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트랜지스터 (17799)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 FET 유형 얻다 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2) 노이즈 노이즈 (db typ @ f)
FJP5021RTU onsemi FJP5021RTU -
RFQ
 ECAD 2844 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 fjp5021 50 W. TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 500 v 5 a 10µA (ICBO) NPN 1V @ 600MA, 3A 15 @ 600ma, 5V 18MHz
FDM606P onsemi FDM606P -
RFQ
 ECAD 7714 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-smd,, 리드 노출 패드 패드 FDM606 MOSFET (금속 (() 8mlp,, 펫 (3x2) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 p 채널 20 v 6.8A (TC) 1.8V, 4.5V 30mohm @ 6.8a, 4.5v 1.5V @ 250µA 30 nc @ 4.5 v ± 8V 2200 pf @ 10 v - 1.92W (TA)
BC547TAR onsemi BC547TAR -
RFQ
 ECAD 4232 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC547 500MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 300MHz
2N4124G onsemi 2N4124G -
RFQ
 ECAD 4149 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 2N4124 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 25 v 200 MA 50NA (ICBO) NPN 300mv @ 5ma, 50ma 120 @ 2MA, 1V 300MHz
MPSA64 onsemi MPSA64 -
RFQ
 ECAD 9847 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 MPSA64 625 MW TO-92 (TO-226) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 5,000 30 v 500 MA 100NA (ICBO) pnp- 달링턴 1.5V @ 100µa, 100ma 20000 @ 100MA, 5V 125MHz
NSVBC858CLT1G onsemi NSVBC858CLT1G 0.3900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 NSVBC858 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 420 @ 2MA, 5V 100MHz
MJE5850G onsemi MJE5850G -
RFQ
 ECAD 9394 0.00000000 온세미 스위치 스위치 ™ 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 MJE5850 80 W. TO-220 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 300 v 8 a - PNP 5V @ 3A, 8A 5 @ 5a, 5V -
BD17510STU onsemi BD17510STU 0.8300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 BD175 30 w TO-126-3 - Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,920 45 v 3 a 100µA (ICBO) NPN 800mv @ 100ma, 1a 63 @ 150ma, 2V 3MHz
BCV72 onsemi BCV72 -
RFQ
 ECAD 9785 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCV72 350 MW SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 60 v 500 MA 100NA (ICBO) NPN 250mv @ 500µa, 10ma 200 @ 2mA, 5V -
SMBF1066T1G onsemi smbf1066t1g -
RFQ
 ECAD 2630 0.00000000 온세미 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 SMBF1 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000
MMBTH24 onsemi MMBTH24 -
RFQ
 ECAD 3079 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTH24 225MW SOT-23-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 - 30V 50ma NPN 30 @ 8ma, 10V 400MHz -
BD138G onsemi BD138G 0.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 BD138 1.25 w TO-126 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 500 60 v 1.5 a 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50ma, 500ma 40 @ 150ma, 2v -
MUN5313DW1T1 onsemi MUN5313DW1T1 -
RFQ
 ECAD 7449 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 mun53 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50V 100ma 500NA 1 npn, 1 pnp- 사전 바이어스 (이중) 250MV @ 300µA, 10MA 80 @ 5ma, 10V - 47kohms 47kohms
BC183LC onsemi BC183LC -
RFQ
 ECAD 9435 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC183 350 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 30 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 40 @ 10µa, 5V 150MHz
BC546BTAR onsemi BC546BTAR -
RFQ
 ECAD 8698 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 BC546 500MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 65 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 200 @ 2mA, 5V 300MHz
KSA733CLTA onsemi KSA733CLTA -
RFQ
