SIC
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트랜지스터 (17799)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 입력 입력 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 FET 유형 테스트 테스트 소스 소스 (vds)으로 배수 25 ° C. 구동 구동 (전압 rds 켜짐, 최소 rds) rds on (max) @ id, vgs vgs (th) (max) @ id 게이트 게이트 (QG) (max) @ vgs VGS (Max) 입력 입력 (ciss) (max) @ vds FET 기능 전력 전력 (소실) IGBT 유형 전압- 이미 수집기 터 고장 고장 (최대) 현재 -컬렉터 (IC) (최대) 전류- 펄스 수집기 (ICM) vce (on) (max) @ vge, ic 에너지 에너지 게이트 게이트 25 ° C @ TD (오프/온) 전류- id (idss) @ vds (vgs = 0) 전압- v (vgs off) @ id 현재- 컷오프 수집기 (최대) 트랜지스터 트랜지스터 vce 포화 (max) @ ib, ic DC 전류 게인 (HFE) (Min) @ IC, vce 주파수 - 전환 저항 -r (R1) 저항- 터베이스 이미 (R2)
NTS4172NT1G onsemi NTS4172nt1g -
RFQ
 ECAD 8399 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 NTS417 MOSFET (금속 (() SC-70-3 (SOT323) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 2156-NTS4172NT1G 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 30 v 1.6A (TA) 2.5V, 10V 93mohm @ 1.7a, 10V 1.4V @ 250µA 4.38 NC @ 4.5 v ± 12V 381 pf @ 15 v - 294MW (TA)
NTD5C434NT4G onsemi NTD5C434NT4G -
RFQ
 ECAD 2688 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 NTD5C434 MOSFET (금속 (() DPAK 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 40 v 33A (TA), 160A (TC) 10V 2.1mohm @ 50a, 10V 4V @ 250µA 80.6 NC @ 10 v ± 20V 5400 pf @ 25 v - 4.7W (TA), 120W (TC)
SMMUN2211LT1G onsemi smmun2211lt1g 0.3300
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SMMUN2211 246 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 50 v 100 MA 500NA npn-사전- 250MV @ 300µA, 10MA 35 @ 5MA, 10V 10 KOHMS 10 KOHMS
FQI8N60CTU onsemi fqi8n60ctu -
RFQ
 ECAD 5031 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-262-3 2 리드 리드, i²PAK, TO-262AA fqi8n60 MOSFET (금속 (() I2PAK (TO-262) 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,000 n 채널 600 v 7.5A (TC) 10V 1.2ohm @ 3.75a, 10V 4V @ 250µA 36 nc @ 10 v ± 30V 1255 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 147W (TC)
NVMYS008N08LHTWG onsemi NVMYS008N08LHTWG 0.7201
RFQ
 ECAD 3500 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOT-1023, 4-LFPAK MOSFET (금속 (() LFPAK4 (5x6) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 80 v 13A (TA), 59A (TC) 4.5V, 10V 8.8mohm @ 10a, 10V 2V @ 70µA 25 nc @ 10 v ± 20V 1420 pf @ 40 v - 3.7W (TA), 73W (TC)
NST847AMX2T5G onsemi NST847AMX2T5G 0.0611
RFQ
 ECAD 4776 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0402 (1006 메트릭) 225 MW 3-x2dfn (1x0.6) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 8,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
FQB3N90TM onsemi FQB3N90TM -
RFQ
 ECAD 1736 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FQB3 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 900 v 3.6A (TC) 10V 4.25ohm @ 1.8a, 10V 5V @ 250µA 26 NC @ 10 v ± 30V 910 pf @ 25 v - 3.13W (TA), 130W (TC)
MCH6436-TL-E onsemi MCH6436-TL-E 0.2153
RFQ
 ECAD 2596 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 150 ° C (TJ) 표면 표면 6-SMD,, 리드 MCH64 MOSFET (금속 (() 6mcph 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 6A (TA) 1.8V, 4.5V 34mohm @ 3a, 4.5v - 7.5 NC @ 4.5 v ± 12V 710 pf @ 10 v - 1.5W (TA)
FDZ4670 onsemi FDZ4670 -
RFQ
 ECAD 2795 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 30-WFBGA FDZ46 MOSFET (금속 (() 30-FLFBGA (3.55x4) 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 3,000 n 채널 30 v 25A (TA) 4.5V, 10V 2.5mohm @ 25a, 10V 3V @ 250µA 56 NC @ 10 v ± 20V 3540 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
NDF04N60ZH onsemi NDF04N60ZH -
RFQ
 ECAD 4341 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 NDF04 MOSFET (금속 (() TO-220-2 풀 -2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 50 n 채널 600 v 4.8A (TC) 10V 2ohm @ 2a, 10V 4.5V @ 50µA 29 NC @ 10 v ± 30V 640 pf @ 25 v - 30W (TC)
FDB86135 onsemi FDB86135 6.7400
RFQ
 ECAD 7496 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FDB861 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 100 v 75A (TC) 10V 3.5mohm @ 75a, 10V 4V @ 250µA 116 NC @ 10 v ± 20V 7295 pf @ 25 v - 2.4W (TA), 227W (TC)
NTTFS5C680NLTAG onsemi NTTFS5C680NLTAG 0.7900
RFQ
 ECAD 7551 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 8-powerwdfn NTTFS5 MOSFET (금속 (() 8-wdfn (3.3x3.3) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1,500 n 채널 60 v 7.82A (TA), 20A (TC) 4.5V, 10V 26.5mohm @ 10a, 10V 2.2V @ 13µA 6 nc @ 10 v ± 20V 327 pf @ 25 v - 3W (TA), 20W (TC)
FGH50N3 onsemi FGH50N3 -
RFQ
 ECAD 7596 0.00000000 온세미 - 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FGH50 기준 463 w TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 180V, 30A, 5ohm, 15V Pt 300 v 75 a 240 a 1.4V @ 15V, 30A 130µJ (on), 92µJ (OFF) 180 NC 20ns/135ns
