RFQ
Bom
저희에게 연락하십시오

전화 : +86-0755-83501315

이메일:sales@sic-components.com

트랜지스터 (17799)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	데이터 데이터	rohs 상태	수분 수분 수준 (MSL)	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	HTSUS	표준 표준	FET 유형	소스 소스 (vds)으로 배수	25 ° C.	구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds)	rds on (max) @ id, vgs	vgs (th) (max) @ id	게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs	VGS (Max)	입력 입력 (ciss) (max) @ vds	FET 기능	전력 전력 (소실)	전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대)	현재 -컬렉터 (IC) (최대)	전압- v (V (BR) GSS)	전류- id (idss) @ vds (vgs = 0)	전압- v (vgs off) @ id	현재- 컷오프 수집기 (최대)	저항 -rds (on)	트랜지스터 트랜지스터	vce 포화 (max) @ ib, ic	DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce	주파수 - 전환	저항 -r (R1)	저항- 터베이스 이미 (R2)
ATP405-TL-H	1.7500	RFQ	2	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	atpak (2 2+탭)	ATP405	MOSFET (금속 (()		atpak	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	n 채널	100 v	40A (TA)	10V	33mohm @ 20a, 10V	-	68 NC @ 10 v	± 20V	4000 pf @ 20 v	-	70W (TC)
2SA1402E	-	RFQ	3204	온세미	*	대부분	활동적인								다운로드	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.29.0075	1
MCH3144-TL-E	-	RFQ	2237	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-	표면 표면	3-smd,, 리드	MCH3144		800MW	3mcph	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000												30 v	2 a				100NA (ICBO)		PNP	260mv @ 75ma, 1.5a	200 @ 100ma, 2v	440MHz
2N5457_D27Z	-	RFQ	1572	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	2N5457		625 MW	To-92-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	2,000	n 채널								7pf @ 15V					25 v	1 ma @ 15 v	500 mV @ 10 NA
FJX4011RTF	-	RFQ	4810	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	SC-70, SOT-323	FJX401		200 MW	SOT-323	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000												40 v	100 MA				100NA (ICBO)		pnp- 사전-	300mv @ 1ma, 10ma	100 @ 1ma, 5V	200MHz	22 KOHMS
MJD148T4G	0.7700	RFQ	4157	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	MJD148		1.75 w	DPAK	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500												45 v	4 a				20µA (ICBO)		NPN	500mv @ 200ma, 2a	85 @ 500ma, 1V	3MHz
BC238_J35Z	-	RFQ	2454	온세미	-	대부분	쓸모없는	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 형성 된 리드	BC238		500MW	To-92-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	2,000												25 v	100 MA				15NA		NPN	600mv @ 5ma, 100ma	120 @ 2MA, 5V	250MHz
MPSA13RLRM	-	RFQ	6500	온세미	-	테이프 & t (TB)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드)	MPSA13		625 MW	TO-92 (TO-226)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	2,000												30 v	500 MA				100NA (ICBO)		npn-달링턴	1.5V @ 100µa, 100ma	10000 @ 100MA, 5V	125MHz
KSA1298YMTF	0.2800	RFQ	19	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	KSA1298		200 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000												25 v	800 MA				100NA (ICBO)		PNP	400mv @ 20ma, 500ma	160 @ 100MA, 1V	120MHz
NJVMJD127T4	-	RFQ	4178	온세미	-	대부분	활동적인	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63			20 W.	DPAK	-	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받습니다		귀 99	8542.39.0001	2,500												100 v	8 a				10µA		pnp- 달링턴	4V @ 80MA, 8A	1000 @ 4a, 4v	-
fcpf11n60f	3.7600	RFQ	998	온세미	Superfet ™	튜브	새로운 새로운 아닙니다	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3 3 팩	FCPF11	MOSFET (금속 (()		TO-220F-3	다운로드	Rohs3 준수	적용 적용 수 할	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	50	n 채널	600 v	11A (TC)	10V	380mohm @ 5.5a, 10V	5V @ 250µA	52 NC @ 10 v	± 30V	1490 pf @ 25 v	-	36W (TC)
FQA34N25	-	RFQ	4710	온세미	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-3P-3, SC-65-3	FQA3	MOSFET (금속 (()		to-3p	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	450	n 채널	250 v	34A (TC)	10V	85mohm @ 17a, 10V	5V @ 250µA	80 nc @ 10 v	± 30V	2750 pf @ 25 v	-	245W (TC)
NTD3055L104	-	RFQ	5819	온세미	-	튜브	쓸모없는	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	NTD30	MOSFET (금속 (()		DPAK	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	75	n 채널	60 v	12A (TA)	5V	104mohm @ 6a, 5V	2V @ 250µA	20 nc @ 5 v	± 15V	440 pf @ 25 v	-	1.5W (TA), 48W (TJ)
BSR56	-	RFQ	7320	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BSR56		250 MW	SOT-23-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	n 채널								-					40 v	50 ma @ 15 v	4 V @ 0.5 NA		25 옴
NVMFS5C410NWFET1G	2.2759	RFQ	8851	온세미	*	테이프 & tr (TR)	활동적인								-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	488-NVMFS5C410NWFET1GTR	귀 99	8541.29.0095	1,500