 ECAD 9484 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드 KSA733 250 MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 50 v 150 MA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10ma, 100ma 350 @ 1ma, 6v 180MHz
NTH4L160N120SC1 onsemi NTH4L160N120SC1 10.3700
RFQ
 ECAD 147 0.00000000 온세미 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-4 NTH4L160 sicfet ((카바이드) TO-247-4L 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 1200 v 17.3A (TC) 20V 224mohm @ 12a, 20V 4.3v @ 2.5ma 34 NC @ 20 v +25V, -15V 665 pf @ 800 v - 111W (TC)
BD240BTU onsemi BD240BTU -
RFQ
 ECAD 7847 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 BD240 30 w TO-220-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 80 v 2 a 300µA PNP 700mv @ 200ma, 1a 15 @ 1a, 4v -
BC857ALT1G onsemi BC857ALT1G 0.1200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 125 @ 2MA, 5V 100MHz
NTMS10P02R2 onsemi NTMS10P02R2 -
RFQ
 ECAD 3184 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) NTMS10 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 p 채널 20 v 8.8A (TA) 2.5V, 4.5V 14mohm @ 10a, 4.5v 1.2V @ 250µA 70 NC @ 4.5 v ± 12V 3640 pf @ 16 v - 1.6W (TA)
BC309ATA onsemi BC309ata -
RFQ
 ECAD 4851 0.00000000 온세미 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC309 500MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,000 25 v 100 MA 15NA PNP 500mv @ 5ma, 100ma 120 @ 2MA, 5V 130MHz
FDPC8014S onsemi FDPC8014S 1.2353
RFQ
 ECAD 5089 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn FDPC8014 MOSFET (금속 (() 2.1W, 2.3W 파워 56 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 2 n 채널 (채널) 비대칭 25V 20A, 41A 3.8mohm @ 20a, 10V 2.5V @ 250µA 35NC @ 10V 2375pf @ 13v 논리 논리 게이트
MMBTA43LT1G onsemi MMBTA43LT1G -
RFQ
 ECAD 1350 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBTA43 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 200 v 50 MA 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 2ma, 20ma 40 @ 30MA, 10V 50MHz
FQPF12P20YDTU onsemi FQPF12P20YDTU -
RFQ
 ECAD 6586 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 FQPF1 MOSFET (금속 (() TO-220F-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 p 채널 200 v 7.3A (TC) 10V 470mohm @ 3.65a, 10V 5V @ 250µA 40 nc @ 10 v ± 30V 1200 pf @ 25 v - 50W (TC)
KSE181STU onsemi KSE181STU -
RFQ
 ECAD 7753 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 KSE18 1.5 w TO-126-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 60 60 v 3 a 100NA (ICBO) NPN 1.7V @ 600MA, 3A 50 @ 100MA, 1V 50MHz
MJD112-001 onsemi MJD112-001 -
RFQ
 ECAD 7491 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA MJD11 1.75 w i-pak 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 75 100 v 2 a 20µA npn-달링턴 3V @ 40MA, 4A 1000 @ 2a, 3v 25MHz
BC239CBU onsemi BC239CBU -
RFQ
 ECAD 8156 0.00000000 온세미 - 대부분 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC239 500MW To-92-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 1,000 25 v 100 MA 15NA NPN 600mv @ 5ma, 100ma 380 @ 2MA, 5V 250MHz
KSH44H11ITU onsemi KSH44H11ITU -
RFQ
 ECAD 8564 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-251-3 1 리드, IPAK, TO-251AA KSH44 1.75 w i-pak 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 5,040 80 v 8 a 10µA NPN 1V @ 400MA, 8A 40 @ 4a, 1v 50MHz
MJD41CT4 onsemi MJD41CT4 -
RFQ
 ECAD 4700 0.00000000 온세미 - 컷 컷 (CT) 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 MJD41 20 W. DPAK 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 100 v 6 a 50µA NPN 1.5V @ 600MA, 6A 15 @ 3a, 4v 3MHz
KSC2690AYSTSTU onsemi KSC2690AYSTSTU -
RFQ
 ECAD 6935 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-225AA, TO-126-3 KSC2690 1.2 w TO-126-3 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 2,880 160 v 1.2 a 1µA (ICBO) NPN 700mv @ 200ma, 1a 160 @ 300ma, 5V 155MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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