FDS6680A onsemi FDS6680A 0.9100
RFQ
 ECAD 8567 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS6680 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 12.5A (TA) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 12.5a, 10V 3V @ 250µA 23 nc @ 5 v ± 20V 1620 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
2SC4731S-AY onsemi 2SC4731S-ay -
RFQ
 ECAD 2862 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 없음 2SC4731 1.5 w FLP - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0075 1,000 100 v 4 a 1µA (ICBO) NPN 400mv @ 200ma, 2a 140 @ 500ma, 5V 180MHz
NSVMUN5233DW1T3G onsemi NSVMUN5233DW1T3G 0.1034
RFQ
 ECAD 7724 0.00000000 온세미 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NSVMUN5233 250MW SC-88/SC70-6/SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 10,000 50V 100ma 500NA 2 npn--바이어스 (듀얼) 250mv @ 1ma, 10ma 80 @ 5ma, 10V - 4.7kohms 47kohms
FCH029N65S3-F155 onsemi FCH029N65S3-F155 20.8400
RFQ
 ECAD 198 0.00000000 온세미 Superfet® III 튜브 새로운 새로운 아닙니다 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-247-3 FCH029 MOSFET (금속 (() TO-247-3 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 488-FCH029N65S3-F155 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 650 v 75A (TC) 29mohm @ 37.5a, 10V 4.5V @ 7mA 201 NC @ 10 v ± 30V 6340 pf @ 400 v - 463W (TC)
BBS3002-DL-1E onsemi BBS3002-DL-1E -
RFQ
 ECAD 3180 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB BBS3002 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 p 채널 60 v 100A (TA) 4V, 10V 5.8mohm @ 50a, 10V - 280 nc @ 10 v ± 20V 13200 pf @ 20 v - 90W (TC)
2SK3486-TD-E onsemi 2SK3486-TD-E 0.1900
RFQ
 ECAD 124 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.29.0095 1,000
2SC4110M onsemi 2SC4110m -
RFQ
 ECAD 9465 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 1
2SC4414S onsemi 2SC4414S -
RFQ
 ECAD 7059 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 2,290
2SC3392-6-TB-E onsemi 2SC3392-6-TB-E -
RFQ
 ECAD 7700 0.00000000 온세미 * 대부분 활동적인 - 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.21.0075 3,000
FDS7788 onsemi FDS7788 -
RFQ
 ECAD 2966 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 8- SOIC (0.154 ", 3.90mm 너비) FDS77 MOSFET (금속 (() 8-SOIC 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 30 v 18A (TA) 4.5V, 10V 4mohm @ 18a, 10V 3V @ 250µA 48 NC @ 5 v ± 20V 3845 pf @ 15 v - 2.5W (TA)
BC857BLT3G onsemi BC857BLT3G 0.1200
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 300MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0075 10,000 45 v 100 MA 15NA (ICBO) PNP 650MV @ 5MA, 100MA 220 @ 2MA, 5V 100MHz
FDV304P onsemi FDV304P 0.4000
RFQ
 ECAD 6943 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FDV304 MOSFET (금속 (() SOT-23-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 p 채널 25 v 460MA (TA) 2.7V, 4.5V 1.1ohm @ 500ma, 4.5v 1.5V @ 250µA 1.5 nc @ 4.5 v ± 8V 63 pf @ 10 v - 350MW (TA)
FDA24N40F onsemi FDA24N40F 4.2400
RFQ
 ECAD 859 0.00000000 온세미 unifet ™ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FDA24 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 30 n 채널 400 v 23A (TC) 10V 190mohm @ 11.5a, 10V 5V @ 250µA 60 nc @ 10 v ± 30V 3030 pf @ 25 v - 235W (TC)
FQA90N15-F109 onsemi FQA90N15-F109 6.2500
RFQ
 ECAD 340 0.00000000 온세미 QFET® 튜브 쓸모없는 -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 TO-3P-3, SC-65-3 FQA90 MOSFET (금속 (() 3pn 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 450 n 채널 150 v 90A (TC) 10V 18mohm @ 45a, 10V 4V @ 250µA 285 NC @ 10 v ± 25V 8700 pf @ 25 v - 375W (TC)
FQB9N50CTM onsemi FQB9N50CTM -
RFQ
 ECAD 6578 0.00000000 온세미 QFET® 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB FQB9N50 MOSFET (금속 (() d²pak (To-263) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 800 n 채널 500 v 9A (TC) 10V 800mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250µA 35 NC @ 10 v ± 30V 1030 pf @ 25 v - 135W (TC)
BFR31LT1 onsemi BFR31LT1 -
RFQ
 ECAD 7022 0.00000000 온세미 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BFR31 225 MW SOT-23-3 (TO-236) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.21.0095 3,000 n 채널 25 v 5pf @ 10V 1 ma @ 10 v 2.5 V @ 0.5 NA
FDD390N15ALZ onsemi FDD390N15ALZ 1.5400
RFQ
 ECAD 3141 0.00000000 온세미 Powertrench® 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 FDD390 MOSFET (금속 (() TO-252AA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.29.0095 2,500 n 채널 150 v 26A (TC) 4.5V, 10V 42mohm @ 26a, 10V 2.8V @ 250µA 39 NC @ 10 v ± 20V 1760 pf @ 75 v - 63W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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