MPS2222RLRA	-	RFQ	3992	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-226-3, TO-92-3 긴 몸 (형성 된 리드 리드)	MPS222		625 MW	TO-92 (TO-226)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	2,000												30 v	600 MA				10NA (ICBO)		NPN	1.6V @ 50MA, 500MA	100 @ 150ma, 10V	250MHz
MSB710-RT1	-	RFQ	1387	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MSB71		200 MW	SC-59	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000												50 v	500 MA				100NA (ICBO)		PNP	600mv @ 30ma, 300ma	120 @ 150ma, 10V	-
SBC856BDW1T1G	0.4800	RFQ	14	온세미	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SBC856		380MW	SC-88/SC70-6/SOT-363	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0075	3,000												65V	100ma				15NA (ICBO)		2 PNP (()	650MV @ 5MA, 100MA	220 @ 2MA, 5V	100MHz
2SD1619T-TD-E	0.1100	RFQ	21	온세미	*	대부분	활동적인								-	적용 적용 수 할	1 (무제한)	공급 공급 정의되지 업체는		귀 99	8541.21.0075	1,000
CPH6337-TL-E	-	RFQ	6282	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6	CPH633	MOSFET (금속 (()		6-CPH	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	3,000	p 채널	12 v	3.5A (TA)	1.8V, 4.5V	70mohm @ 1.5a, 4.5v	1.4V @ 1mA	5.6 NC @ 4.5 v	± 10V	405 pf @ 6 v	-	1.6W (TA)
NTS4409NT1G	0.4300	RFQ	1447	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SC-70, SOT-323	NTS4409	MOSFET (금속 (()		SC-70-3 (SOT323)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000	n 채널	25 v	700MA (TA)	2.7V, 4.5V	350mohm @ 600ma, 4.5v	1.5V @ 250µA	1.5 nc @ 4.5 v	± 8V	60 pf @ 10 v	-	280MW (TJ)
SCH1335-TL-H	-	RFQ	6011	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-563, SOT-666	SCH133	MOSFET (금속 (()		6-sch	-		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	5,000	p 채널	12 v	2.5A (TA)	1.8V, 4.5V	112mohm @ 1a, 4.5v	-	3.1 NC @ 4.5 v	± 10V	270 pf @ 6 v	-	800MW (TA)
MMUN2134LT1	-	RFQ	4636	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는		표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MMUN2134		246 MW	SOT-23-3 (TO-236)	다운로드	rohs 비준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000												50 v	100 MA				500NA		pnp- 사전-	250mv @ 1ma, 10ma	80 @ 5ma, 10V		22 KOHMS	47 Kohms
BD675AS 7	0.3400	RFQ	1	온세미	-	대부분	활동적인	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-225AA, TO-126-3			40 W.	TO-126-3	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	0000.00.0000	1												45 v	4 a				500µA		npn-달링턴	2.8V @ 40MA, 2A	750 @ 2a, 3v	-
FMB857B	-	RFQ	2100	온세미	-	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOT-23-6 THIN, TSOT-23-6	FMB85		700 MW	SUPERSOT ™ -6	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000												45 v	500 MA				15NA (ICBO)		PNP	650MV @ 5MA, 100MA	220 @ 2MA, 5V	-
FDMS86369	-	RFQ	6020	온세미	Powertrench®	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn		MOSFET (금속 (()		8-DFNW (5.2x6.3)	-	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지	488-FDMS86369tr	귀 99	8541.29.0095	3,000	n 채널	80 v	65A (TC)	10V	7.5mohm @ 65a, 10V	4V @ 250µA	46 NC @ 10 v	± 20V	2470 pf @ 40 v	-	107W (TC)
FDD6N25TM	0.6700	RFQ	3222	온세미	unifet ™	테이프 & tr (TR)	쓸모없는	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63	FDD6N25	MOSFET (금속 (()		TO-252AA	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	2,500	n 채널	250 v	4.4A (TC)	10V	1.1ohm @ 2.2a, 10V	5V @ 250µA	6 nc @ 10 v	± 30V	250 pf @ 25 v	-	50W (TC)
KSD401G	-	RFQ	4300	온세미	-	대부분	쓸모없는	150 ° C (TJ)	구멍을 구멍을	TO-220-3	KSD401		25 W.	TO-220-3	다운로드		1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,200												150 v	2 a				50µA (ICBO)		NPN	1V @ 50MA, 500MA	200 @ 400ma, 10V	5MHz
MUN5131T1G	0.2700	RFQ	5015	온세미	-	테이프 & tr (TR)	활동적인		표면 표면	SC-70, SOT-323	mun5131		202 MW	SC-70-3 (SOT323)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.21.0095	3,000												50 v	100 MA				500NA		pnp- 사전-	250mv @ 5ma, 10ma	8 @ 5ma, 10V		2.2 Kohms	2.2 Kohms
NVMFS5C468NT1G	0.5600	RFQ	824	온세미	자동차, AEC-Q101	테이프 & tr (TR)	활동적인	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	표면 표면	8-powertdfn, 5 리드	NVMFS5	MOSFET (금속 (()		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	다운로드	Rohs3 준수	1 (무제한)	영향을받지 영향을받지		귀 99	8541.29.0095	1,500	n 채널	40 v	12A (TA), 35A (TC)	10V	12MOHM @ 10A, 10V	3.5V @ 250µA	7.9 NC @ 10 v	± 20V	420 pf @ 25 v	-	3.5W (TA), 28W (TC)

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

트랜지스터 (17799)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²